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一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14
一种六方氮化硼粉体及其制备方法
本发明具体涉及一种六方氮化硼粉体及其制备方法。其技术方案是：先按脲醛树脂与水的质量比为1∶(0.2——1)将脲醛树脂与水混合，得到脲醛树脂水溶液；再按含硼化合物中的硼元素与脲醛树脂水溶液中的氮元素的质量比为1∶(1.5——4)将含硼化合物加入到脲醛树脂水溶液中，搅拌10——50min；然后在80——100℃条件下干燥，干燥后球磨0.5——3h；最后在氮气气氛和1000——1600℃条件下保温1——5小时，随炉冷却至室温，得到六方氮化硼粉体。本发明具有生产周期短、工艺简单、适宜工业化规模生产的特点，所制备的六方氮化硼粉体纯度和结晶度显著高于现有方法制备的六方氮化硼粉体。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
射频传感网实现睡眠呼吸监测的技术与系统研究
睡眠呼吸监测及其呼吸信号的检测方法
中山大学
2021-04-10
基于 2.4GHz 无线射频芯片的可恢复低功耗防盗系统
本实用新型在已有射频防盗系统的基础上，提出一种基于 2.4GHz 无线射频芯片的可恢复低功耗防 盗系统，它是基于 2.4GHz 无线收发射频系统而实现的，其核心包括电子标签，监控装置，而唤醒装置、 恢复追踪装置和上位机非必须。通过加入唤醒芯片进一步降低了电子标签的功耗，并且增加唤醒装置， 恢复追踪装置，上位机，并且配有独特的软件设计，实现电子标签在多个工作状态中定时自动转换，以 达到扩展电子标签的实用性和延长使用寿命的目的，摘要附图中给出了该防盗系统的主要构成模块及数 据流。
武汉大学
2021-04-13
一种基于射频识别的人机交互系统及方法
本发明公开了一种基于射频识别的人机交互系统及方法，人机 交互系统包括交互屏、协调器、读写器、卡套以及主机，交互屏由依 次连接的触摸屏、显示屏和射频天线层构成；协调器与天线层连接， 读写器与协调器连接；卡套包括指套以及位于指套中且携带有信息的 卡片，主机与读写器和交互屏连接，用于控制交互屏准确定位触点位 置、控制触点位置附近的天线开启、控制读写器检测卡套中卡片的信 息以及将触点和卡片信息绑定。本发明通过触摸屏感知用户触
华中科技大学
2021-04-14
一种用于射频锁相环的快速自动频率校准电路
本实用新型涉及一种用于射频锁相环的快速自动频率校准电路，能够使采用本电路的射频锁相环在 较低的压控增益条件下覆盖较大的输出带宽，同时具备较快的锁定速度。本电路采用准闭环结构，包括 一个电压比较器、一个脉冲产生器和一个计数器模块，具有结构简单、锁定速度快的特点。计数器模块 使用二分查找法和超前进位加法器进一步缩短了锁相环频率粗调节时间，从而加速锁定过程。
武汉大学
2021-04-14
射频读写设备及应用该设备的车辆识别与辅助测速系统
南京邮电大学
2021-04-14
一种射频功率放大器功率控制系统
本发明涉及功率放大器技术，具体为一种结合功率合成与动态 负载的射频功率放大器功率控制系统。在单片射频收发器中，功率控 制常采用数字控制的功率合成技术，当功率放大器工作在非最大输出 功率水平时，其效率会由于等效负载不是最佳负载而降低。本发明系 统由射频功率合成单元、动态负载单元和功率控制逻辑单元；功率控 制逻辑单元接收功率控制信号从而控制加权的功率放大器的组合，通 过查找表调节动态负载调节电路状态，从而有效提高各种功率
华中科技大学
2021-04-14
GaN 基高压 LED
可以量产/n高压LED是多个LED单元的芯片级串联，互连比多个小功率管芯打线互连更为可靠；且LED单元之间间距很小，光线集中，便于光学设计，可用于高光密度照明，路灯、广场照明和舞台聚光照明等。几个高压LED串联后可直接达到市电电压水平，变压能耗小，驱动设计简单，可用于各种市电照明场合，例如室内照明、园区和工作场所照明等；高压LED能减小驱动电路、光学设计和散热部分的体积，因此 可采用多种灯具形式和适用多种安装场合。
中国科学院大学
2021-01-12
PbTe基热电材料
PbTe材料体系作为p型热电材料有着优异的性能，不但呈现出较高的热电优值ZT=2.3@923K（Energy Environ. Sci., 2015, 8, 2056），并且在室温到900K的温度范围拥有较高的平均热电优值ZTave=1.56，因而其理论发电效率可达20.7%（Nat. Commun. 2014, 5, 4515）。这两篇论文从不同的方法和机制出发，在n型PbTe研究上实现了重大突破，极大地平衡了n型PbTe相较于p型材料性能的劣势。 第一篇论文中，该团队研究发现：通过InSb的复合及实验条件的控制，有效地在PbTe基体材料中引入多相纳米结构，可同时优化该材料体系的热、电输运性能。一方面，纳米相和基体之间的能量势垒（势阱）可以通过能量过滤效应提高Seebeck系数，进而增强功率因子；另一方面，多重纳米相的引入增强了界面处的声子散射可降低晶格热导率。最终，在n型PbTe-4％InSb复合材料中，获得极高的热电优值ZT=1.83（773 K），是目前n型PbTe材料体系中的最高值。
南方科技大学
2021-04-13