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半导体激光打标机
产品详细介绍YD-50W半导体YAG激光打标机
YD-50W semiconductor YAG laser marking machine
主要性能指标: Main performance indexes:
输出功率（W）
Output power (W)
50（可以选配100W）
激光峰值功率（KW）
Laser peak power (KW)
80
波长（nm）
Wavelength (nm)
1064
激光介质 （Nd）
Medium (Nd)
YAG
激光模式
Laser mode
多模multimode
调制频率（KHz）
Modulation frequency (KHz)
≤60
打标范围（mm）
Marking range (mm)
50×50 / 100×100 可选optional
打标线速度（mm/s）
Play line speed (mm/s)
10～7000mmps(直线扫描) (linear scan)
最小标刻字符尺寸（mm）
The minimum engraving character size (mm)
0.2
重复精度（mm）
Repeat precision (mm)
±0.00025
打标线深（mm）
Play lines deep （mm）
≤0.1
打标线宽（mm）
Play line width (mm)
≤0.05
整机功耗（KW）
The power (KW)
<2.5
供电电压
Power supply voltage
220V±22V / 50Hz 12A
配件accessories
旋转辅助器Rotating auxiliary device
产品性能：
1.一体化设计，全新的光路密封方式保证半导体的安全工作，免维护周期长。
2.激光输出功率大，能量连续工作稳定，标刻度深；
3.采用进口高速振镜扫描，速度快、精度高、性能稳定。
4.可根据不同材质、不同效果的标刻要求，激光频率在1-50KHZ可调
5.进口声光调Q系统，锁光效果好，光损耗小，输出功率高，确保激光系统长时间稳定工作。
6.软件控制系统操作简单快捷，支持常用的矢量图形绘制软件格式。电脑编程控制语言界面全中文操作简便快捷独有图形失真软件校正功能，可进行条形码、二维码、图形图像及文字等打标，支持PLT、PCX、DXF、BMP等文件格式
7.标刻图案精细美观、永不磨损。
The properties of product:
1 integration design, new ways of the sealing of semiconductor work safety, ensure maintenance free cycle is long.
2 the laser output power, energy, the scale continuous working stability;
3 imported high-speed galvanometer scanning, high speed, high accuracy and stability.
4. According to different material, different effects of laser engraving, frequency in the 1-50KHZ adjustable
5 Q system, adjustable import acousto-optic light effect is good, light lock loss, high power output for a long time, ensure the stability of laser system.
6 software control system operation simple and quick, support vector graphics software format. Computer programming language interface control all Chinese operation convenient unique graphic distortion, can undertake correction software code, two dimensional barcode, image and text marking, support, PCX PLT DXF, BMP files, etc
7. Engraving pattern fine beautiful, never wear.
使用条件：
供给电源：220V±10％（单相），有独立接地线， 频率50Hz， 电流10A
工作环境：环境温度5～25℃
相对湿度：≤75％（非凝结）
空间环境：整洁、相对无灰尘
电磁环境：计算机可以正常工作
Use:
Power supply: 220V ± 10% (single), has the independent grounding, frequency, current isolator deg
Working environment: the environmental temperature 5 ~ 25 ° c
Relative humidity than 75% (condensate:),
Environment: clean, relative to dust
Electromagnetic environment: the computer can work normally
产品用途：
对电子元器件、合金及氧化物、电工电器、珠宝、眼镜、钟表、汽车配件、塑料按键、通讯产品、环氧树脂、PVC管材、医疗器械、工具配件等进行标记。
Product use:
For electronic components, alloy, electrical appliances, and oxide jewels, watches, glasses, car accessories, plastic buttons, communication products, epoxy resin, PVC pipe, medical equipment, tool accessories for markers.
设备构成：YAG打标机主机 冷却系统 专业工控机 旋转辅助器（选配） 专业打标软件系统
Equipment: YAG laser marking machine is main engine cooling system for professional polymerizing-kettle rotation (optional) professional marking software system
北京神州正天科技有限公司
2021-08-23
江苏超芯星半导体有限公司研发碳化硅单晶生长技术
公司主营业务为第三代化合物半导体材料，当前产品为 6 寸碳化硅晶体、衬底，未来可拓展至设备和外延技术领先。公司创始人在碳化硅行业有15年以上经验，曾任国际知名碳化硅衬底企业Norstel高级研发工程师，回国后任世纪金光研发副总，获得北京市特聘专家等荣誉，担任国家01专项6寸碳化硅衬底项目负责人，研发出6寸衬底，具备丰富的长晶和设备经验，是国内为数不多的几个掌握碳化硅技术的人员之一。碳化硅半导体材料行业前景广阔，国内碳化硅材料处于起步阶段，落后于国外，能量产的企业很少，6寸衬底都还没实现量产，有技术的新企业仍然有机会。公司团队技术领先，研发出6寸衬底，创始人在行业内知名度高，行业人脉丰富，下游多家器件厂商愿意采购产品形成战略合作，具备量产6寸衬底能力。点击上方按钮联系科转云平台进行沟通对接！
四川大学
2021-04-10
半导体测试设备监控系统
南京工程学院
2021-04-13
新型半导体异质结材料
上海科技大学物质科学与技术学院教授于奕课题组与美国普渡大学研究团队合作，在新型半导体异质结研究中取得重要进展，首次成功制备并表征了二维卤化物钙钛矿横向外延异质结。相关研究成果日前在线发表于《自然》。半导体异质结精准制备是半导体器件的起点，是现代电子学和光电子学的重要基石。卤化物钙钛矿材料作为一类近年来引起广泛关注的新兴半导体，在太阳能电池、发光二极管、激光等领域展示出巨大的应用前景。在构建卤化物钙钛矿半导体异质结的道路上，有两个科学难题一直未得到解决。一方面，该材料易发生离子扩散，难以获得高质量的原子级平整的异质界面；另一方面，卤化物钙钛矿对空气、水分、电子束辐照等因素十分敏感，其微观结构解析特别是原子结构成像困难重重。缺乏原子结构信息的指导，材料的精准构筑与性能设计难以开展。于奕课题组与合作团队在这两个前沿难题的解决上取得了突破。研究人员在材料制备过程中引入刚性有机配体来抑制离子扩散，成功制备了二维有机—无机杂化卤化物钙钛矿横向异质结；发展了低剂量像差校正电子显微技术，首次揭示了二维横向异质结的界面原子结构，直接证实获得了原子级平整界面。同时，于奕团队找到了一种优化的低剂量成像方法，首次实现了辐照敏感的二维横向异质结原子结构解析。这一突破提供了界面原子结构、缺陷构型以及晶格应变等准确信息，为这类新型半导体异质结的微观结构设计提供了直观的指导。在这些研究发现的基础上，研究团队进一步合作，展示了新型异质结原型器件中的整流效应，验证了这类新型半导体走向应用的前景。相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41586-020-2219-7
上海科技大学
2021-04-11
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法，涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层，电子选择性接触选择层，空穴选择性接触层，分别贴合在所述 吸光层的两面，两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触，作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度，环境友 好，稳定等优点。
华中科技大学
2021-04-14
半导体制造系统生产调度
作为被公认为最复杂制造过程之一的半导体制造过程，其调度与控制是影响企业竞 争力的关键因素。半导体制造调 度介 于生产计划和设备控制之间，是 在满 足约束限制下，通过合理分配资 源来 优化各生产性能指标。针对我国 目前 多数半导体企业的生产管理仍 由人 工完成的现状，迫切要求提升生 产管 理的自动化，而调度与仿真软件 正是 有效支持生产管理决策的最佳 工具。 由同济大学研发的硅片制造 生产 线调度与仿真系统（TB-PSS），能够辅助管理人员进行生产调度决策，供现场操作人员参考完 成生产调度任务。 应用表明，TB-PSS 系统能够减少 带班经理交接班时间，提高工作效率； 优化瓶颈设备操作次序，提高非瓶颈 设备利用率。对提高半导体制造生产 线的管理水平具有积极的意义。
同济大学
2021-04-13
DWB系列半导体（高）低温箱
产品详细介绍—60℃～＋60℃ 精度±0.5℃～±0.01℃
天津市中科电子致冷有限公司
2021-08-23
LJB系列半导体冷阱（槽）
产品详细介绍 LJB系列半导体冷阱，应用半导体致冷器件为固体冷源，以智能化数量控温仪表为控制核心，采用大功率半导体器件为控制元件，因此，具有体积小、无噪声、操作简便、控温精度高等优点，广泛应用于军工、电子、石油化工、生物制药、大专院校及科研院所等领域，是理想的实验室和产品检测仪器。
主要技术指标 1．冷室尺寸：Φ80～Φ300mm（直径） 100～300mm（深度） 2．温度范围：＋60℃～—65℃ 3．控温精度：±0.5℃～±0.01℃ 根据用户的具体要求，增加计祘机通讯接口和升降温速率控制的功能，根据用户的特殊要求，承接异型产品的研制开发项目。
天津市中科电子致冷有限公司
2021-08-23
高压大功率半导体器件IGCT
1. 痛点问题
功率半导体是支撑能源领域发展的核心部件。为实现3060双碳目标，我国正在超常规推动新能源发电、大容量输配电和电气化交通等领域，对电压等级4.5kV以上的功率器件需求急速增长。提高器件电压和容量可以减少器件串并联数量、缩减装备体积和成本，是解决城市用地紧张、降低海上风电平台建设成本的关键。然而，受工作机理和制备工艺限制，IGBT器件最大功率等级为4.5kV/3kA和6.5kV/0.75kA，已接近瓶颈，无法满足能源发展需求。因此，亟需更高电压、更大容量、更高可靠性和更低制造成本的功率半导体器件解决方案。
2020年，中国功率半导体市场规模达2000亿元，但90%以上依赖进口，尤其是4.5kV以上器件，近乎全部进口。亟需寻求自主可控的功率半导体器件国产替代方案。
2. 解决方案
本技术面向新能源发电和输配电领域大容量、高可靠的需求，提出了自主化IGCT器件（集成门极换流晶闸管）的设计、制备和驱动控制方案，可以提高阻断电压和关断电流能力、降低器件运行损耗，且可以结合应用工况开展定制优化，如改善器件防爆特性、解决高压装置中的驱动供电问题等，从而实现大容量、高可靠、低成本、高效率的能量管理和功率变换。
目前团队已研制出4.5kV/5kA和6.5kV/4kA的IGCT器件，功率等级全面覆盖IGBT，且具有向更大容量发展的潜力。与IGBT、MOSFET等晶体管器件相比，本技术提出的IGCT具有通态损耗低、耐受电压高、可靠性高、抗干扰能力强等突出优势，符合能源发展趋势，且制造工艺沿用基本沿用传统的晶闸管路线，制造成本低，国内工艺基础好。
清华大学
2021-10-26
二维半导体材料与器件
提出了层数调制、栅极电压调制和自组装单分子层调制等物理、化学改性策略，显著调控了MoS2载流子浓度和功函数，为开发低接触电阻的高性能纳电子器件提供了手段，研究成果发表于ACS Nano、APL等知名期刊，应邀为Adv. Mater.撰写综述一篇。
哈尔滨工业大学
2021-04-14