一、 简要综述 　　 国家十一五支撑计划研究成果。 　　 二、 具体介绍 　　 1、项目简介 　　 将表面活性剂、助表面活性剂、水、食用油、番茄红素一起，经简单的混合处理而制成红色透明或半透明状微乳液产品。制备技术特征在于微乳液可自发形成，不借助外力（实际制备过程中在简单搅拌条件下即可实现，无须高速乳化、均质等剧烈操作），即可形成液滴直径在5～50nm的液滴，所形成微乳化体系性质稳定，可长期放置或经离心处理而不分层。 　　 2、创新要点 　　 以天然番茄红素为主要功效成分，与可食用表面活性剂、助表面活性剂、食用油脂和水经微乳化处理而制成的液滴直径在5～50nm的红色透明或半透明状乳液产品，从而改变了番茄红素不能在水中溶解的特性，产品可以任意比例与水混溶。主要作为食品抗氧化剂和着色剂使用，属于功能性食品配料生产技术领域。 　　 本技术同样适用于β-胡萝卜素、叶黄素等其他类胡萝卜素。 　　 3、效益分析 　　 设备投入在15-30万元。 　　 4、推广情况 　　 已有一家企业已应用该技术开发出新产品。

 库帕品牌主体是深圳市金研微科技有限公司，于2009年7月27日在深圳成立，由具有工匠精神的德国海归团队与国内IT精英创建，公司位于深圳市南山区，专注于智能创意终端产品（软硬件一体）的开发和生产。公司可提供从产品系统设计、开发、生产、品控再到售后跟踪的一站式服务，具有国际领先的行业方案综合解决能力。 金研微科技是国家级高新技术企业、双软认定企业，在硬件开发和软件应用领域拥有多项知识产权。荣膺中国留学生创业园百家企业、最具成长性企业奖、深圳市南山区创新科技基金奖等荣誉，是深圳市银政企合作项目重点支持单位。在第16届中国风险投资论坛上被评为“最具投资潜力的互联网企业”，公司产品连续两年获得美国权威电脑杂志PC Magazine的四星级评价，美国 CTIA无线协会2013年度Mobile CE 类产品全球评选第三名，2018年中国投影机行业品牌大奖，2018年中国投影优秀产品奖。 金研微以其原创的设计和优异的行业表现，先后获得达晨创投、深圳高新投等多家著名投资机构的投资。 

深圳市西微数字技术有限公司，成立于2013-10-15，注册资本为1000万人民币，法定代表人为李圣遥，经营状态为存续，工商注册号为440301108116891，注册地址为深圳市南山区粤海街道科技园社区科苑路8号讯美科技广场3号楼1008M23，经营范围包括一般经营项目是：经营电子商务；化妆品的销售；物联网的技术研发、技术咨询、技术转让；通讯器材、生物传感器的技术研发、技术咨询及销售；按摩体调仪器、测温仪器、护目镜、消毒液、手套、检测试剂、二类医疗器械的销售；经济信息咨询；市场调研；商务信息咨询;国内贸易；经营进出口业务。 传递品牌唤醒肌肤本来之美的宗旨，对于自然的尊重，终于天然的美丽。TSON为深圳西微旗下子品牌，专注于美容电子领域。公司成立于2013年，专注于电子产类产品的研发，核心产品技术领先国际。现进军国内美容电子领域，采用领先的国际美容技术、赋能国内20年美容仪制造史的国际知名企业，联手打造出更加适合女性娇嫩肌肤、更符合中国女性使用习惯的美容电子仪器。

金碟手机微信图书馆服务平台是基于微信平台提供图书检索和在借图书查询、预约借还书等服务，便于移动应用。 主要功能： 1.发布通知：通过微信公众平台的管理页面推送信息。 2.图书推荐：新书推荐。 3.读者证信息：绑定微信证件号以及查看个人信息。 4.查询借阅信息：查看当前图书的借阅信息。 5.续借：对当前借阅信息进行续借操作。 6.查询图书：通过书名，作者，主题词等查询图书 7.预约借还书：根据查询到的图书进行预约借还书；取消预约。 8.自定义菜单：根据需求调整菜单功能。 金碟手机微信图书馆服务平台需与金碟图书馆管理系统配套使用。用户需申请微信公众号。

该连接器采用新型高可靠绞线柔性插针，高密度的接触对排列，接触件尾端分为压接导线、直插印制板、弯插印制板三种形式。塑料外壳,产品符合GJB2446A，广泛应用于各类军用电子设备的电路连接，特别适用于安装空间小，要求重量轻的场合。

XM-847细胞超微立体结构模型   XM-847细胞超微立体结构模型为立方形半模式细胞立体的超微结构，细胞三面剖开细胞膜，切开细胞核的1/4部分。暴露各种细胞器及核的结构，主要的细胞器有线粒体，粗面及滑面内质网，高尔基体，中心粒等，细胞核切面显示核膜、染色质和核仁，同时还显示核糖体、溶酶体，微丝、微管、分泌泡等。此外，细胞膜还显示微绒毛（已切除）及基底膜內褶等结构。 尺寸：36×27×52cm 材质：PVC材料

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO₂薄膜、2)在有 SiO₂层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO₂，将光刻的图形转移到 SiO₂层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微

本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺，包括步骤：1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2，将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。