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一种丝素蛋白‑NIPAM光子晶体水凝胶及其制备方法
本项目属于功能材料领域，提供了一种丝素蛋白‑NIPAM光子晶体水凝胶及其制备方法。所述制备方法包括采用物理交联剂将丝素蛋白和N‑异丙基丙烯酰胺(NIPAM)在常温下共交联，并在交联反应过程中嵌入三维光子晶体阵列。本发明提供的制备方法制备的光子晶体水凝胶具有良好的生物相容性、弹力性能、吸水性能，与皮肤之间具有良好的贴合性，紧贴皮肤表面不易脱落，还同时具有优良的压力传感性和温敏性，可对温度和压力的变化产生颜色变化响应，实现压力和温度变化的裸眼观测。
北京理工大学
2022-06-17
一种铌酸锂晶体外调制驱动装置
本发明提出一种铌酸锂晶体外调制驱动装置,当铌酸锂晶体两端加上电场后，折射率的变化正比于电场强度，从而使通过晶体的光通量产生相应的线性变化。由于铌酸锂晶体折射率线性变化需要的电压在100V到600V的范围，本发明通过在光路部分增加四分一波片，降低铌酸锂晶体的直流工作点，对经过编码的数字信号采用两级复合式放大，直接放大到高电平正150V低电平负150V，做到了频率响应范围宽，工作稳定可靠，抗干扰能力强。
四川大学
2016-10-26
新一代硅烷法电子级晶体硅生产技术
上海交通大学
2021-04-13
WMG-4 晶体折射率-温度关系测定实验仪
WMG-4型晶体折射率-温度关系测定实验仪是我公司华东师范大学合作研发的一套实验仪器，该仪器是我们利用迈克尔逊干涉法测量固体材料折射率温度特性，测量钽酸锂晶体和铌酸锂晶体折射率随温度变化的特性曲线。该实验仪操作简便，适用性广泛，精确度较高，用此方法可以推广到测量各种透明固体材料折射率温度特性，颇具推广价值。
天津市拓普仪器有限公司
2022-07-12
一种数字化等离子切割机控制系统
本发明公开了一种数字化等离子切割机控制系统，包括均采用 DSP 作为控制中心，主电源控制器通过 CAN 总线与气体控制器、冷却 器控制器通信连接；主电源控制器用于完成等离子切割电源系统流程 控制与管理，状态过程的检测与故障诊断；气体控制器用于根据主电 源控制器发送的指令控制等离子切割电源工作时所需的气体流向和气 压，同时将这些信息反馈给主电源控制器进行监控；冷却器控制器用 于控制离子切割机系统中冷却液的流量和温度，同时将这些信息反馈 给主电源控制器进行状态监控。本发明通过主电源、气体系统、冷却 系统
华中科技大学
2021-04-14
一种基于顶点切割与社区聚集的大规模图划分方法
本发明公开了一种基于顶点切割（vertex-cut）和社区聚集 （community-detection）的多层 k 路（k-way）图划分的方法，包括： 根据统计分析特性考虑自然图本身的分布，提出相应的顶点切割算法 将影响任务完成时间较大的一些顶点进行切割，然后利用基于标签传 播的社区聚集算法迭代地将切割之后的图进行标签传播，将图的各个 顶点的标签确定，即得到该顶点所在社区，最后用传统的多层 k-way 图划分算法
华中科技大学
2021-04-14
一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统
本发明公开了一种产生大气压弥散放电非平衡等离子体的系统， 包括：直流电源、谐振充电电路、Tesla 变压器谐振升压电路、脉冲陡 化电路、限流电阻、线型电极，谐振充电电路包括充电晶闸管、充电 电感、滤波电容、原方电容，Tesla 变压器谐振升压电路包括放电晶闸 管、Tesla 变压器、副方电容，脉冲陡化电路包括三电极火花开关和触 发极电阻，直流电源的正极连接到充电晶闸管的阳极，直流电源的负极接地，充电晶闸管的阴极连接到充电电感的一端，充电电感的另一 端连接到放电晶闸管的阳极，滤波电容直接与直流电源并联
华中科技大学
2021-04-14
大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛光加工装置
本发明涉及一种大型复杂金属表面等离子体与脉冲放电复合抛 光加工装置，目的是解决常规金属表面精密加工和抛光方法的不足及 加工和抛光效率低、易产生加工应力和表层损伤等问题。该装置包括 射频电源、射频电源匹配器、高压直流脉冲电源、脉冲电源极性调节 装置、高压直流脉冲电源阻抗、等离子体炬、加工保护罩、控制电路 和联动机构；本发明是在大气压下对金属的表面的精密加工和抛光， 不需要真空室和特制的抛光液，可降低设备成本并扩大其使用范围。 加工效率是传统抛光方法的几倍，并且是无应力加工，无表面和亚表 层损伤、无表面污染，抛光工件的表面粗糙度可达到 Ra-0.2μm。
华中科技大学
2021-04-13
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。
浙江大学
2021-04-13