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一种托卡马克等离子体破裂能量处理装置及处理方法
本发明公开了一种托卡马克等离子破裂能量处理装置及处理方 法,所述能量处理装置包括压敏电阻、脉冲电容单元、电阻单元、逆 变单元和控制单元;所述压敏电阻、脉冲电容单元、电阻单元依次并 联在直流母线的正极和负极之间,脉冲电容单元的正负极与直流母线 的正负极对应连接;所述逆变单元直流侧输入端的正极连接直流母线 的正极,直流侧输入端的负极连接直流母线的负极。本发明主要应用 于可控核聚变托卡马克等离子体破裂能量处理,具有储能、吸能、耗 能与能量回馈再利用的多重处理功能,可有效的吸收和处理由与等离 子体耦合的线圈
华中科技大学 2021-04-14
一种一体化卤素钙钛矿核电池及其制备方法
本发明公开了一种一体化卤素钙钛矿核电池及其制备方法,其 中该核电池包括一体化同位素—卤素钙钛矿层(4),以及分别位于该一 体化同位素—卤素钙钛矿层(4)两侧的电子传输层(3)和空穴传输层(5); 其中,所述一体化同位素—卤素钙钛矿层(4)是其内部分散有放射性同 位素的卤素钙钛矿材料层,所述放射性同位素与所述卤素钙钛矿材料 层之间为一体化设置。本发明通过对该核电池关键的光电效应材料及 其结构、组成等进行改进,将放射性同
华中科技大学 2021-04-14
牙体硬组织原位修复和递送活性物质用高分子材料
本项目从仿生模拟蛋白质促进牙本质及牙釉质再矿化的角度出发,合成表征一系列具有不同代数及改性基团的PAMAM型树枝状高分子,考察其对牙本质及牙釉质再矿化过程中晶核形成、矿物质沉降和富集的促进作用及其作用机理,包括相关的细胞、动物实验研究。主要研究成果如下: 1.成功合成了磷酸和羧酸改性的聚酰胺-胺树枝状高分子(PAMAM-PO3H2和PAMAM-COOH)。通过体外和体内实验研究发现,这两种改性的PAMAM都能诱导牙本质和牙釉质矿化,修复受损牙体硬组织。 2.成功合成了阿伦磷酸(ALN)改性的羧酸化聚酰胺-胺树枝状高分子ALN-PAMAM-COOH,并通过体外模拟实验及动物实验发现ALN-PAMAM-COOH具有原位诱导牙釉质再矿化的功能,并对HA有强特异吸附和诱导再矿化的功能,且诱导矿化四周后的牙釉质表面硬度可恢复至95.5%,涂层附着力强。 3.在进一步研究中发现,羧酸改性的四代聚酰胺-胺树枝状大分子能同时实现药物缓释和诱导受损牙本质矿化的功能,利用树枝状高分子本身可载药的特点将三氯生载入PAMAM-COOH,制备的复合体系可以吸附在牙本质表面。可实现三氯生的缓慢释放并能同时诱导牙本质矿化,因此该材料同时具有负载活性物质(如抗菌药物)和修复受损牙齿的功能。
四川大学 2016-04-20
催化合成甲基乙烯基二氯硅烷 以制备乙烯基环体
技术原理 :利用乙炔和二氯氢硅合成甲基乙烯基二氯硅烷单体,再将 单体水解、中和、裂解制得乙烯基环体。后者是生产乙烯基硅橡胶、硅油 和硅树脂的重要原料。 技术特点 :解决了硅氢加成反应中催化剂的稳定性及抑制二次加成反 应发生,提高催化剂的选择性(达 96%以上),使该项目首次成功地实现 了产业化。 投资规模 :实现 100 吨/年乙烯基环体,需要有 500M2 以上的生产厂 房
南昌大学 2021-04-14
一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片
本发明公开了一种双模一体化红外面阵电控液晶微透镜芯片,包括双模一体化红外面阵电控液晶微透镜和驱控信号输入端口,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜为 m×n 元,其中,m、n 均为大于 1的整数,双模一体化红外面阵电控液晶微透镜采用液晶夹层结构,且上下层之间顺次设置有第一基片、第一平板电极层、第一电隔离层、图案化电极层、第二电隔离层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第三电隔离层、第二平板电极层、第二基片,第一平板
华中科技大学 2021-04-14
一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关
本实用新型涉及电子通信技术,具体涉及一种 VHF 电离层不均匀体探测系统收发开关,包括发射 端、接收端、天线端和电源;包括与所述电源连接的驱动电路、低通滤波器以及拓扑结构;所述驱动电 路利用二极管 PIN 为核心器件,采用 MOS 管驱动二极管 PIN;所述低通滤波器采用二阶 LC 低通滤波 器;所述拓扑结构是在发射端至天线端与天线端至接收端采用串并拓扑结构形成单刀双掷开关。该收发 开关满足单根天线实现收发切换的要求,插入损耗小且隔离度较高,结
武汉大学 2021-04-14
大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工方法
本发明公开了一种金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工 方法,该方法首先采用射频振荡产生等离子体磁流体通道,对待抛光 加工的金属表面凸起部位进行脉冲放电,产生的等离子弧经过磁流体 通道后,得到强度和密度增强的等离子弧,该增强等离子弧对金属表 面凸起部位进行轰击,使该部位形成阳极斑点后蒸发去除,并通过放 电极性的调节实现去除凸起的光亮化,实现该位置的抛光加工。本发 明方法解决了常规金属表面抛光方法的加工效率低、易产生加工应力 和表层损伤等问题。能够在大气压下进行,可实现粗抛、细抛和精抛, 不需要在金属抛光表面涂上任何研磨液和化学反应物,精密化抛光后 形成的表面粗糙度小,可达到 Ra0.2μm。
华中科技大学 2021-04-13
一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法
本发明涉及一种硼化锆-碳化硅超细复合粉体及其制备方法。其技术方案是:先将64——85wt%的卤化物粉、4——15wt%的氧化锆粉、2——5wt%的氧化硅粉、2——6wt%的氧化硼粉、0.3——1.1wt%的炭粉和6——10wt%的镁粉混合均匀,机压成型;再将成型后的坯体置于电炉中,在氩气气氛和升温速率为2——8℃/min的条件下升温至1000——1250℃,保温2——6小时,将烧成后的坯体用蒸馏水洗涤,然后放入浓度为1.0——4.0mol/L的盐酸中浸泡3——8小时,过滤,用去离子水清洗,在80℃条件下干燥11——24小时,粉碎,即得硼化锆-碳化硅超细复合粉体。本发明具有反应温度低、反应时间短、过程易于控制、工艺简单、产率高的特点;其制品分散性好、颗粒团聚小、成分均匀、纯度高和产业化前景大。 (注:本项目发布于2014年)
武汉科技大学 2021-01-12
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云幻教育科技股份有限公司 2021-08-23
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深圳市中银科技有限公司 2021-08-23
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