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一种基于附加交变电压的无气隙传感器电磁吸力悬浮控制方法
"本发明公开了一种基于附加交变电压的无气隙传感器电磁吸力悬浮控制方法,采用在悬浮电磁铁线圈闭环控制电压中掺杂具有一定特征的交变电压,施加在悬浮电磁铁线圈,在线圈中得到含有相同特征的分量的电流,根据输入掺杂的特征交变电压和线圈电流中具有相同特征的电流分量辨识出悬浮电磁铁线圈电感,通过电感得到悬浮电磁铁气隙,使用此气隙值进行闭环控制。由于不采用气隙传感器,可以大大简化系统,通过附加线圈得到的电感可以反映真实的悬浮气隙,本发明可以降低磁浮列车系统轨道精度要求,也不会由于气隙传感器的测量不准确导致系统控制不稳定,可以比较好的解决磁浮列车过轨缝、齿槽效应等问题,具有可靠性高、成本低,安全可靠等优点。 "
西南交通大学 2016-07-05
一种交流无刷双馈电机及其齿谐波绕线转子分布绕组的设计方 法
本发明公开了一种交流无刷双馈电机及其绕线转子绕组的设计 方法;包括:先根据定子绕组极对数 p1 和 p2 初步确定转子齿槽数 Zr 和相数 mr,这时 Zr=mr,每个齿对应一个集中式线圈,由此得到齿谐 波集中式绕组,然后扩大转子槽数,选择系数 kr,使新的转子槽数 Z =krZr,这时极距τr=kr。此基础上,将原来的每相一个集中式线圈 分裂为 nr 个等节距 yr 的线圈,且 nr≤kr 及有 yr&lt、τr,这 nr 个线 圈依次间隔αr 槽距角分布在转子槽内,再通过调整 kr 和
华中农业大学 2021-04-14
MXY5008光纤耦合及光无源器件参数测试与 光纤端面处理熔接实训系统
一、产品简介        光纤通信作为一门新兴技术,它具有容量大、中继距离长、保密性好、不受电磁干扰和节省铜材等优点。近年来发展速度快,已被广泛应用到军事通信、民用通信等各种领域,是世界新技术革命的重要标志和未来信息社会中各种信息的主要传送工具。在光纤的使用过程中,光纤线路的耦合对于其中光功率的传输至关重要。其中存在着两种主要的系统问题:1、如何从多种类型的发光光源将光功率耦合进一根特定的光纤;2、如何将光功率从一个光纤发射出来后经过特定的装置耦合进另外一根光纤。光无源器件是光纤通信设备的重要组成部分。它是一种光学元器件,也是其它光纤应用领域不可缺少的元器件。该实验仪重点介绍了常用的光无源器件的相关参数及测试方法。为此公司研制出本实验系统,让学生了解和认识光纤耦合的相关参数和特性、光无源器件的相关参数及测试方法等,通过实验平台的搭建,可以让学生更深刻的了解,也能锻炼学生校准光路等方面的动手能力,是学校金工实习(工程实习)与工程检测的不二之选。 二、实验内容 650nm激光器与光纤耦合实验 1550nm光纤激光器与光纤耦合实验 相同模式光纤之间耦合实验 不同模式光纤之间耦合实验 光源与显微物镜及准直器耦合特性对比实验 光纤转换器测试实验 光纤变换器测试实验 光纤耦合器测试实验 光纤隔离器特性测试实验 波分复用器和解复用器测试实验 可调光纤衰减器测试实验 光纤机械光开关特性测试实验 光纤偏振控制器特性测试实验 光纤偏振分束器(PBS)性能能参数测试实验 不同种类光纤、光缆及光器件认知和操作实验 熔接机原理及使用实训操作实验 剥纤、清洁、切纤及光纤接续实训操作实验 手动模式下,光纤熔接实训实验 自定义模式下,光纤熔接实训实验 光纤端面处理基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光纤耦合技术基本操作实验 光功率耗损法对光纤熔接质量测试 三、实验配置参数 1、光源:波长1310±20nm,1550±20nm;输出功率:1-2.5mw,连续可调;输出端口:FC/PC;稳定性<0.5db(5h);光源类型:LD光源; 2、光功率计:波长范围800-1700nm;输入接口:FC 校准波长:1550nm,1310nm; 3、偏振控制器:插入损耗<0.05dB;消光比>40dB;回波损耗>65dB; 4、光纤机械光开关:插入损耗:1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ,P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波损耗>50dB ;开关速度:≦8ms ; 5、高隔离度光纤隔离器:最大插入损耗:0.35dB ;回波损耗:≧50dB ;隔离度:≧30dB ; 6、光纤耦合器:分光比:50% : 50% ;最大插入损耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纤波分复用器:隔离度:1310nm :31.8% ;1550nm :34%;插入损耗:1310nm :0.30%;1550nm :0.34% ; 8、光纤可调衰减器:0-30db可调; 9、软件:配套仪器使用,数据采集处理; 10、光纤熔接机:适用光纤:SM (单模), MM (多模), DS (色散位移)光纤, NZDS (非零色散位移,即G.655光纤),BIF/UBIF(G.657); 光纤切割长度:8-16mm, 被覆光纤直径250µm,16mm,被覆光纤直径250µm-1000µm;平均接续损耗:0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS);显示:高性能5.6英寸彩色LCD显示屏,提供清晰的数字图像显示;电极寿命:2500次;锂电池容量:典型熔接250次,充电时间3小时,可在充电时使用;电源:交流适配器输入电压100-240V  50/60Hz,输出电压:DC13.5V /5A,直流输入电压11.1v ( 内置锂电池8800mAh ); 四、实验目的  1、了解光纤连接器及其原理、种类,实验操作进行连接器参数测量; 2、掌握光纤头平端面的处理技术。 3、掌握光纤之间的耦合、调试技术,了解光纤横向和纵向偏差对光纤耦合损耗的影响。 4、掌握光纤熔接的基本技术。 5、熟悉光纤型号及结构,掌握其装配方法、使用环境及保护措施等;
天津梦祥原科技有限公司 2021-12-17
工信部等八部门联合印发《“十四五”智能制造发展规划》
智能制造是制造强国建设的主攻方向,其发展程度直接关乎我国制造业质量水平。发展智能制造对于巩固实体经济根基、建成现代产业体系、实现新型工业化具有重要作用。
工信微报 2021-12-28
一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造方法
本发明公开了一种铝合金周期性点阵多孔结构的快速成形制造 方法。通过 CAD 软件构建基于点阵单元的周期性点阵多孔结构的三维 模型,将模型以 STL 格式输出,导入到 SLM 成形设备中,激光束根 据切片层的数据选择性地熔化区域内的铝合金粉末得到二维的金属结 构,经层层堆积最终可以得到与 CAD 模型一致的三维铝合金多孔结 构,再经过热处理、分离、喷砂等后续处理即可得到表面光洁、性能 良好的铝合金周期性点阵多孔结构。本
华中科技大学 2021-04-14
一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法与设备
本发明公开了一种具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及设备。方法根据待成形金属构件切片轮廓形状确定成型缸的内部 结构,使各铺粉层的金属粉末尽量只处于待成形金属构件切片轮廓形 状对应的区域,以大幅度减少金属粉末的用量,并提高高能束增材制 造的功效。设备包括一个或多个成型缸,该成型缸的内部结构与待成 形金属构件切片轮廓形状相匹配。本发明通过使用镶块以及与金属构 件切片轮廓形状相适应的异形基板,实现了针对不同金属构件
华中科技大学 2021-04-14
一种用于高能束增材制造的温度场主动调控系统及其控制方法
本发明公开了一种梯度温度场主动调控系统及其控制方法,系 统由温度场监控系统、加热系统和控制系统;温度场监控系统用于测 量成形区域 XOY 平面及四周的温度场信息,将获得的温度场信息进行 量化处理后反馈给控制系统,加热系统根据控制系统指令对成型缸的 底部和四周进行温度场的分区独立实时调节,以实现在加工过程中整 个加工区域的温度场恒定,保证已加工区域与未加工区域处于合理的 温度梯度,避免热应力导致构件翘曲、变形、开裂。本
华中科技大学 2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO<sub>2</sub>薄膜、2)在有 SiO<sub>2</sub>层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO<sub>2</sub>,将光刻的图形转移到 SiO<sub>2</sub>层、4)镀Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微
华中科技大学 2021-04-14
制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
本发明公开了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方 法,包括以下步骤:1)喷印 Gate 极;2)喷印介电层;3)成形导电单元: 混合型喷嘴喷出的液体在接收基板上沉积形成导电单元及覆在导电单 元上的油层;4)转印;5)制造连接电极层;6)组合封装。本发明工艺简 单,在混合型喷嘴制备完成的情况下,静电纺丝工艺实现简单,对环 境要求也较低;成本低,设备成本低,同时制造过程中均只需要一定 浓度的溶液,损耗少;精度、分辨率高,不需重复定位,而且静电纺 丝所得纤维器件均在微纳尺度,集成度完全满足电路要求;
华中科技大学 2021-04-14
一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工艺
本发明公开了一种光电化学太阳能电池光电极微纳结构制造工 艺,包括步骤:1)在洁净硅片上热生长一层 SiO2 薄膜、2)在有 SiO2 层的硅片表面光刻出圆孔阵列图形、3)刻蚀暴露的 SiO2,将光刻的图 形转移到 SiO2 层、4)镀 Cu 膜、5)去除表面的光刻胶及光刻胶表面的 Cu、6)生长 Si 微米线阵列、7)在 Si 微米线表面镀一层 ZnO 膜、8)在 Si 微米线表面生长 ZnO 纳米线、9)在 ZnO 纳米线表面制备一层 CdS 薄 膜 、 10) 在 ZnO/CdS 结 构 表 面
华中科技大学 2021-04-14
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