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一种电话通信网络中节点敏感性排序的方法
本发明提供一种电话通信网络中节点敏感性排序的方法
电子科技大学 2021-04-10
通信感知一体化氮化镓光电子集成芯片
研究背景 芯片是人类最伟大的发明之一,也是现代电子信息产业的基础和核心。小到手机、电脑、数码相机,大到6G、物联网、云计算均基于芯片技术的不断突破。半导体光刻工艺水平的发展是以芯片为核心的电子信息产业的基石,目前半导体光刻的制造工艺几乎是摩尔定律的物理极限。随着制造工艺的越来越小,芯片内晶体管单元已经接近分子尺度,半导体制作工艺的“瓶颈效应”越来越明显。随着全球化以及科技的高速发展,急剧增长的庞大数据量要求数据处理模型和算法结构不断优化升级,带来的结果就是对计算能力和系统功耗的要求不断提高。而目前智能电子设备大多存在传输瓶颈、功耗增加以及计算力瓶颈等现象,已越来越难以满足大数据时代对计算力与功耗的需求,因此提高运算速度同时降低运算功耗是目前信息工业界面临的紧要问题。 如当年集成电路开创信息时代一样,当下已经普及的光通信正在成为新革命力量的开路先锋。与此同时,光子芯片正在从分立式器件向集成光路演进,光子芯片向小型化、集成化的发展趋势已是必然。相对于电子驱动的集成电路,光子芯片有超高速率,超低功耗等特点,利用光信号进行数据获取、传输、计算、存储和显示的光子芯片,具有非常广阔的发展空间和巨大的潜能。 项目功能 本项目瞄准光通信关键技术及核心芯片,基于量子阱二极管发光探测共存现象,探索关键微纳制造技术,研制出可以同时实现通信、感知功能的一体化光电子芯片。 技术路线 一、技术原理及可行性 本项目主要负责人王永进教授发现如图1所示的量子阱二极管发光探测共存现象,首次研制出同质集成发射、传输、调制和接收器件的光电子芯片,这些原创工作引起了业界相关科研小组地广泛关注,化合物半导体同质集成光电子芯片成为研究热点。香港大学的蔡凯威小组和申请人合作提出湿法刻蚀和激光选择性剥离技术,在蓝宝石氮化物晶圆上实现LED基同质集成光电子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉国王科技大学Ooi教授和美国加州大学圣巴巴拉分校Nakamura教授小组在蓝宝石氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院苏州纳米所孙钱小组在硅衬底氮化物晶圆上,研制出基于氮化物激光器的同质集成光电子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK调制方式下,InGaN/GaN量子阱二极管可实现Gbps的光发射、调制和探测速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。这些工作表明研发基于光子传输的化合物半导体同质集成光电子芯片以实现片上光子通信是可行的。   二、总体结构设计及工艺流程 本项目提出的同时通信/感知一体化光电子芯片基于常规的蓝宝石衬底氮化镓基多量子阱LED外延片进行设计,无需特殊定制的外延结构。以典型的2寸氮化镓基蓝光LED外延片为例,其外延片结构如图2所示,从下至上依次为蓝宝石衬底、AlGaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱层和P型GaN层,通过调节InGaN/GaN多量子阱层的参数(层厚度与In的比例等等)可制备具有不同中心波长的光源器件。   图3为本项目所提出的同时通信/感知一体化光电子芯片结构。在蓝宝石衬底的氮化物晶圆上通过刻蚀和沉积等一系列晶圆级微纳加工技术,制备出单片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N电极可以采用倒装技术直接与基板相连,光线从透明的蓝宝石衬底发出,这样不仅使得器件具有优良的电性能和热特性而且简化了其后期的封装工艺。 三、技术创新优势 1、同一块晶圆上集成LED和PD使得两者间距离大大缩短,不仅有助于增强PD对蓝宝石表面反射光线的耦合,提升感知系统性能,而且缩小了器件整体外形,符合集成电子器件小型化、便携化的发展趋势; 2、单片集成的LED和PD器件相比于传统异质的、分立的LED和PD简化了封装形式和工艺,不再需要对LED和PD进行单独的封装,而且同质集成器件的基板也较异质结构的简单统一,极大地缩短了集成系统的制作周期; 3、同时通信/感知一体化光电子芯片采用相同的工艺就可以制作出LED和PD,简化了生长异质材料的复杂性,缩短了器件流片的周期,使用同一工艺就可将LED和PD进行批量生产,有效地降低了生产成本。 四、实验验证 本项目团队所在的Peter Grünberg研究中心拥有完整的LED器件制备、光电性能测试与电学性能测试平台,并且项目成员积累了丰富的测试技术与经验,能够满足本项目的同时通信/感知一体化光电子芯片测试同时表征光电参数与电学参数的需求。下图4所示为器件形貌表征图,从左边依次是扫描电镜图、光镜图、原子力显微镜图。   基于通信感知一体化芯片,本项目利用单个多功能集成器件成功实现了对人体脉搏的监测功能,如图5所示。   另外基于通信感知一体化氮化镓光电子芯片,我们还实现了照明、成像和探测功能为一体的LED阵列系统,如图6所示。该系统可以在点亮照明的同时,实现对外界光信号的探测与感知,通过后端系统处理后,再将信息通过阵列显示出来,实现多种功能的集成。 项目负责人王永进教授是国家自然基金委优秀青年项目、国家973项目获得者,他以第一或通讯作者身份在Light-Sci Appl.等主流学术期刊发表一系列高质量研究论文,获授权中国发明专利23项,美国发明专利2项,被National Science Review、Semiconductor Today等做9次专题报道,荣获2019年中国电子学会科学技术奖(自然科学)、2019年南京市十大重大原创成果奖等。
南京邮电大学 2021-05-11
一种对多天线通信系统的天线通道进行刻度的方法
本发明公开了一种对多天线通信系统的天线通道进行刻度的方 法,属于大规模 MIMO 无线通信技术领域。本发明在刻度辅助系统的 存在下,待刻度的大规模 MIMO 系统通过与刻度辅助系统进行上、下 行的信道估计,待刻度的大规模 MIMO 系统利用上行的估计信道和刻 度辅助系统反馈而来的下行估计信道来对自身的天线通道进行刻度。 本发明能够有效解决 TDD 双工模式下,大规模 MIMO 系统的上、下 行信道不满足理想互易性的问题,而且不需要在待刻度系统端增加额 外的硬件开销,且辅助系统不必与待刻度大规模 MIMO 系统完全时钟 同步、频率同步。
华中科技大学 2021-04-11
一种全双工中继系统的通信方法及全双工中继系统
本发明公开了一种全双工中继系统的通信方法及全双工中继系 统,在时隙 t=1,由信源 S 以功率 PS 向全双工中继节点 R 发送信号 x(t),由 R 对 x(t)进行接收并解码;在时隙 t+1,若 R 解码成功,则 R 以功率 PR 向信宿 D 发送解码成功的信号 x(t),且 S 以 PS 向 R 发送产 生的新信号 x(t+1),由 R 在信号 x(t)的环路自干扰下对信号 x(t+1)进行 接收并解码;在时隙 t+1,若 R 解码失败,则 S 以 PS 向 R 发送产生的 新信号 x(t+1),由 R 对信号 x(t+1)进行接收并解码,其中,PS、PR 由 基于信息-干扰耦合特性的自适应功率分配策略或者基于信息-干扰耦 合特性的联合信源-中继功率分配策略确定。本发明通过合理分配信源 和中继的发射功率,达到系统在满足目标中断概率的条件下,提升系 统能效的目的。
华中科技大学 2021-04-11
一种基于平均场博弈的移动通信基站能效优化方法
本发明公开了一种基于平均场博弈的移动通信基站能效优化方 法,属于无线通信技术领域。本发明方法用基站发送功率的产出投入 关系来定义系统的能量效率,结合平均场博弈的能量效率优化算法, 通过数学推导得出了每个基站的最优控制策略应满足的方程组,求解 得到最优化基站发送功率,从而提高基站的能量效率,本发明方法有 效针对提出的功率控制策略的大规模网络,采用本发明方法能效保持 稳定,且能量效率大于采用固定发射功率策略。
华中科技大学 2021-04-11
多输入多输出蜂窝通信系统中下行多用户中继传输方法
一种多输入多输出蜂窝通信系统中下行多用户多中继传输方法。其步骤主要是:A、第一个时隙,基站进行汤姆林森-哈拉希玛预编码,将数据传输给所有中继及基站服务用户。B、基站服务用户检测与中继放大:在第一时隙内,接收到信号的基站服务用户检测出原始的数据信息,中继将接收数据进行直接放大;C、第二个时隙,基站与中继进行基于干扰对齐预编码,基站传输一个新的符号给一个新基站服务用户,而中继则将放大转发的数据进行预编码发送给所有中继服务用户;D、第二个时隙的检测:在第二个时隙接收到数据的基站服务用户与所有中继服务用户检测出发送信号。该法对空分信道的自由度利用充分,频谱利用率高,系统开销低,系统定时亦不敏感。
西南交通大学 2016-10-19
蜂窝移动通信网络覆盖的多小区联合优化方法及其装置
本发明公开了一种蜂窝移动通信网络覆盖的多小区联合优化方法及其装置;本发明的方法包括:收集目标区域内各基站位置信息;对目标区域进行栅格划分;测量各基站到各栅格点的传播损耗;遍历发射总功率、天线电参数组合,统计不良覆盖比;挑选使不良覆盖比最小的组合,馈送最优激励电流至各天线。本发明的装置包括:信息收集模块、栅格化处理模块、传播损耗确定模块、遍历求解模块和挑选模块。本发明通过优化阵列天线的方向图和发射功率来实现面向实际传播环境的网络覆盖的多小区联合优化,使得整个目标区域的不良覆盖最少;既可用于面向实际传播环境的网络覆盖的多小区联合优化,也可以用于对个别小区的不良覆盖进行单独纠正。
浙江大学 2021-04-13
青岛科恩锐通信息技术股份有限公司
青岛科恩锐通信息技术股份有限公司,是由“青岛市杰出青年”、“山东省五四青年奖章”获得者万滨创办,主要从事无线通信、GPS卫星定位、红外热像、图像识别等产品及系统的设计、开发、集成和销售的高新技术企业和整体方案提供商。 青岛科恩锐通信息技术股份有限公司秉承“科学管理、技术创新、开拓进取、优质服务”的经营理念,严格遵照GB/T19001-2008 ISO9001_58_2005IDT国际质量认证标准,以高新技术研发为核心,以规范、标准、专业、完善的系统服务体系为依托,不断为客户提供拥有自主知识产权的系统解决方案。公司是青岛市的高新技术企业,拥有自己独立研发的多项软件著作权、专利、发明等知识产权。 青岛科恩锐通信息技术股份有限公司是美国MOTOROLA公司的战略合作伙伴。并自主设计开发有TRBOSTAR系列便携式数字无线应急通信系统(专利)、数字无线通信调度系统、350兆警用无线通信系统、同频同播无线通信系统以及分布式数字短波集群通信系统。公司与全球大的红外热像仪和无线通讯系统厂商长期保持密切技术合作,通过自主创新、自主设计,研发了多种红外热像识别产品,这些系统是多领域、多学科、多专业的高度集成,是引进消化吸收再创新的集中体现,是长期技术积累的结果。 公司为适应业务高速发展需要,高薪诚聘有识之士,共谋发展!公司提供优厚的福利待遇、免费的培训学习机会、广阔的提升的发展平台。
青岛科恩锐通信息技术股份有限公司 2021-06-15
压接型IGBT器件封装的电热力多物理量均衡调控方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学 2021-05-10
一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法
本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法,具体地说,是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法,属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤:清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜,得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向:半导体发光与显示领域技术创新:本发明具有如下的有益效果:器件结构简单,无污染,制备成本低;不需要荧光粉,发光效率高;发光性能稳定,光谱波长范围宽。
江苏师范大学 2021-04-11
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