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频振式杀虫灯
产品详细介绍技术参数：1、频振诱控技术2、诱集光源：频振灯管(波长320～680nm)3、符合Q/JD 01－2007标准4、撞击面积：≥0.15㎡5、电网采用耐弧镀膜材料，网线直径0.6mm，电网电压：2300±115V6、触杀虫横网螺旋绕制，防止因虫体残余电网短路，网间距可根据不同靶标害虫进行选择（一般≤10mm）7、雨天自动保护：当湿度大于95%RH，频振灯能进入自动保护状态，当湿度不大于95%RH时，可正常工作8、绝缘柱：瞬间耐高温1000摄氏度，耐腐蚀，耐高压性能，雨天高压电网连续拉弧30min,绝缘柱无炭化现象9、控制面积：30～60亩10、电源电压/频率： 220V/50Hz11、电压波动范围： 160V～280V时正常工作12、绝缘电阻：≥2.5MΩ13、功率：≤35W14、设计寿命：3～5年15、当电源电压为200～280V，灯管启辉时间：≤5s16、当电源电压160～200V，灯管启辉时间：≤15s
上海点将精密仪器有限公司
2021-08-23
手持式UV灯
产品详细介绍手持式UV灯应用范围：1.异型UV固化、模型制作、工艺品成型等。 2.适用于UV胶水、实验室及临时简单施工 维修。本机特点：1.本机外形美观、体积小重量轻、节省空间、适用面广质量可靠、使用安全、操作方便。2.本机可移动工作，随意性强，机动灵活，缺点是效率比较低。3.进口光源反射镜，最大折射UV光，加强干燥固化效果。4.先进的散热系统，确保工件不受温度影响，延长灯管的使用寿命。设备参数：1、辐照距离：80-200mm；2、功率密度：80-120W/cm；3、光谱主峰：365nm；4、灯管：高压汞灯，250W；5、冷却方式：空冷排气；6、光量度范围值：1000-9500mJ/cm27、电源：AC 200/220V，45-60HZ；8、UV灯功率：250W；9、灯管总长：100mm；10、灯管发光区：35mm；11、灯管寿命：800H；13、外型尺寸： 180L*110W*325H；14、外包装尺寸：400L*310W*250H
东莞市毅迈光源照明有限公司
2021-08-23
LED教室灯黑板灯
产品详细介绍功率36W，显指>90Ra，色温5000k，UGR<16，无蓝光伤害，无频闪，该产品由我公司专业研发生产，有各类证书及检验报告，防眩光，无蓝光伤害，无频闪，可工程投标，我公司可配合工程投标文件制作指导，可指导安装，以确保质检局验收合格。联系电话18818729944
广东视康照明科技有限公司
2021-08-23
厕位指示灯
产品能在绿色和红色两种颜色之间切换。当位置内未占用时显示绿色，表示处于空闲状态;当位置内被占用时显示红色，表示处于占用状态。产品显示的色彩鲜艳均匀，产品外壳美丽大方。
产品特点
l 红绿两行色彩鲜艳均匀。
l 支持门锁状态输入和紧急按钮状态输入
l 安装简单、通过标准接口与其他产品对接。
南昌桐盛智能科技有限公司
2021-10-28
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够
华中科技大学
2021-04-14
一种利用锡须生长填充微孔的方法
本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
华中科技大学
2021-04-11