高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种用于大型非平整表面沉积的装置及方法
本发明公开了一种原子层沉积装置,包括原子层沉积单元喷头,所述单元喷头包括高压气流入口,惰性隔离气体入口通道,出气口通道,和两种前驱体入口通道,其中所述高压气流入口喷出高压气体以顶起整个沉积装置,该装置是微型开放式且可移动可扩展,能够适用于大型非平整结构表面薄膜沉积,并可直接经过简单多块组合,增加沉积效率。
华中科技大学 2021-04-14
一种多元物质原子层沉积膜制备方法及装置
本发明公开了一种多元物质原子层沉积膜制备方法和装置,所 述方法,即使基片相对于原子层沉积反应腔直线运动,依次通过其内 用于完成不同原子层沉积的原子层沉积系统,基片通过每个原子层沉 积系统时:调整基片温度为相应原子层沉积反应最适温度。所述装置, 包括原子层沉积反应腔、基片承载台、运动平台和温度控制装置;原 子层沉积反应腔依次设置有多个原子层沉积系统;基片承载台,设置 在原子层沉积反应腔下方;运动平台,与基片承载台连接,带动基片 承载台运动;温度控制装置,设置在基片承载台下方。所述方法能高 效快速的制备多元物质原子层沉积膜,所述装置,能方便的通过现有 原子层沉积系统组装,兼容性强,功耗低,沉积效率高。 
华中科技大学 2021-04-11
同腔原位复合沉积铱-氧化铝高温涂层设备与工艺
同腔原位复合沉积铱?氧化铝高温涂层设备与工艺,涉及化学气相沉积技术领域。设备包括反应腔体系统、四条管路系统、真空系统和尾气处理系统,系统之间通过管路密封连接。四种前驱体源置于源瓶中,源瓶与四条管路分别相连。通过四个气动阀调控前驱体源的通入,N2作为源的载气,真空泵系统为设备提供一定真空度,尾气处理处理系统对反应后产物进行处理后排放;通入Al(CH3)3、H2O源,ALD沉积复合材料的Al2O3层,通入Ir金属化合物、O2源,ALD沉积复合材料的Ir层,将Ir化合物源通入反应腔内高温分解,CVD沉积Ir层。按照复合涂层工艺方案沉积,得到耐高温抗氧化、高粘附力、抗热震的Re基Ir?Al2O3复合涂层材料。在航空航天、能源动力以及国防等领域具有广泛的应用。
东南大学 2021-04-11
电沉积低温烧结制备氧化物薄膜和微叠层技术
本技术可以获取各种单一氧化物和多元氧化物纳米薄膜,以及叠层氧化物纳米薄膜。可用于提高金属的抗腐蚀性能以及获得多种特殊功能,如铁电性能、磁性能、电致变色、化学催化、超导、光电转换等。 本技术可以获得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的单一氧化物或它们的多元氧化物纳米薄膜,厚度<0.2um。氧化物薄膜质量优于溶胶凝胶法,厚度均匀,根据需要可以控制厚度膜。先后沉积不同的氧化物薄膜可以获得叠层氧化物纳米薄膜。制备过程简单,重现性好是本技术的优势。
北京科技大学 2021-04-11
一种喷射沉积成形制备大块非晶合金的方法
雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于,将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起,是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成,是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜,块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上,杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12~13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金,这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明,沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利,杨滨,刘宗峰,张勇,张济山,陈国良,一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法,专利号:ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”,获中国有色金属工业科学技术奖一等奖(2003.12)。
北京科技大学 2021-04-11
金属有机化学气相沉积工艺和反应器设计
项目简介 本成果基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)GaN 生长的化学反应动力学原理和传热 传质原理,设计了一种新的 GaN 生长的 MOCVD 工艺,以及相应的新的 MOCVD 反应器。新 工艺可以大大减少气相寄生反应、提高衬底上方的温度和浓度均匀性,加大生长窗口。 改进了传统的 MOCVD 工艺窗口窄,对温度和浓度过于敏感等缺点,属国际首创。围绕该 成果已申请多项发明专利。 性能指标
江苏大学 2021-04-14
高白度抗静电纳米粉体
        研发团队针对高性能、抗静电热控涂层材料开展自主科研攻关,研发出具有自主知识产权的白色氧化锌导电粉体,与相关企业合作建立了100Kg级导电粉体中试生产线,完成了粉体批次稳定性验证,突破了批量制备导电粉体稳定性差的瓶颈,形成了一套高性能白色氧化物导电粉体的标准生产工艺。产品技术指标经权威检测机构检验达到或超过进口产品水平,并已通过国家航天领域应用验证。同时,产品原料及生产成本远低于进口产品,有望在我国民用市场普及。产品可应用于汽车、电子、纺织、橡胶和化工等领域的防静电、节能、电磁屏蔽等,如轮胎橡胶添加剂、红外反射涂层、防静电涂层等,市场前景广阔。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
电化学沉积制备单原子催化剂的普适性方法
近日,中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心和化学物理系曾杰教授、周仕明副教授研究团队发展出了一套利用电化学沉积制备单原子催化剂的普适性方法,利用该方法研究人员成功制备出了34种单原子催化剂,覆盖了多种过渡金属和多种衬底。相关成果发表在《自然·通讯》上。发展对衬底和金属无选择性的普适性单原子合成方法具有重要意义。研究人员在电化学三电极体系下进行电化学沉积,并通过阴极沉积和阳极沉积获得了两种Ir1/Co(OH)2单原子催化剂。此外,研究人员又探究了沉积条件(前驱体浓度、沉积圈数和沉积速率)对单原子形成的影响,发现当金属的负载量低于某一限度时,可以获得单原子;高于这一限度时则有金属团簇或颗粒形成,这一变化类似于液相中晶体生长中的成核过程(图1)。电化学沉积制备单原子的机理研究。(a)阴极沉积示意图;(b)阳极沉积示意图;(c)在阴极沉积中,前驱体浓度、沉积量和单原子形成的关系;(d)在阳极沉积中,前驱体浓度、沉积量和单原子形成的关系。为了证明该方法的普适性,研究人员又在氢氧化钴、硫化钼、氧化锰、氮掺杂的碳等衬底上成功获得覆盖3d、4d、5d金属的单原子催化剂,并且对所制备的单原子催化剂的结构表征后发现,阴极和阳极沉积获得的同一单原子催化剂具有不同的电子结构,这为其在不同催化反应中的应用提供了可能。研究人员还对所得单原子催化剂在电催化水分解反应中的性能进行了探究。实验结果表明,阴极沉积所得的一些催化剂在电催化析氢反应中表现出了优异的性能,同时,阳极沉积所得的一些催化剂在电催化析氧反应中也表现出了良好的性能。该制备单原子催化剂的普适性方法不仅为单原子催化领域注入了新的活力,而且为今后系统性研究催化剂结构和性能之间的关系提供了新的思路。论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-020-14917-6.pdf详细阅读:http://news.ustc.edu.cn/2020/0313/c15884a414545/page.htm
中国科学技术大学 2021-04-10
一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置
本发明公开了一种用于制作原子层沉积膜的可拆卸喷头及装置。用于制作原子层沉积膜的喷头,包括进气管路、进气口和出气口;所述进气口内部为空腔;所述出气口内部形成空腔,分为上半部分和下半部分,其上半部分与下半部分之间设有漏斗形结构;进气管路与进气口固定连接,进气口与出气口可拆卸密闭连接。用于制作原子层沉积膜的装置,包括所述喷头、腔体支撑架、基片承载台和运动平台,腔体支撑架中间形成长条状镂空,可顺序设置多个可拆卸喷头,基片承载台设置在墙体支撑架下方,运动平台带动基片承载台。本发明能适应不同的原子层沉积反应,通
华中科技大学 2021-04-14
混合自组装分子层修饰的基底表面沉积纳米金颗粒的方法
本发明公开了一种混合自组装分子层修饰的基底表面沉积纳米 金颗粒的方法,该方法包括:将将氧化物或无机基底的表面进行洁净 处理,去除硅表面的油脂、油污等有机物、无机物和氧化层,使基底 表面羟基化;随后采用分步法,在预处理过的硅基底浸入含有有机硅 烷自组装分子的溶液中,进行硅表面分子自组装修饰,得到不同的有 机链混合生长的自组装单分子层;最后在已生长有混合自组装单分子 层的基底表面采用柠檬酸盐法沉积金纳米颗粒。按照本发明使用的基 底清洗方法和改性方法可通过自组装分子的生长时间来实现对金纳米 颗粒均匀分布的
华中科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2 3 4 5 6
  • ...
  • 92 93 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1