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SFY-MS系列实验室全自动不锈钢机械搅拌发酵罐
产品详细介绍适用范围:  该系列产品适用于各种微生物小型发酵的实验,设备具有稳定性好、操作方便、等特点。可根据发酵工艺不同采用不同结构与造型,多级发酵含有种子罐和发酵罐。技术参数: 型  号 SFY-MS-5           SFY-MS-20              SFY-MS-50 公称体积 5L        10L        15L         20L        30L         50L       70L 装液系数 65-75% 罐体材质 SUS316L/SUS304 搅拌方式 平叶/斜叶/弯叶/轴向流桨叶 驱动方式 顶部机械搅拌 密封方式 特殊机械密封 结构方式 欧式框架 灭菌方式 在位灭菌 控制方式 DCS控制系统,采用集成控制,液晶显示操作界面。 设备特点 在位灭菌,安全可靠、特殊机械密封、大视镜观测清晰、多种形式的接种方式、美观大方、拆装容易。
常州新区三环生物工程成套设备有限公司 2021-08-23
一种用于内燃发电增程式电动车的整车能量管理控制器
本发明公开了一种用于内燃发电增程式电动车的整车能量管理控制器。本发明中的微控制器MCU利用自身功能端口,通过ICE负荷调整电路检测和控制内燃机ICE,通过ISG整流与逆变电路检测和控制起动发电一体机ISG工作;通过蓄电池SOC、驱动需求功率检测电路读取当前蓄电池充放电状态、驱动电机及其控制器放电状态;通过双向DC/DC电路调整增程器和蓄电池两端电压比,优化增程器内燃机运行工况;控制器电源调整电路为控制器中各模块提供所需工作电源。本发明可根据当前蓄电池的剩余电量水平和整车驱动需求功率起停增程器、调整增程器输出功率和运行工况、协调蓄电池充放电管理,在整车能量管理上实施最优控制。
浙江大学 2021-04-11
一种高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜及其制备方法,该透明薄膜综合性能优异,具有高力学强度、高弹性、高可见光透过率、低雾度、耐寒性好、耐水抽出、抗静电效果长期稳定等综合性能优异等特点,由于配方不使用PNBR等高成本的原料,配方相对简单、制备工艺简化,有效降低了该功能薄膜的制造成本。本发明的高强度抗静电增塑聚氯乙烯透明薄膜,其由以下质量配比的原料制成:聚氯乙烯树脂100份、抗静电剂增塑剂30~45份、非抗静非耐寒型增塑剂10~25份、耐寒增塑剂10~15份、离子液体聚合物2.0~3.5份、液体复合热稳定剂1.0~1.5份、加工助剂0.5~1.5份、润滑剂0.3~0.5份。
南京工业大学 2021-01-12
气动摩擦离合制动器温升弹性力自动补偿钛簧的制 备方法
气动摩擦离合制动器主要用于锻压设备、印刷机械、纺织机械、造纸机械 等传动系统的接合、分离与制动,尤其适用于与高速数控机械配套。如高速数 控压力机,由于速度快,惯性大,离合器必需具备瞬间离合,快速制动的性能。
山东大学 2021-04-13
纳米多层类金刚石(DLC)薄膜提高发动机给油系统摩擦副寿命
目前我国开始发展单体泵燃油喷射系统以使发动机的排放达到欧III排放标准,这对于我国节约能源、保护环境、降低车辆运输成本等具有重要意义。本项目开发对单体泵内的关键零件—柱塞进行表面改性的工业化应用技术,使表面改性处理的柱塞不仅具有优异的耐磨寿命(显著优于表面覆有TiN薄膜的柱塞),同时具有很低的摩擦系数(为TiN薄膜的~1/6),使柱塞/泵体摩擦副均具有高度的寿命水平和保持长期精度。
西南交通大学 2021-04-13
先进交通运输装备用高性能粉末冶金摩擦材料制备与应用技术
中南大学 2021-04-14
纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的制备
氧化铟锡(indium-tin-oxide)简称ITO,ITO靶材是一种功能陶瓷材料,主要用于制造ITO透明导电膜玻璃。以金属铟、锡为原料采用共沉淀法制备出纳米级ITO复合粉体。粉体造粒成型后分别采用加压和常压烧结法制备出相对理论密度大于99.5%、氧化铟单一相的ITO靶材。 粉体纯度大于99.99%、颗粒分散性好,粒径10nm—80nm之间可控,BET比表面积30~60m2/g ,In2O3:90.0±0.5%,SnO2: 10.0±0.5%;ITO靶材相对理论密度99.5%。 威海市蓝狐特种材料有限公司已采用该技术建设年产20吨纳米级氧化铟锡复合粉体生产线,采用该粉体烧制的ITO靶材相对理论密度达到99%以上。国内相对理论密度大于99%的ITO靶材主采用进口产品。 金属铟、锡是我国的优势资源,生产设备都是定型通用设备,年产20吨纳米级氧化铟锡粉体和高密度ITO靶材的生产厂需要人员50名。纳米级氧化铟锡粉体制备已建设年产20吨生产线。高密度ITO靶材的制备已完成实验室小试。
北京化工大学 2021-02-01
半导体辅材用多晶硅中碳、氮杂质的分离去除技术
伴随着我国半导体行业的迅速崛起,硅电极作为光刻设备上承载硅基圆的重要辅材,其需求日趋增加。同时,基圆尺寸的不断增加使得硅电极逐渐由单晶硅电极转变为多晶硅电极,然而多晶硅制备过程中不可避免存在C、N杂质的污染,导致其基体中存在大量弥散分布的SiC、Si3N4硬质颗粒夹杂,严重影响了多晶硅电极的使用性能。 传统制备技术下,设备热场结构单一,熔体流动性差,导致SiC、Si3N4杂质循环溶解—析出,难以有效分离。本项目团队前期利用电子束精炼技术去除硅中的蒸发性杂质(P、 O、N);利用电子束诱导实现多晶硅的定向凝固,进而分离硅中的金属杂质;基于电子束冷床效应分离硅中的SiC、Si3N4硬质颗粒,并揭示硬质颗粒与硅基体间的位相关系;基于上述研究开发出了多晶硅电极的制备工艺,可应用于刻蚀等半导体制造等领域。 本项目预期可以为半导体行业中硅电极生产制造企业提供稳定的技术支持,具有很好的生产示范性,实现高新技术产业化。该技术能够有效地降低生产过程中的能耗,是一种低成本、环境友好的生产方法,属于节能、环保的绿色制造技术。该技术的大规模应用和推广,可大幅增加就业岗位,提高企业的市场竞争力,保护环境。
大连理工大学 2021-05-10
单畴超导块材Gd-Ba-Cu-O 的制备与其超导性能的研究
直径为25 mm的YBa2Cu3O7-δ(Y123)单畴超导块材在温度为77K时,捕捉磁场高达4 T;而在29 K时,捕捉磁场甚至达17 T,优越的性能促进了该类超导材料在电机、发电机、工业污水处理、医学核磁共振等方面的应用研究。 本课题以通过熔融织构方法生长高性能的单畴超导块材作为研究对象,选择合适的单相氧化物作为第二相生长GdBa2Cu3O7-δ超导块材。在制备的高质量系列样品的基础上,通过低温磁性测量分析临界电流密度随温度及掺杂量的变化曲线;分析微观结构,揭示第二相、缺陷等对超导性能影响的原因。以期找出提高超导块材性能的合理生长方法,对其微观机制给出尽量圆满的解释。这也为澄清与当前超导材料前沿课题紧密相关的一些基本问题的理解提供基础研究资料。 该项目已获国家自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域,具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤:将超高纯铝板材于50℃~300℃下热轧,道次压下量控制在40%~50%;将热轧后的超高纯铝板材在100~300℃温度下保温0~1小时;然后进行冷轧,道次压下量控制在40%~50%,通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升,抑制板材的
东南大学 2021-04-14
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