|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
一种植株形态的精量喷雾装置
本实用新型公开了一种基于植株形态的精量喷雾装置。Γ形支架一边的底面固定在底座上，其顶面安装电机，Γ形支架另一边的安装惯性导航组件和工业相机，Γ形支架一边的内侧面装有螺杆，螺杆与电机轴连接，支架的一端与螺杆构成螺旋副，其另一端与电磁阀连接，绕有电热带组的水管安装在支架下面，水管的一端经电磁阀后与喷头连接；单片机分别与继电器组的一端、工业相机、惯性导航组件、温度传感器和经电机控制器与电机电连接，继电器组另一端分别与电磁阀和电热带组电连接。本实用新型通过对植株的拍照及对其图像序列处理获得植株形态，从而得到有效的喷雾方法，提高雾滴的沉积率；采用分组加热精确控制雾滴喷出前的温度，增加雾滴的穿透性能。
浙江大学
2021-04-13
一种基于半双工多径协作系统的虚拟全双工中继传输方法
本发明公开了一种基于半双工多径协作系统的虚拟全双工中继 传输方法，属于无线协作通信技术领域。本发明包括：通过在信源 S 和信宿 D 之间加入 N 个中继节点建立多径中继信道，在所有能够成功 解码源信号的中继节点中，通过相应算法选择一个信道条件最好的中 继节点对解码后的信号进行转发，同时，信源产生新的信号，并将其 传输给剩余的中继节点。这样，在每一个时隙，信源都能够传输一个 新信号，而无需等到上一时隙的信号被中继转发，从而实现了虚拟的 全双工中继传输。本发明通过对中断性能进行仿真分析，与传统的多 径中继信道相比，本发明在保证了分集增益的同时，也提高了多径中 继信道的频谱利用率，从而提升了整个系统的性能。
华中科技大学
2021-04-11
一种多径网络基于链路时延控制的软负载均衡方法
本发明公开了一种多径网络中基于链路时延控制的软负载均衡 方法。在此算法模型中，决定流量的最佳路径分配时，同时考虑了传 播时延和链路带宽，在无额外开销的基础上，一方面，可以实现最小 化最大链路端到端时延，减小接收端数据包重排序的等待时延；另一 方面，可以使各条链路的端到端时延差最小，因此减小了数据包时延 抖动，降低了数据包进行重排序的风险。数据包进行重排序的风险越 低、等待时延越小，数据包重排序进程带来的时延越小。因此，本发 明提出的算法模型不仅能减小端到端时延，还能减小数据包重排序进 程的时延，进而使得成功传输一个数据包的时延减小，优化多径网络 整体的吞吐量。
华中科技大学
2021-04-11
一种便于研究植物根系生长的水培装置
本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。
青岛农业大学
2021-04-13
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够
华中科技大学
2021-04-14
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
华中科技大学
2021-04-11