本发明公开了一种广谱成像探测芯片。包括热辐射结构和光敏阵列。广谱入射光波进入热辐射结构后，在纳尖表面激励产生等离激元，驱动图形化金属膜中的自由电子向纳尖产生振荡性集聚，纳尖收集的自由电子与等离激元驱控下涌入的自由电子相叠合，产生压缩性脉动，使电子急剧升温并向周围空域发射主要成分为可见光的热电磁辐射，光敏阵列将热电磁辐射转换为电信号，经预处理后得到电子图像数据并输出。本发明能将广谱入射光波基于压缩在纳空间中的高温

本发明公开了一种多顶针芯片剥离装置，包括多顶针主体机构， 安装于 Z 向升降机构上并连接旋转驱动机构，其包括中心顶针和外圈 顶针，外圈顶针先接触蓝膜上芯片的外缘实现预顶松，然后中心顶针 上升至外圈顶针等高并协作顶起芯片，完成芯片剥离；旋转驱动机构， 连接多顶针主体机构，用于先后驱动外圈顶针和中心顶针上升以完成 芯片顶起动作；Z 向升降机构，安装于三自由度微调对准机构上，停 机状态时其处于下降位置，工作状态其处于抬升位置，为顶起芯片做 好准备；三自由度微调对准机构，用于对多顶针主体机构进行 X、Y 和 Z 向的微调。本发明可实现顶针的快捷更换以及各顶针高度的方便 调节，芯片受力均匀，有效减少剥离过程中的芯片失效。 

本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。

成果与项目的背景及主要用途： RFID是射频识别技术的英文(Radio FrequencyIdentification)的缩写，射频识别技术是 20 世纪 90 年代开始兴起的一种自动识别技术，射频识别技术是一项利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的的技术。RFID 系统通过射频信号自动识别目标对象并获取相关数据，识别工作无须人工干预。作为条形码的无线版本，RFID 技术具有条形码所不具备的防水、防磁、耐高温、使用寿命长、读取距离大、标签上数据可以加密、存储数据容量更大、存储信息更改自如等优点，已经被世界公认为本世纪十大重要技术之一，在生产、零售、物流、交通等各个行业等各个行业有着广阔的应用前景。 本项目主要研发了基于 ISO18000-6B 协议的无源电子标签芯片，其可用于物流，货品识别，高速公路收费等诸多领域，是目前国内外射频电路研究领域的热点。 技术原理与工艺流程简介：UHF 频段的无源电子标签工作原理如下：通过标签上外置的偶极子天线接收读卡器发送的载波信号，并将其转换为直流信号，为整个芯片供电；同时片上的解调模块解调出经调制的载波信号所携带的数据信息，并传递给片上的基带部分加以处理；基带部分连同 EEPROM 部分一起完成数据的读写和控制功能，再由调制模块以反向发射的形式将上行信号返回给读卡器完成一次通信。 本设计的工艺流程是基于 Chartered 0.35um EEPROM 数字工艺，从芯片设计、仿真、版图验证。最终通过代工厂完成芯片制作。技术水平及专利与获奖情况：根据测试结构表明，各项指标都达到了商用需求，在国内属领先水平。该项成果已获得国家知识产权局颁发的集成电路布图登记证书。BS.06500285.7 应用前景分析及效益预测：目前国内的 UHF 频段的 RFID 产品正处于高速成长期，需求量快速增长，但大多数核心技术需要依赖进口。如果本项目能够实现技术转产，可以预计的前景和经济效益是相当可观的。有了自主知识产权的 UHF频段电子标签，在很多领域都可以加以移植，取代进口产品不但可以大大节省开支，同时也可以实现产品的自我定制及更新，最大程度的方便了国内用户的应用。 应用领域：货品跟踪和识别（代替条形码）、高速移动物体的识别、防伪认证以及电子支付等领域都会有广泛的应用。 技术转化条件（包括：原料、设备、厂房面积的要求及投资规模）：四十平方米以上的办公用房，电脑、工作站若干，相应软件。也可以和 RFID天线制造单位，卡片封装单位共同合作，将成果转产。 合作方式及条件：面谈。

数字信息立体显示的多通道全息记录方法,属于图像处理领域,本发明是为了解决现有全息图单通道记录方法记录时间过长的问题.本发明方法包括以下步骤:一,将三维图像转换成不同视角的二维图像阵列;二,将每幅二维图像按光学通道格局分割处理成子图像;三,运算处理子图像获得通道合成图像,在液晶空间光调制器SLM上显示,控制全息底片移动,每移动一次,每个光学通道显示一幅子合成图像,并在全息底片记录一个点,记录一个点的过程为:激光器输出激光同时控制e个电动快门开启工作,光学通道同时记录,形成的物光束打在全息底片的一侧;另一部分激光打在全息底片的背面上,逐点记录,多个光学通道在全息底片上记录的通道全息图拼合形成整个全息图.

本发明公开了一种用于体视三维显示图像生成系统及方法。配合光场重建和视场拼接的显示原理获取现有大部分体视三维显示系统的图像源。生成系统包括二维显示单元阵列、透镜阵列、孔阑阵列、定向散射屏、精密导轨、图像采集系统及计算机。生成方法步骤包括：循环扫描显示点；图像采集系统捕获识别；获取映射坐标关系；视角图像源变换；移动图像采集系统重复操作；对各图像进行叠加获取最终显示所需的图像源。本发明视具体的三维显示装置不同而采用灵活且操作性强图像处理方法，优点在于可用于基于平板显示器或多投影的体视三维显示系统中获取图像源。该系统及方法综合考虑了系统成像像差与系统精度问题，可在较低的计算复杂度下获得校正过的图像。

本发明公开了一种多视角桌面式三维显示装置。它包括对称分布的双投影机阵列、双纵向散射屏及桌面结构，其中第一投影机阵列放置于第一纵向散射屏一侧，第二投影机阵列放置于第二纵向散射屏一侧，桌面形式可以是回字形桌面或是中部开口L形桌面，双纵向散射屏嵌入桌面结构并设置成V形、直角形、梯形或弧形，双投影机阵列通过对应的散射屏向桌面中心投影图像。本发明的优点是可以产生高图像分辨率、高视角分辨率，并且在桌面两侧或一侧很大视场范围内都能观察到细腻的横向视差的三维图像。嵌入桌面的结构可以实现三维图像的悬浮效果。相对于单个裸眼立体显示器，多投影设置可以实现三维图像的拼接，大大增加三维图像的空间尺度。

本项目在申请了国际国内专利的基础上，大大提高了器件之发光效率、延长其使用寿命。主要技术内容是把无机/有机等多种材料成膜于两个电极之间做成发光器件，即经过步骤： 1. ITO 光刻 2. 基片处理 3. 用物理或化学方法制备无机纳米薄层到基片上 4. 然后将有机材料通过真空镀膜或旋甩涂敷成膜 5. 最后一层是镀金属电极 6. 封装引线等，最后配上驱动电路就制成了一个 OLED 电致发光屏 以上每一步骤，我们都有自己的独到之处，首先从器件的结构上看我们已经避开了美国和日本的专利。这为本项目的开发扫清了障碍。其次，在许多工艺上，我们简化了操作步骤，为其商品化打下了良好的基础。 用这一专利技术可生产出一系列自发光平板显示产品，且不产生电磁幅射，其优越的“性能价格比”使其不仅能打入传统自发光平板显示器市场，而且以其高分辨率的优势，还能进一步挑战目前被彩管（CRT）和液晶（LCD）垄断的显示器市场。产品的价格优势主要有两点：1、使用成熟的常规镀膜技术，步骤少、效率高；2、密封技术低、易操作。 本成果属国内领先水平，尽管日本的先锋公司已有车用显示器件问世；但是，目前国内该领域没有一家公司能生产该产品。 成果适合于手机、仪表显示、HDTV 或“壁挂式彩电”的应用，使全彩色成为可能。 与市面上最多的阴极射线管显示器相比，使用平板显示器基本上不产生电磁幅射，且与纯无机电致发光显示技术相比具色彩鲜艳、驱动电压低、价格低、使用范围宽、尺寸范围大等明显优势，而该技术在成本、性能及尺寸范围等方面又较液晶显示及等到离子体显示具有显著的优势。可采取股份制，在中国注册，在中国和香港上市。

本发明公开一种平板显示用上转换光扩散微球及其制备方法，该光扩散微球为多壳层结构，微观上表现为“三明治”结构，最内层为铒镁双金属复合氧化物Ｅｒ２Ｏ３?ＭｇＯ微球，其平均直径为２～４μｍ，中间层为多孔ｇ?Ｃ３Ｎ４，层厚为１００～２００ｎｍ，最外层为聚硅氧烷缩聚物，层厚为４００～６００ｎｍ；该光扩散微球是通过先在Ｅｒ２Ｏ３?ＭｇＯ微球上原位生长一层多孔ｇ?Ｃ３Ｎ４制得多孔ｇ?Ｃ３Ｎ４／Ｅｒ２Ｏ３?ＭｇＯ复合微球，再在该复合微球上原位水解缩聚硅氧烷单体制得，具有上转换发光现象，在９８０ｎｍ激光器激发下呈现绿光；由其紫外光固化制备的光扩散膜具有较佳的光扩散效果，光扩散膜的可见光透过率为９０％～９５％、雾度为８０％～８８％，同时具有上转换发光性能、良好的机械性能、耐老化性能和阻燃特性，实现了光扩散膜的多功能化，具有广阔的应用前景。

本发明涉及多屏显示领域，提供了一种实现多屏显示的方法， 包括 S1 远端触控设备获取屏幕内容并向显示控制中心发送屏幕内容 和指定显示设备编号的指令；S2 显示控制中心接收屏幕内容，并根据 指令将所述屏幕内容输出到编号对应的显示设备上实现多屏显示。本 发明中每个显示设备的显示内容可以一致也可以不一致，具体为远端 触控设备将显示内容发送到显示设备控制中心，显示设备控制中心将 显示信息发送到显示设备进行显示，显示设备控制中