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在二维拓扑材料MoTe2中发现光激发诱导的亚皮秒时间尺度结构相变
MoTe2是由MoTe6八面体结构单元构成的原子层沿c方向堆叠形成的二维材料系统,不同的堆叠方式具有不同晶体对称性。1T-MoTe2在室温时是单斜的1T’相,随着温度降低在250K时发生结构相变,转变成正交的T_d相,其中可以存在第二类外尔费米子。王楠林课题组通过实验发现高强度的近红外激光脉冲可以在亚皮秒时间尺度内将中心反演对称性破缺的T_d相驱动到具有中心反演对称的1T’相。该相变发生的最明显的特征是时间分辨的反射率变化中横向剪切振荡声子的消失和二次谐波强度的急剧下降。通过选择和改变激发脉冲的脉宽和波长,从实验上排除了激光加热效应。该项研究首次在超快亚皮秒尺度内实现了激光诱导的非加热效应引起的MoTe2晶体中第二类Weyl半金属相与正常半金属相的超快结构相变。它为超快激光控制固体的拓扑特性开辟了新的可能性,使超快激光激发的拓扑开关器件具有潜在的实际应用价值。 该工作于2019年5月22日在线发表于著名学术期刊Physical Review X(Phys. Rev. X 9, 021036 (2019)),第一作者为量子材料中心博士生张梦瑶,王楠林教授和其研究组的董涛博士是通讯作者,量子材料科学中心王健教授研究组为该工作提供了样品。该项研究得到国家自然科学基金委员会、国家重点研究开发项目等项目的支持。Figure: Pump induced SHG time traces of MoTe2 at selected fluences at T=10 K. The graph shows that as the laser fluence increases, the signal of the second harmonic of the sample drops significantly. The inset is a time-resolved schematic diagram of second harmonic detection
北京大学 2021-04-11
北京大学物理学院极端光学研究团队在非厄密拓扑光学研究取得重要进展
北京大学物理学院、纳光电子前沿科学中心、人工微结构和介观物理国家重点实验室“极端光学团队”胡小永教授和龚旗煌院士等在非厄密拓扑光子学研究中取得重要进展:发展出一种研究新型增益-损耗畴壁拓扑光学体系的有效哈密顿量新方法,揭示了由增益-损耗畴壁诱导的拓扑态的产生机制。
北京大学 2022-08-26
手持式立磨二维角度测量仪的CCD驱动电路
本实用新型涉及手持式立磨二维角度测量仪的CCD驱动电路,由振荡器、逻辑电路、分频器、N位二进制计数器及门电路构成,其分频器左端与振荡器相连,分频器右端与N位二进制计数器相连,分频器下端连接一逻辑电路,其N位二进制计数器下端连接三门电路,本实用新型的有益效果为:结构应用方便,测量精度准确。
安徽建筑大学 2021-01-12
一种基于模拟开关的电动汽车充电控制导引电路
本发明公开了符合国家标准的一种基于模拟开关的电动汽车充电控制导引电路,属于电动汽车领域,包括供电连接检测模块、电平转换模块以及电平检测模块。根据供电连接检测模块的输出电压,判断供电插头与供电插座的连接状态;电平转换模块以模拟开关为主要器件,接收供电控制装置输出的PWM信号,根据国家标准将其转换为幅值为±12V的PWM信号;电平检测模块保持电平转换模块输出电压峰值,以供供电控制装置采集电压峰值并据此判断充电接口连接状态和车辆控制装置状态,当满足条件时,供电控制装置给电动汽车供电。本发明的电平检测模块具有保持电压峰值和提高负载驱动能力的作用,且本发明采用的器件价格低廉,节省成本,具有推广价值。
青岛大学 2021-04-13
一种基于忆阻的非易失性 D 触发器电路
本发明公开了一种基于忆阻器的非易失 D 触发器电路;包括忆阻器 ME、定值电阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性,实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建 D 触发器不仅具有传统触发器的功能,而且具备响应速度快以及非易失性的特点
华中科技大学 2021-04-14
一种用于连续窄脉冲下的 APD 像元电压读取电路
本发明公开了一种用于连续窄脉冲下的 APD 像元电压读取电 路,设有探测器、可变增益跨阻放大器(TIA)、共模信号采样电路、自 复位比较器和可变增益放大器(VGA)。探测器的输出端连接可变增益 跨阻放大器(TIA)的输入端,可变增益跨阻放大器(TIA)的输出端连接共 模信号采样电路的输入端,以及自复位比较器的一个输入端,以及可 变增益放大器(VGA)的一个输入端,共模信号采样电路的输出端连接 自复位比较器的另一个输入端,以及可变增益放大器(VGA)的另一个 输入端,自复位比较器的输出端为使能信号输出
华中科技大学 2021-04-14
基于忆阻的非易失性存储器、读写擦除操作方法及测试电路
本发明提供了一种基于忆阻的非易失性存储器及其读、写、擦除操作方法以及测试电路;基于忆阻的非易失性存储器电路包括忆阻存储单元、选址开关、控制开关以及分压电路。本电路的设计通过行列地址信号对忆阻存储单元进行选址,通过外加脉冲信号对读、写、擦除操作进行选择,并提供了基于忆阻的非易失性存储器的功能测试电路验证此电路结构的有效性。同时,在此电路结构的基础上,利用忆阻的非易失性原理,探讨了对此基于忆阻的非易失性存储器电路的
华中科技大学 2021-04-14
一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路
本发明公开了一种基于相变存储器的非易失性逻辑门电路,包 括第一相变存储器、第二相变存储器、第一可控开关元件和第一电阻; 第一相变存储器的第一端作为与门电路的第一输入端,第二相变存储 器的第一端作为与门电路的第二输入端;第一可控开关元件的第一端 与第一相变存储器的第二端连接,第一可控开关元件的第二端接地; 第一电阻的一端与第二相变存储器的第一端连接,第一电阻的另一端 接地;第二相变存储器的第一端作为与门电路的输出端。本
华中科技大学 2021-04-14
一种用于IGBT的驱动信号数字处理电路级联系统
本实用新型公开了一种用于IGBT的驱动信号数字处理电路级联系统。通过将集成驱动电路(1)和数字信号处理及控制电路(2)的单个电路级联构成多路驱动与信号处理系统。本实用新型系统仅需一路输入的PWM调制信号即可完成一对IGBT的控制,同时可以使上层控制器用较少的光纤通道获得级联多个驱动板的相关信息反馈,从而简化了控制系统。该系统仅需调整程序下载至信号数字处理电路即可修改相关参数,方便了应用和系统设计工作。在IGBT过流短路以及电路板过电压或欠电压情况下可以将故障信号反馈至信号数字处理芯片,根据故障情况予以相应处理,同时能将故障情况通过光纤通道输出以便进一步处理。该实用新型结构简单、成本低,具有较好的通用性、灵活性以及可靠性。
西南交通大学 2016-10-24
一种非易失性布尔逻辑运算电路及其操作方法
本发明公开了一种非易失性布尔逻辑运算电路及其操作方法, 布尔逻辑运算电路具有两个输入端和一个输出端,包括第一阻变元件 M1 和第二阻变元件 M2;第一阻变元件 M1 的负极作为逻辑运算电路 的第一输入端,第二阻变元件 M2 的负极作为逻辑运算电路的第二输 入端,第二阻变元件 M2 的正极与第一阻变元件 M1 的正极连接后作 为逻辑运算电路的输出端。本发明通过对非易失性布尔逻辑运算电路 进行操作可实现至少 16 种基本
华中科技大学 2021-04-14
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