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一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法
本发明公开了一种用于门洞形断面结构衬砌混凝土温控防裂设计计算方法，包括如下步骤:(1)确 定温控防裂目标;(2)计算允许最高温度;(3)拟定温控方案，计算混凝土内部最高温度，在计算最高 温度≤允许最高温度的前提下，设计温控防裂方案。本发明方法的计算公式简单，能合理反映围岩性能、 衬砌结构尺寸、混凝土强度、洞内空气温度、通水冷却及其水温、浇筑温度等的影响，可以迅速计算出 门洞形断面结构衬砌混凝土施工
武汉大学
2021-04-14
城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统UMTOCADS
本系统已在中铁二院、中铁四院工程集团有限责任公司交通规划研究院投入运用。城市轨道交通运营组织计算机辅助设计系统是集数据维护、客流分析、车辆选型和列车编组方案比选、交路设计、行车计划编制、车站配线设计、能力计算等多功能于一体的城市轨道交通规划和运营组织管理工作辅助软件。可用于城市轨道交通规划和运营管理工作，适用于城市轨道交通运营管理和设计单位。
西南交通大学
2016-06-27
中科微知参与投资成立北京电子城集成电路设计服务公司
电子城IC设计服务公司成立后主要是负责集成电路设计产业园燕东园区的运营，包括引导企业入驻、提供科技服务等；将从技术、产业、资本等方面提供科技服务，加速核心技术转化成成熟产品从而满足市场需求的全链条加速孵化。
北京中科微知识产权服务有限公司
2021-02-23
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
预告 | 第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式
由中国高等教育学会、中华中山文化交流协会、北京歌华文化发展集团共同主办的第七届“两岸新锐设计竞赛·华灿奖”颁奖仪式将于4月2日上午9:00-11:00以线上线下相结合的方式举办，在北京和昆山设主会场，江苏省以及大陆分赛区和台湾分赛区设分会场。
中国高等教育学会
2022-03-31
病毒疫苗快速工艺研发技术平台以及高质蜀病毒疫苗规模化生产装置装备相关技术
本研究团队研发了具有自主知识产权（专利号：ZL 201610601410.0；ZL 201610601445.4）的新型固定床生物反应器——Xcell反应器（图1）。Xcell反应器采用新型的“瀑布式”传氧方式，实现真正意义上的无泡通气，可提供良好的氧传质性能以及混合性能；采用“悬浮接种”技术使得反应器的种子细胞捕获能力良好且细胞在反应器中分布均匀；采用“Push-pause”混合技术，可有效避免固定床模块出现死区，进一步提高液体混合效率，同时对氧传递有一定的促进作用。Xcell反应器为贴壁动物细胞的培养与应用提供了一种新的固定床生物反应器与技术。
为了实现基于固定床生物反应器细胞培养过程的高效研发与规模放大，本研究团队建立了具有自主知识产权（专利申请号201910893202.6）的固定床生物反应器缩小模型——TFB反应器（图2）。基于TFB反应器与Xcell反应建立了固定床生物反应器scale-down/scale-up平台（图3）以及QbD导向的病毒疫苗过程工程的快速开发策略，实现了细胞培养及病毒扩增工艺从20 mL到0.5 L与2.5 L的规模逐级放大。
江南大学
2021-05-11
一种促进滨海盐碱地水稻种子快速萌发及抗盐能力的方法
本发明公开了一种促进滨海盐碱地水稻种子快速萌发及抗盐能力的方法。首先用质量分数10～15％的过氧化氢水溶液浸泡水稻种子20～30分钟，然后水稻种子用水浸泡8～10小时，再用2～5mmol/L?NaCl水溶液对水浸后的水稻种子浸种15～30分钟，然后用含有20～45mmol/L脯氨酸、0.5～2mmol/L磺基水杨酸的水溶液浸泡水稻种子1～2小时，再用70-200mg/L的赤霉素水溶液浸泡水稻种子1～2小时，然后将浸种后的水稻种子进行萌发，萌发后的水稻种子播种到滨海盐碱地的大田中。本发明通过水稻种子盐激处理后，再使用脯氨酸与磺基水杨酸配制的混合液以及赤霉素浸种后快速提高了水稻种子的萌发及抗盐能力，解决了滨海盐碱地水稻直播种子出苗率低的瓶颈问题，具有重要的实际应用价值。
青岛农业大学
2021-04-13
关于第十届全国大学生光电设计竞赛有关事项的通知
第十届全国大学生光电设计竞赛
第十届竞赛组委会
2022-03-24
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10