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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
与猪生长和肉质性状相关的分子标记的克隆及应用
研发阶段/n可用于猪生长速度的遗传改良，在猪的遗传改良中生长速度性状一直是改良的重点，提高生长速度可缩短生长周期，节省饲养成本，但这个性状的测定也必须等到猪长到上市体重，因此测定工作需要花费成本，用专利6，7和8可以进行早期选择，节约测定成本，缩短世代间隔，提高生长速度。
华中农业大学
2021-01-12
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学
2021-04-13
大型乙烯生产装置高温裂解炉结焦抑制技术及应用
我国乙烯装置的平均综合能耗比国际先进水平高出27%。裂解炉是乙烯生产的核心设备，其能耗占到整个乙烯装置能耗的50-60%。裂解反应炉管的结焦导致装置能耗增大、乙烯产量下降、炉管寿命大大缩短。本项目在上海市科委、市教委等科研项目的支持下，实现了大型乙烯裂解炉高温裂解结焦抑制技术的工业化应用及推广，填补了国内空白，整体技术水平达到国际先进。 项目创新性地提出了采用陶瓷梯度涂层来抑制裂解炉管内壁结焦、渗碳、氧化的新技术。发明了内表面带有特殊陶瓷层及复合氧化物纳米薄膜扩散障的裂解反应炉管制造技术，开发了工业化成套制造设备及陶瓷复合炉管的焊接技术。发明了可在裂解炉使用现场重复实施的抑制结焦在线预膜技术。自主设计、搭建了国内最大规模的高温裂解结焦抑制技术中试放大及抑制结焦效果评价系统。开发了适合在大型裂解炉高速紊流、管内复杂表面状态下在线制备陶瓷复合预膜层的工艺。优化了结焦抑制剂的添加工艺。实现了上述高温裂解结焦抑制技术的工业化应用及推广。 结焦抑制技术在大型乙烯裂解炉上的成功应用，解决了制约乙烯生产的瓶颈问题，实现了乙烯装置的长周期、高效、安全可靠运行，且可大幅度提升我国乙烯生产的技术水平。可推广应用于所有新建和在役乙烯装置、催化、焦化等石化装置、煤制油等煤化工装置等。 近 年累计为企业创造经济效益约6亿元。
华东理工大学
2021-02-01
钢丝热处理炉计算机自动控制系统
目前我国有近三千条用于钢丝热处理的马弗炉，其中绝大多数以煤为燃料，部分以煤气和电为燃料。这种炉型存在的最大问题是：控制系统自动化程度低，变产量、变品种时热处理质量不易控制，能耗高。为此，我们开发了钢丝热处理炉计算机自动控制系统，使用该系统，即使是燃煤热处理炉，也可实现根据钢丝直径、产量的要求自动调节炉温和拉速；或根据炉温、钢丝直径自动调节最佳拉速；或根据拉速、钢丝直径，自动调节最佳炉温；并自动调节煤、风配比例。以实现钢丝热处理高质量的前提下最大限度地节约能源。
北京科技大学
2021-04-13
一种内部开合式高温电热炉及加热方法
本发明公开了一种内部开合式高温电热炉及加热方法，包括由耐高温材料制成的炉体和炉膛，炉膛 内设有测量温度的热电偶，炉体内壁上设有用于加热的电阻丝，炉膛内设有将其分成蓄热炉膛和试验炉 膛可以开合的空腔叶片，空腔叶片包括转轴和叶片，所述叶片可以绕转轴转动以实现空腔叶片的开合，
武汉大学
2021-04-14
定制实验室真空热压烧结设备材料高温成型实验炉
北京锦正茂科技有限公司
2022-03-03
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法，该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27)，所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成，所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29)，提高了N型正面的离子掺杂浓度，降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响，从而有效降低IGBT的导通压降，同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。
浙江大学
2021-04-13
人源黑皮质素受体4原子分辨率晶体结构
上科大iHuman研究所在肥胖症药物靶点研究上获重要突破，首次解析 人源黑皮质素受体4（Melanocortin-4 Receptor，MC4R）原子分辨率晶体结构。该成果以“Determinationof the Melanocortin-4 Receptor Structure Identifies Ca2+ as a Cofactor forLigand Binding”为题，于4月24日在国际顶级学术期刊《科学》在线发表。上科大Stevens课题组博士研究生于静为文章的第一作者，iHuman研究所创始所长Raymond C. Stevens和密歇根大学教授Roger D. Cone为共同通讯作者，上科大是第一完成单位。领导这项研究工作的Stevens实验室专注于多肽配体调控的G蛋白偶联受体（GPCR）及与肥胖症和代谢类疾病相关受体研究。肥胖症增加了其它并发症的患病风险，如二型糖尿病、心血管疾病等。MC4R主要在下丘脑中表达，参与控制食物摄取、能量消耗、体重维持等。实验和临床证据也表明，MC4R是肥胖症治疗的重要靶点。但针对MC4R结构与功能的研究及药物研发一直充满挑战。通过与密歇根大学Roger Cone实验室以及南加州大学合作者的共同努力，最终解析了人源MC4R与环形多肽配体SHU9119复合物2.8埃分辨率的晶体结构。研究团队发现钙离子（Ca2+）结合在MC4R正构结合口袋中，同时与受体及候选药物发生相互作用，这也是首次观察到功能性Ca2+与GPCR的结合模式。同时，他们发现Ca2+有助于稳定受体-候选药物复合物，并使内源性激动剂α-黑素细胞刺激激素（α-melanocyte stimulating hormone, α-MSH）的亲和力和效力得到了极大的提高，但Ca2+对内源性拮抗剂刺鼠相关蛋白（Agouti related protein, AgRP）却无类似的作用效果。“MC4R是一个神秘而有趣的蛋白分子，还有许多未被发现的故事。MC4R-SHU9119-Ca2+复合结构第一次揭下了MC4R的神秘面纱。”于静说道，“将对活化状态的结构、MC4R与G蛋白、与其它蛋白之间的相互作用，以及同源/异源二聚体形成等方面进一步研究”。这项工作由上科大生命科学与技术学院和iHuman研究所的Raymond Stevens与赵素文团队、密歇根大学的Roger Cone实验室以及南加州大学的科研人员共同开展。
上海科技大学
2021-04-11