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一种适用于增材制造的自支撑网状结构拓扑优化设计方法
本发明属于结构优化设计相关技术领域，其公开了一种适用于 增材制造的自支撑网状结构拓扑优化设计方法，其包括以下步骤：(1) 利用 SIMP 材料密度-刚度插值模型，获取[0，1]之间不同层次实体材 料的密度分布，同时得到宏观材料布局形式及宏观位移场；(2)构建基 于参数化水平集方法的优化模型，在宏观材料布局优化的基础上，针 对不同的中间密度单元进行微结构构型拓扑优化，并输出最优细观微 结构构型。上述方法将支撑结构与所设计结构自身相结合，融合了宏 观材料布局优化及细观微结构拓扑优化，避免了在增材制造成型
华中科技大学
2021-04-14
一种适用于增材制造的自支撑网状结构拓扑优化设计方法
本发明属于结构优化设计相关技术领域，其公开了一种适用于 增材制造的自支撑网状结构拓扑优化设计方法，其包括以下步骤:(1) 利用 SIMP 材料密度-刚度插值模型，获取[0，1]之间不同层次实体材 料的密度分布，同时得到宏观材料布局形式及宏观位移场;(2)构建基 于参数化水平集方法的优化模型，在宏观材料布局优化的基础上，针 对不同的中间密度单元进行微结构构型拓扑优化，并输出最优细观微 结构构型。上述方法将支撑结构与所设计结构自身相结合，融合了宏 观材料布局优化及细观微结构
华中科技大学
2021-04-14
一种基于超晶格结构的磁性拓扑绝缘体来实现量子反常霍尔效应
研究表明，陈绝缘体可以通过磁性掺杂的拓扑绝缘体薄膜获得，但是这种方法产生稳定的长程铁磁序比较困难，而且产生的体能隙也比较小，导致可观测温度极低（30-100 mK）。刘奇航课题组及其合作者通过研究本征的层状磁性拓扑材料Mn-Bi-Te家族（MnBi
南方科技大学
2021-04-14
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
深圳博升光电科技半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片
深圳博升光电科技有限公司是由美国工程院院士常瑞华创办的中外合资企业，致力于研究生产用于3D感知领先世界的半导体垂直腔体激光器（VCSEL）光芯片。博升光电的创始团队来自加州大学伯克利分校、斯坦福大学、清华大学等国际知名高校。其中研发团队来自硅谷，工程生产团队来自台湾，市场运营团队来自美国及中国，在产品研发、生产、商业运营等方面经验丰富。博升光电成立后即获得业界顶级投资公司武岳峰资本、力合创投、嘉御资本、联想之星等超过1亿元人民币的A轮融资。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
清华大学
2021-04-10
节能型智能化半导体照明产品开发及产业化
该项目隶属于“天津市科技支撑计划重点项目”，项目将LED照明与光通信技术等结合起来，形成新的技术模式，开发了集照明与光通信为一体的LED系统，设计实现了基于照明LED的高速短距离光通信收发单元，LED室内调光调色照明控制器，基于LED照明的光学无线智能家居控制系统等，实现了通信质量和照明效果的协同优化。 本项目中的产品均属于典型的节能产品，具有很高的技术含量和高附加值，具有节能环保、电磁免疫、经济集约等优点，在上海世博会“沪上.生态家”、“航空馆”以及第七届中国国际半导体照明展览会等展出，获得显著的社会效益，对推动相关产业的发展起到很好的作用。科研团队近年来深入的研究半导体照明和通信技术，在半导体照明技术成果应用与产业化、光电信号转换、光通讯设备、高速光发射接收模块开发等相关领域开展研究工作，并取得突出的成绩，申请了相关的国家级自然科学基金项目，并已获批。
天津职业技术师范大学
2021-04-10
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。 采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材 料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用 额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于 批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具 有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的 应用前景。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14
量子相变研究
研究了二维二聚化量子自旋系统，通过理论分析和高精度的量子蒙特卡洛方法，发现在交错状二聚化量子海森堡模型中，相变临界指数具有新奇的非单调尺寸标度行为。他们通过在有限尺寸标度理论中引入两个驱动场，同时进行大尺寸的计算分析，成功地解释了非单调的量子蒙特卡洛结果，从根源上指出二维二聚化量子自旋系统的相变仍然属于O（3）普适类，适用于量子-经典对应理论。他们的研究表明，在量子相变中可能存在多个驱动场导致的新奇标度行为，需要采用正确的标度理论才会得到正确的结果。在论文中，他们还创造性地提出多参数联动-高阶拟合方法，能极大地提高数据准确度，可以用在不同体系的数据分析中。
中山大学
2021-04-13