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排温传感器
排温传感器
山东鸣川汽车集团有限公司
2022-03-01
一种光子晶体纳米流体传感器、其制备方法及应用
本发明属于传感器领域，并公开了一种基于微电子机械系统的 光子晶体纳米流体传感器，包括光刻胶层、硅晶片基底、第一折射率 材料薄膜层、第二折射率材料薄膜层和聚合物材料封接层，所述第二 折射率材料薄膜层的顶端设置有方波形的光栅结构，所述光栅结构包 括多个通槽和多个凸起并且它们交替排列，所述光刻胶层、硅晶片基 底、第一折射率材料薄膜层和第二折射率材料薄膜层共同构成传感器 基体层，所述传感器基体层上设置有进流口和出流口本。本传感器为 基于光子晶体的纳米流体传感器，成功解决了传统的光子晶体传感器 消耗检测物过多
华中科技大学
2021-04-14
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
基于重力传感器和角度传感器的老人摔倒检测系统
本实用新型提供一种基于重力传感器和角度传感器的老人摔倒检测系统，包括三个重力传感器、一个角 度传感器、GPRS 通信模块、微处理器单元、智能终端；重力传感器、角度传感器分别与 GPRS 通信模块连接，GPRS 通信模块与微处理器单元、智能终端连接；所述重力传感器分别设置在老人的两个鞋底和拐杖底部，所述角度传感器设置在拐杖的中部。本实用新型可以实时检测及准确的判断老人是否摔倒，以及摔倒后是否自己起来，并且能够及时的给家人或附近的医院发送求救信号，以获得及时的救援
武汉大学
2021-04-14
辉变送器，大棚光照度传感器，光照度传感器
产品详细介绍照度传感器产品介绍
产品介绍
GZD系统光照度变送器采用对弱光也有较高灵敏度的硅兰光伏探测器作为传感器；具有测量范围宽、线形度好、防水性能好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点，适用于各种场所,尤其适用于农业大棚、城市照明等场所。根据不同的测量场所，配合不同的量程，线性度好、 防水性能好 、可靠性高、 结构美观、安装使用方便、抗干扰能力强。
使用标准
1个单位的照度大约为1个烛光在1米距离的光亮度。
夏日晴天强光下照度为10万 Lux（3～30万Lux）；
阴天光照度为1万 Lux；
日出、日落光照强度为 300～400Lux；
室内日光灯照度为 30～50Lux；
夜里 0.3～0.03 Lux（明亮月光下）；
0.003～0.0007 Lux（阴暗的夜晚）
以上参数公供参考
技术参数:
供电电压： 12VDC～30VDC
感光体： 带滤光片的硅蓝光伏探测器；
波长测量范围： 380nm～730nm；
准 确 度： ±7％
重复测试： ±5%；
温度特性： ±0.5%/℃；
测量范围： 0～200000Lux
输出形式： 二线制4～20mA电流输出
三线制0～5V电压输出
液晶显示输出
232/485网络输出
使用环境：
0℃～40℃、0%RH～70%RH（带液晶）；
0℃～70℃、0%RH～70%RH(不带液晶)
大气压力： 80～110kPa
联系我们：
电话： （010）57167501/7502
网址： www.diysensor.com
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北京无线联科技有限公司
2021-08-23
MEMS压力传感器
自然频率 55kHz-79 kHz 量程 Normal：9kPa-120kPa Extended：5kPa-160kPa 灵敏度 50-80Hz/kPa 一个大气压下（101.3kPa）的谐振频率 63 kHz-75 kHz 受温度的影响 15V 1.5V 驱动电压 50-80Hz/kPa
电子科技大学
2021-04-10
MEMS 压力传感器
已有样品/n已完成针对低、中、高压（10kPa-40MPa）MEMS 压力芯片的原型器件开发；能 够针对不同应用领域的 MEMS 压力芯片进行优化设计，解决提高灵敏度和降低非线 性、芯片长期工作稳定性的关键技术难题；原型芯片的研发技术符合工程量产化技 术要求，易于快速转化和量产；与国外知名公司产品相比，技术指标相当，部分指 标如灵敏度温漂系数相比优异。 MEMS压力传感器可应用于工业类仪器仪表、油井勘探、工业自动化控制中压力 监测、可穿戴、智慧医疗领域压力测量、汽车电子等领域。年需求量可达数千万只。
中国科学院大学
2021-01-12
高速 CMOS 图像传感器
已有样品/n主要技术指标：图像分辨率 800×600；量化位宽 12bit；图像帧率 1000fps；动 态范围 70dB；工作温度范围在-25℃至 85℃；芯片功耗 0.67W；同时定制的图像传 感器工艺和设计流程，具有更佳的高速图像获取能力。 高速图像传感器可应用于工业生产、农业生产、智能交通、虚拟现实、科学研 究、国防军事及其他民用领域。具体来说，高速图像传感器可应用于汽车碰撞试验、 火箭发射、弹道测试、体育赛事、目标追踪、微表情研究和高速车牌识别等领域。
中国科学院大学
2021-01-12
MEMS压力传感器
成果简介： 自然频率 55kHz-79 kHz 量程 Normal：9kPa-120kPa Extended：5kPa-160kPa 灵敏度 50-80Hz/kPa 一个大气压下（101.3kPa）的谐振频率 63 kHz-75 kHz 受温度的影响 15V±1.5V 驱动电压 50-80Hz/kPa
电子科技大学
2017-10-23
纳米纤维气体传感器
1、 成果简介：（500字以内）以可溶性金属盐为金属氧化物前驱体，高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，制备含高分子和金属氧化物前驱体的复合纤维，然后将该纤维烧结除去高分子，从而得到陶瓷基半导体金属氧化物纳米纤维材料。采用该方法制备的一维超长连续半导体金属氧化物陶瓷纳米纤维气体传感器（例如：乙醇、甲醛、氨气、湿气、氢气等等），具备响应恢复迅速、灵敏度高、气体选择性好、稳定性好、使用寿命长等优点。该方法适用于各种以可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物，具有设备简单、成本低、性能高、易于
吉林大学
2021-04-14