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基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
“虚拟工艺”软件可由标准工艺流程文件和掩膜版图文件,模拟出所要加工的MEMS器件的真实三维结构,具有良好的通用性和精度。下图为自主开发的“虚拟工艺”软件生成的微夹钳三维结构。 “虚拟运行”软件对器件的运动情况进行仿真,并与最初设计方案比较来指导和修正实际加工。下图显示了微夹钳的虚拟运行结果,图中的器件颜色表示了器件运动时的剧烈程度,红色表示变形最剧烈的部分,淡蓝色表示变形较小的部分。
南开大学 2021-04-14
基于IP库的通用MEMS器件可视化仿真与验证工具
项目的背景及目的 迄今为止,集成电路的模拟、仿真直至评测已有了非常完善的工具软件;并已成为设计过程的重要组成部分;对设计的成功、可靠、高效都已起到决定性作用。而对MEMS而言,还相差甚远,这和MEMS发展的成熟程度有着直接关系。当然,这并不意味着MEMS不需要这样的工具和系统。相反,由于MEMS的功能多样、加工复杂、分析困难、设计周期长、成本高等。特别需要一个能包括运动仿真、评测在内的设计工具和系统。这是当前推动MEMS发展的当务之急。
南开大学 2021-04-14
沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备
本发明提供了一种沟道的刻蚀方法,提供一待刻蚀对象,对所述待刻蚀对象一次刻蚀后,交替进行表面处理‑二次刻蚀,直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层;其中,一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层;表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层;所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层,以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤,既实现了对沟道层的保护,又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中,减少沟道层的损失量。
复旦大学 2021-01-12
清洁能源实验箱
宁波浪力仪器有限公司(余姚市朗海科教仪器厂) 2021-08-23
高可靠忆阻器件及其视听觉传感应用
        技术成熟度:技术突破         传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成,不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本,忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。         研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题,是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理,进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会,促进了其在未来神经形态传感领域的应用。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件
本发明公开了一种可调控的空间电磁感应透明超材料器件。该 器件包括基板和位于基板上的能产生电磁感应透明现象的金属单元阵 列;所述金属单元阵列包括多个阵列分布的金属单元,所述金属单元 包括第一金属微结构和第二金属微结构,所述第一金属微结构包括第 一金属图形,所述第二金属微结构包括第二金属图形,所述第一金属 微结构和/或所述第二金属微结构还包括半导体元件。本发明能有效解 决现有技术中不能简单快速地对电磁感应透明超材料的工作
华中科技大学 2021-04-14
基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法
本发明属于半导体存储器技术领域,具体为一种基于二维材料的超短沟道非易失闪存器件及其制备方法。本发明通过原子级薄层沟道和栅叠层设计降低特征长度,从而促进器件尺寸微缩;该器件通过能带设计和范德华堆叠高质量界面降低隧穿势垒,实现十纳秒级编程/擦除速度和非易失特性;器件的短沟道通过垂直沉积和倾斜沉积两步法工艺实现,且沟道长度能够通过改变电极厚度和沉积角度来调控。本发明能在不使用先进光刻技术前提下,实现亚10nm沟道长度,突破硅基闪存器件的沟道长度微缩瓶颈,为新型高速非易失存储器的高密度集成提供新解决方案。
复旦大学 2021-01-12
能源消费与碳排放现状、预测及低碳发展路径选择研究
北京工业大学 2021-04-14
有机薄膜电致发光器件
自1987年美国柯达公司的邓青云C.W.Tang等人报导了有机电致发光以来,在全世界范围兴起了一场有机薄膜发光二极管研究热潮。有机薄膜发光二极管具有主动发光、响应快、全固体化、容易实现彩色化和驱动电压低等独特的优越性,是很有潜力的平板显示器,它将取代现在统治市场的液晶显示器。然而高亮度、长寿命和高效率的有机电致发光器件是人们一直梦寐以求的。 有机电致发光器件虽然发展非常迅速,发展规模也是空前的。但是为了得到高亮度、高效率和长寿命的有机电致发光器件,人们对有机电致发光中的一些问题并没有很好的解决,如由于目前空穴和电子传输层材料和制备工艺的限制,用普通有机电致发光器件的结构:ITO/空穴传输层/有机发光层/背电极,有如下一些问题:发光层与电极之间的互扩散,没有足够高的空穴和电子迁移率,以及注入的空穴与电子不够平衡等。这些问题限制了有机电致发光器的进一步改善,成为有机电致发光器件发展的重要瓶颈,无法制备性能优异的有机发光器件。 技术特点: 对有机薄膜电致发光器件的结构和电子传输层材料进行改进,从而有效提高有机薄膜电致发光器件的亮度、效率和寿命。 技术特点:是在透明电极上,依次制备空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子电势补偿层和背电极所组成薄膜结构有机电致发光器件,其特征在于:在有机发光层与电子电势补偿层之间加入电子传输层,电子传输层采用宽禁带无机材料。 该器件在有机发光层与电子电势补偿层之间加入无机电子传输层这种结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的扩散,注入的空穴与电子的不够平衡等,使有机电致发光器件的发光亮度,效率和奉命得到提高。
北京交通大学 2021-04-13
纳米结构光电器件
中试阶段/n该项目是采用纳米级别的加工制造技术制作具备纳米级尺度并且带有一定功能的光电子器件。纳米光电子器件的工作效率更快,能耗更低,具备强大的信息储存量,且体积和重量明显的变小。随着光电器件在通信、照明、传感器等领域上的运用,纳米光电器件的制备技术已经受到越来越重要的关注。该项目实现了一种低成本、大面积、易操作、高效的纳米结构制备工艺方法,可实现在各种材料表面纳米结构(50-500nm 直径纳米孔、纳
华中科技大学 2021-01-12
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