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全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管(thin film transistor, TFT)本质上是一种场效应晶体管,其电性质与传统的MOS场效应管一样,都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大,这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件,当栅源电压小于阈值电压时器件截止,反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的,它是电压控制器件,不吸收信号源电流,不消耗信号源功率,因此它的输入阻抗很高,它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比,ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性,使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势: (1) ZnO为宽禁带半导体材料,可以避免可见光照射对器件性能的影响,保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响; (2) 提高开口率,提高显示器的亮度,进而可以降低功耗; (3) 如果存储电容也用透明材料制备,制备全透明显示器件便成为可能; (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低,即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜,因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等,这又是柔性显示器成为可能; (5) ZnO具有很好的载流子迁移率,使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流,又有效的抑制关态电流的增加;研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展,具有里程碑的意义,为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学 2021-04-13
纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
研发阶段/n内容简介:纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺,构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点,广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利,专利号:200510018701.9。
湖北工业大学 2021-01-12
制造有机场效应晶体管的方法、实现该方法的喷嘴及装置
本发明公开了应用混合型喷嘴喷印制造有机场效应晶体管的方 法,包括以下步骤:1)喷印 Gate 极;2)喷印介电层;3)成形导电单元: 混合型喷嘴喷出的液体在接收基板上沉积形成导电单元及覆在导电单 元上的油层;4)转印;5)制造连接电极层;6)组合封装。本发明工艺简 单,在混合型喷嘴制备完成的情况下,静电纺丝工艺实现简单,对环 境要求也较低;成本低,设备成本低,同时制造过程中均只需要一定 浓度的溶液,损耗少;精度、分辨率高,不需重复定位,而且静电纺 丝所得纤维器件均在微纳尺度,集成度完全满足电路要求;
华中科技大学 2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
清华大学任天令教授团队首次实现亚1纳米栅长晶体管
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的电学性能。
清华大学 2022-03-11
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
提供一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及其制备方法,该IGBT包括N型基区、P型基区(28)、背P+阳极区(21)、N+阴极区(26)、栅氧化层(24)、阳极(20)、栅电极(25)和阴极(27),所述的N型基区由依次层叠的N+扩散残留层(29)、N-基区(23)和N+缓冲层(22)组成,所述的N+扩散残留层(29)和N+缓冲层(22)从与N-基区(23)的边界起始向外掺杂浓度逐渐增加。IGBT在N-基区(23)正面设置N+扩散残留层(29),提高了N型正面的离子掺杂浓度,降低了结型场效应晶体管(JEFT)电阻的影响,从而有效降低IGBT的导通压降,同时对IGBT的正向阻断电压(耐压)的影响降低到最小。
浙江大学 2021-04-13
安徽大学在氧化物薄膜晶体管掺杂工程及其稳定性研究中取得新进展
近日,我校材料科学与工程学院2019级材料物理专业本科生严锦同学在氧化物薄膜晶体管掺杂工程及其稳定性研究中取得新进展,作为第一作者在微电子器件顶级期刊《IEEETransactionsonElectronDevices》上发表了以“Electrospinning-DrivenInHfOxNanofiberChannelField-EffectTransistorsandHumidityStabilityExploration”为题的论文。
安徽大学 2022-09-21
一种用于汗液中多巴胺检测的柔性场效应晶体管及应用
本发明公开了一种用于汗液中多巴胺检测的柔性场效应晶体管及其制备方法。通过高熵普鲁士蓝类似物材料对柔性场效应晶体管进行表面修饰,显著提升了器件的电化学传感性能,使其对多巴胺有着较低的检测限和较宽的检测范围。该柔性场效应晶体管以聚酰亚胺为衬底,具备良好的柔韧性和稳定性,适用于可穿戴式应用场景。其结构简单,制备工艺灵活,适合大批量生产。基于高熵普鲁士蓝类似物修饰的柔性场效应晶体管为柔性生物传感器在汗液检测领域提供了一种新的技术方案,为疾病早期诊断和个性化医疗提供了新的技术手段。
南京工业大学 2021-01-12
西安交大科研人员在多波长高性能二硫化钼场效应晶体管光电探测器的研究取得新进展
近日,西安交通大学电子科学与工程学院电子陶瓷与器件教育部重点实验室任巍教授和牛刚教授团队利用机械剥离获得少层二硫化钼材料制备具有背栅结构和纳米级沟道长度的光电晶体管,实现了较高探测率(>1013Jones)和响应率(>103A/W)。
西安交通大学 2023-02-02
网络存储、NAS存储Kylines S624
产品详细介绍网络存储、NAS存储Kylines S624Kylines S600系列目前包含三款产品:S612、S616、S624 性能和容量的完美组合S600系列采用业界新一代的SAS接口技术以实现高性能的存储系统。SAS技术是SCSI技术的升级版,同时还兼容SATA技术。基于SAS技术的SAS接口是一种点对点,全双工,双端口的串行传输接口,支持在SATA兼容的电缆和连接器上传输SCSI协议,兼备SCSI所具有的可靠性和易管理性,同时可以大幅度提升性能。S600系列所使用的SAS磁盘转速为15000转,平均无故障时间(MTBF)更高达140万小时,与10000转的磁盘相比,IOPS提升30%,响应时间提高20%,特别适合对性能要求高,访问密集的在线数据库等关键应用,例如电子邮件、ERP、电子商务等,另外,S600系列采用点对点全交换架构,每个SAS或SATA II磁盘均独享3GB带宽,完全避免环行架构下多块磁盘共享带宽导致性能下降的问题。S600系列在支持SAS技术的同时还支持分级组合存储。单台设备同时支持SAS和SATA II磁盘混插,即使对于同一类型的磁盘混插,其容量也可不同,用户可根据应用不同选择相应的磁盘。针对不同的存储容量要求又可分别采用146GB,300GB SAS磁盘或500GB,750GB, 1TB,2TB企业级SATA II磁盘。所有这些需求在一台S600系列产品中即可完全实现,大幅度节省用户成本。S600系列拥有4个主机接口,可连接服务器或IP SAN网络交换机,多条数据链路支持链路聚合和动态故障切换,在确保数据读写带宽的同时保障数据通路的可用和畅通。简单易用的管理方式,完善的设备监控    易于管理使用,用户只需将S600系列存储设备连接到IP网络,无需添加其它任何专用设备。配置简洁方便,通过中、英文图形化的界面,可对存储设备各项功能配置和管理。完善的设备监控管理,通过存储管理软件,对设备本身硬件健康状况进行监控。不仅支持SNMP简单网络管理协议,实现远程网络管理。同时也支持Email报警功能,设备出现错误时能自动告警,方便管理员能及时了解系统运行情况。强大的数据管理功能    ◎NAS+IP SAN全功能统一存储方式:S600系列提供NAS+IP SAN全功能统一存储特性。无论是基于高速专用存储网络的IP SAN存储架构或者是不同操作系统和多台主机之间的NAS文件共享,都能通过一台S600系列产品实现,用户可根据不同业务需求灵活选择存储接入方式。◎CloudShots(全自动连续数据快照)功能:S600系列具备CloudShots全自动连续数据快照功能,特别适合对用户关键业务的数据进行连续保护。S600系列可以按策略为数据卷自动创建基于增量的多时间点标记,当发生软件程序导致的数据丢失或数据损坏、病毒破坏、意外删除及其它人为误操作引起的数据丢失或错误时,可以迅速通过对合适的时间点标记进行”回滚”来快速恢复数据。◎CloudMirror(远程复制)功能:S600系列基于IP的策略性远程复制功能可以为用户数据实现异地的备份,在发生意外灾难时能够对数据进行快速恢复,确保用户的业务持续性。S600系列的远程复制功能支持基于时间间隔、数据增量和设定时间点三种策略复制模式。◎重复数据删除功能MIDAS6124支持基于企业的不同的业务数据类型和备份模式,企业在文件保存过程中,通常会保存大量的不需要的冗余的数据,重复数据删除可以删除这部分冗余的数据,从而大幅度降低企业数据存储和备份对容量空间的需求,在企业备份过程中,可能更能体现价值◎丰富的RAID特性S600系列支持RAID 0,1,3,5,6,10,50,60等多种RAID方式,并提供按需使用磁盘空间建立RAID的虚拟磁盘技。S600系列还支持RAID在线容量扩展,RAID级别转换,RAID条带大小设置和修改,RAID初始化,重建等多种特性,能够增加配置灵活性,并满足业务增长需求。S600系列全功能统一网络存储技术规格 产品规格型号产品型号 S612 S616 S624主机磁盘数 12 16 24系统软件特点操作系统 CloudStorage存储专用操作系统文件系统 CFS 128位全日志文件系统, 最大卷尺寸不限, 在线扩容, 支持NTFS流, 用户 (User), 用户组 (Group) 和目录树 (Directory) 级别容量分配, Unicode文件服务协议 CIFS, NFS v2/v3/v4 (采用 UDP 或 TCP), HTTP/WebDAV, FTPSAN协议支持 支持iSCSI, 最多1024个逻辑卷(LUNs)支持操作系统 Microsoft Windows, Linux, Mac OS, Sun Solaris, IBM AIX, HP-UX目录和文件安全服务 DNS, WINS, UNIX? NIS, Macintosh? NIS, Windows活动目录, Windows工作组(本地)管理界面 中、英文B/S图形界面管理 (GUI)标准软件 自动RAID管理器, 248个CloudShot (快照) 对卷进行增量实时备份, CloudVol (自由卷) 动态扩展卷尺寸高级软件(许可) CloudMirror 远程镜像, 用于异地容灾恢复, 保证业务连续性; CloudBak高级备份和恢复RAID RAID支持0, 1, 5, 6, 10, 50, 60, 热备盘, JBOD系统硬件参数系统缓存 标配4GB, 可扩展至16GB 标配8GB ,可扩展至24GB 标配8GB , 可扩展至24GB网络接口 4个千兆网络数据通道,可扩展至8个I/O性能 200MB/s持续带宽(IP SAN)280MB/s持续带宽 (NAS)16000 OPS/s,60000 IOPS 410MB/s持续带宽(IP SAN)350MB/s持续带宽 (NAS)26000 OPS/s,85000 IOPS 430MB/s持续带宽(IP SAN)350MB/s持续带宽 (NAS)28000 OPS/s,90000 IOPS磁盘规格 3.5" 146/300/450GB/1TB/2TB, SAS磁盘3.5" 1TB/2TB, SATAⅡ磁盘最大磁盘数量 单柜12片,可扩展336片 单柜16片,可扩展336片 单柜24片,可扩展336片最大存储容量 696 TB (2TB*348) 704TB (2TB*352) 720TB (2TB*360)磁盘扩展 SAS磁盘通道,3U16盘位JBOD,最大21个环境参数电源/电流 带PFC, 100-240 VAC, 50-60 Hz, 最大14 Amp电源模块 1+1冗余热插拨电源最大输入功率 500W 800W 1010W风扇 3组65mm, 8000 RPM 热插拔风扇 3组90mm, 6000 RPM 热插拔风扇 3组90mm, 6000 RPM 热插拔风扇机箱尺寸 标准2U机架式, 89mm (高) x 482mm (宽) x 701mm (深)  标准3U机架式, 133mm (高) x 482mm (宽) x 698mm (深)  标准4U机架式, 177mm (高) x 482mm (宽) x 673mm (深) 重量 24.7公斤 32.1公斤 45.8公斤运行环境 10oC至35oC, 8%至90%相对湿度, 非冷凝结存放环境 -40oC至70oC, 5%至95%相对湿度, 非冷凝结认证 FCC, UL, CUL, TUV, EN 60950/IEC 60950, CE, CCC
北京麒麟视讯科技有限公司 2021-08-23
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