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制备结晶氮化碳薄膜的装置
1.项目简介：本设计了一种制备结晶氮化碳薄膜的装置，设有脉冲电弧放电的机构及电路，该电路由高压和电弧产生电路组成；该机构包括基板和与之相连的电加热器，设有半密封箱体，基板、电加热器和电极位于半密封箱体腔内，基板位于电极的下方或四周，设有2条带有控制阀的管道，分别通氮气和溶液，其下端深入半密封箱体腔内，通溶液的管道下端出口处于电极的上方。该装置能高效率、高质量地制备出结晶氮化碳薄膜，能方便地将结晶氮化碳薄膜涂层制备到管径较小的管道内壁，从而有利于结晶氮化碳薄膜的推广应用。项目已获实用国家新型专利权。2.技术特点：该发明解决了氮化碳薄膜低温常压沉积的困难，而且提供了能高效率、高质量地制备结晶氮化碳薄膜的方法及装置。与其它方法相比，该发明的显著特点是：在常压下合成的产品主要为结晶氮化碳薄膜；沉积速率快，在大气环境下产生稠密的含碳、氮等离子体，从而提高了生产效率，利于推广结晶氮化碳薄膜的应用。
武汉工程大学
2021-04-11
高性能氮化镓基电子材料
已有样品/n中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）
中国科学院大学
2021-01-12
一种氮化硅或氮化硅/碳化硅复合粉体的制备方法
小试阶段/n本发明专利采用一种新的合成方法制备了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉体。与传统制备方法相比，此工艺简单，成本低，具有较大的市场前景，为非氧化物耐火材料原料的生产提供了一个新的思路。
武汉科技大学
2021-01-12
感应滤波技术及其工程推广
大功率变流系统的节能降耗长期以来是电气工程领域的研究热点之一，如何实现大功率变流系统的绿色节能是本课题组的追求目标。罗隆福教授创造性的提出感应滤波技术，并基于感应滤波核心技术，对“绿色节能直流电站”专利技术实施了产业化。为进一步扩展感应滤波技术的应用领域，课题组提出了一种非正交解耦理论，并对形成的“集成滤波电感变压器”、“牵引变电站统一电能控制系统（UPMS）”等发明专利实施产业化。
湖南大学
2021-04-11
红外厕位感应器
采用红外自动感应技术，无接触式触发感应，实时监测厕位使用情况
采用红外漫反射的原理探测厕位使用情况，当人或物体进入感应器设定的感应区域，感应器输出信号，人或物体离开感应区域时，感应器则关闭输出，设备使用主动型红外探测，可以有效避免当入厕者在静止状态下无法探测的问题，设备具有精度高、反应速度快、测量范围广、抗干扰型强的特点，设备设计美观大方、安装方便、稳定性高，是搭建智能厕所的较好选择。
产品特点
l RS485通信，数据连接稳定快速
l 外观小巧，壁挂式安装，安装维护便捷。
l 智能非接触感应开关，安全、卫生
l 工作稳定，监测数据精确。
l 感应角度小，测量更准确，不易误报。
l 抗干扰能力强。
南昌桐盛智能科技有限公司
2021-10-28
纳米氮化钒粉体的制备方法
一种纳米氮化钒粉体的制备方法，工艺步骤依次为：(1)前驱体的制备，以V2O5和草酸为原料，V2O5与草酸的重量比为1∶1～1∶3，将所述配比的V2O5和草酸放入反应容器并加水，然后在常压、40℃～70℃进行搅拌，直到V2O5和草酸的还原反应完成为止，还原反应完成后，将所获溶液蒸干即得到前驱体草酸氧钒；(2)前驱体的氨解，将所获前驱体草酸氧钒放入加热炉，在流动氨气氛围中加热至600℃～750℃进行氨解，保温10分钟～3小时后关闭加热炉电源，保持炉内氨氛围，待分解产物冷却至100℃以下取出，即获得纳米氮化钒粉体。
四川大学
2021-04-11
氮化铝薄膜和高频滤波器
高效率制备高品质氮化铝薄膜，并研究应用于 4G、5G 通信(智能手机和基站)的高频滤波器。制备薄膜质量高于现有工艺，制备效率提高十倍以上。作为制备滤波器的关键薄膜性能指标，薄膜的取向性良好（XRD摇摆曲线半高宽2度左右）， 薄膜表面起伏小于 1 纳米；薄膜制备效率比传统工艺提高 10 倍以上
中国科学技术大学
2021-04-14
氮化镓陶瓷薄膜电路的激光直写
LPKF ProtoLaser R4可针对敏感基材实现高精度加工
乐普科（天津）光电有限公司
2022-06-22
氮化镓高压电力电子器件
已有样品/n基于AlGaN/GaN异质结材料体系，通过采用导电机制融合和能带分区调控的先进技术路线改变传统氮化镓肖特基二极管正向电压与反向电流等参数之间的经典调控规律，采用无损伤工艺，提升了器件的均匀性和可靠性，进一步提升了氮化镓肖特基二极管的性能。测试结果达到1700V反向耐压，正向开启电压达到0.38V以及高防浪涌能力，为肖特基二极管器件市场提供了一种新选择。
中国科学院大学
2021-01-12
氮化硅超细粉流态化制备技术
氮化硅陶瓷是一种耐高温耐磨材料，广泛用于冶金、化工、能源等领域，氮化硅粉是制备氮化硅的原材料。实验室提出了一种流态化直接氮化制备超细粉方法，可低成本生产晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大学
2021-04-13