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CMOS 图像传感器芯片设计
成果与项目的背景及主要用途：
人类通过视觉系统获取的信息占获取信息总量的 80%以上，如果说计算机相当于人类的大脑，那么图像传感器则相当于人类的眼睛。图像传感器作为图像信息获取最重要和最基本的技术在信息世界中将占据着极其重要的地位。半导体图像传感器相比传统的胶片成像具有可实时处理和显示、数字输出、便于储存和管理等诸多优势，正在迅速成为图像传感器发展的主导力量。CMOS 图像传感器相对于 CCD 图像传感器具有单片集成、低功耗、低成本、体积小、图像信息可随机读取等一系列优点。在手机拍照、PC 摄像、机器视觉、视频监控等诸多领域已经取代了 CCD 图像传感器。
技术原理与工艺流程简介：
（1）时间延迟积分型 CMOS 图像传感器芯片通过 0.18µm 1P4M CMOS 工艺完成了对最高 128 级线阵长度为 1024 像素的TDI 型 CMOS 图像传感器芯片的设计、投片和测试工作。
（2）具有紧凑读出的多次积分动态范围扩展 CMOS 图像传感器提出了一种通过多次积分扩展动态范围的方法，采用紧凑读出方式，以降低对对读出电路的工作速度要求。成功流片 128×128 阵列原型，动态范围可以扩展39dB,像素读出时间相对于滚筒是曝光增加了 3 倍。
应用前景分析及效益预测：
该领域开始向着高清专业摄像、高精度工业和医疗成像、抗辐射太空成像等专业高端领域迈进。CCD 传感器的衰退之势难以挽回，CMOS 将在未来几年保持优势地位。2015 年，CMOS 出货量将达到 36 亿个，份额达 97%；而 CCD 出货量将下降到只有 9520 万个，占 3%份额。
应用领域：
CMOS 图像传感器广泛应用于消费类、工业和科技等各个领域。民用领域：拍照手机、数码相机、可视门镜、摄像机、汽车防盗等；工业领域：生产监控、安全监控等。
技术转化条件：
四十平方米以上的办公用房，电脑、工作站若干，相应软件。也可以和 RFID天线制造单位，卡片封装单位共同合作。
合作方式及条件：根据具体情况面议
南开大学
2021-04-11
传感器功能演示仪
430mm×350mm×135mm；组成：铝合金包边箱、电源、多种传感器模块等；配合新课程物理教材中传感器这一章节使用；多种传感器模块（热敏、光敏、声敏、磁敏等）；配有相关操作使用说明书。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
一体位移传感器
量程：0.15m～6m，分辨率1mm，超声波的发射装置和接收装置集成一体。具有静态和动态测量位移的功能，可计算速度、加速度等物理量。
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
氯化氢（盐酸）传感器
产品详细介绍电化学盐酸气体HCL传感器-A1主要参数 灵敏度：50～110nA/ppm 响应时间：< 300s 分辨率：2ppm 尺寸：Φ20.2*16.5 工作温度：0～50℃ 工作湿度：15～90％RH 负载电阻：10～33Ω
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
高温热流传感器
产品详细介绍HTF-450 高温热流传感器用于工业、实验室和研究。HTF-450 高温热流传感器由陶瓷高温材料制成，配不锈钢外壳。可精确测量、记录和控制极端环境（例如； 窑壁、炉管、核能发电机等）的热流。在使用时，传感器安装至被测材料表面，或嵌入墙壁。可自产生mV 输出（与热流成正比）。HTF-450 高温热流传感器应用：工业、高温隔热、海底和船舶、消防设备、管道、精炼和反应器、航空规格：型号HTF-450最高温度450°C（短期500°C）热流范围20 kw/m2热导率0.95 W/m °K精度±3%尺寸直径15.9mm X 厚3.6mm (可定制尺寸)
上海图新电子有限公司
2021-08-23
远程测距&位移单体传感器
产品详细介绍
量程0.2-10m，分辨率1mm 数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯和无线通讯。
江苏艾迪生教育发展有限公司
2021-08-23
多量程电流传感器
产品详细介绍
江苏六鑫科教仪器设备有限公司
2021-08-23
超临界水热合成纳米金属及其氧化物粉体
高校科技成果尽在科转云
西安交通大学
2021-04-10
深度脱除燃煤烟气硫氧化物的系统及方法
本发明涉及一种深度脱除燃煤烟气硫氧化物的系统及方法，所述系统包括湿法单塔高效脱硫系统、吸收剂喷射系统和湿式静电烟气净化系统，所述湿法单塔高效脱硫系统与吸收剂喷射系统相连通，吸收剂喷射系统与湿式静电烟气净化系统相连通，湿式静电烟气净化系统与烟囱相连通。本发明可以实现燃煤烟气中SOx的综合净化，实现SOx超低排放，达到燃气标准并可进一步实现SO2和SO3的深度净化，实现SOx排放浓度低于20mg/Nm3。
浙江大学
2021-04-11
一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法
（专利号：ZL 201410514805.8） 简介：本发明公开了一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明的钬钴氧化物纳米棒由HoCoO3单相构成，长度约1μm，直径约50nm。其制备方法的要点是：将钴盐、钬盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂，其中水与聚二醇体积比为100：10～20，然后加热到80～100℃，搅拌时间至少1h；然后将水合肼和氢氧化物依次加入，其中水合肼和水溶性钴盐摩尔比为1～3:1
安徽工业大学
2021-01-12