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全自动激光晶圆划片机系统
电路是以晶圆为载体，采用一定的工艺，把电路中的元器件和布线制作在晶圆片上，封装为 一个整体，使晶圆上每个晶粒成为具有所需电路功能的微型结构。晶圆切割的过程是将集成有 电路的整片晶圆通过划切分割成单个的晶粒，切割过程又是一种无法恢复的过程，因此，材料 和制造成本的积累以及工艺的不可重复性决定了切割工艺成为整个集成电路制造过程中最关键 和难度最大的工艺环节。 精密机械：可加工的晶圆最小直径可达50mm，在晶圆里面印刷有晶格，每个晶格的宽度 为200μm，晶格间距约为20μm，所以设备的切割精度要求控制在2μm以内，每小时切割15片。 运动平台采用高精度的直线电机平台，定位精度为2μm，重复定位精度为1μm；旋转平台的定 位精度为30″，重复定位精度为4″。 计算机自动控制：划片机系统将根据客户要求以及配合视觉检测系统传输的晶圆数据，自 动生成切割路径，在规定的工作时间内完成晶圆的切割。
华东理工大学
2021-04-11
硅晶圆微盲孔金属填充装置
本实用新型公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，包括孔板和真空回流装置；所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板，孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔，小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球。本实用新型通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。
华中科技大学
2021-04-11
64Mb 阻变存储器晶圆
已有样品/n64Mb ReRAM 芯片和内嵌ReRAM IP 的SOC 由紫光国芯等单位共同设计，在实现基于ReRAM 存储机理和单元特性的读写电路、芯片构架、可测试性设计、冗余设计、纠错设计和系统访问管理等关键技术方面实现了突破和创新。两款芯片均已经在相关验证系统完成了应用演示等相关测试，其中64Mb ReRAM 芯片可成功实现数据文件、图形文件及多媒体文件的读写编辑及实时播放操作，在功耗、速度和寿命等方面取得了令人满意的效果。
中国科学院大学
2021-01-12
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
项目成果/简介: 本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。 应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。 全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机知识产权类型:发明专利技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
华南理工大学
2021-04-10
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
本产品围绕晶圆级、芯片级和倒装等先进封装形式的大功率白光LED产业发展重大需求，突破了高速高均匀度荧光粉胶雾化涂覆控制、生产过程品质控制与优化管理等核心技术，自主研发了面向晶圆级级封装的全自动晶圆级LED荧光粉高均匀涂覆机。本产品采用自动上下料传送机构、自动加热、自动视觉定位、涂覆厚度自动检测、自动按照设定路径和涂覆参数进行涂覆，是以复杂的光机电一体化精密封装设备，主要技术性能指标达到国内领先水平。
应用于LED生产行业，满足了各种新型LED封装自动化生产需求，有效提升了封装质量、热阻分散性、色品一致性、出光效率等性能指标和产业竞争力。推动我国半导体照明等新兴战略产业的持续性发展。
全自动晶圆级LED荧光粉智能涂覆机
华南理工大学
2021-05-11
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
高端化合物半导体外延晶圆产业化
北京工业大学
2021-04-14
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
圆水槽
产品详细介绍
湖南省祁阳县侨联仪器仪表厂
2021-08-23
先导中心8 寸平台上制造绝缘体上张应变锗（TSGOI）晶圆
已有样品/n实现了工艺过程中对Ge的诱导应变微调，使Ge的带隙改变为0.7eV。以此类Ge衬底制备的PMOS器件实现了506cm2V-1s-1的高空穴迁移率。
中国科学院大学
2021-01-12