高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
探针台 高低温真空磁场型探针台 高精度半导体测试实验台
产品概述: 锦正茂高低温真空磁场探针台是具备提供高低温、真空以及磁场环境的高精度实验台,它的诸多设计都是专用的。因此,高低温磁场探针台的配置主要是根据用户的需求进行选配及设计。例如,要求的磁场值,均匀区大小、均匀度大小、样品台的尺寸等,均于磁力线在一定区域内产生的磁通密度相关联;位移台还可与磁流体密封搭配,实现水平方向二维移动和样品台360度转动;除此之外,该探针台和我司自主研发的高精度双极性恒流电源搭配使用户,可以磁场的高稳定性。因此,该类型的探针台主要依据客户的使用情况进行设计优化。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 锦正茂高低温真空磁场探针台探针台配备4个(可选6个或8个)拥有高精度位移的探针臂,同时配有高精度电子显微镜,便于微小样品的观察操作。探针可通过直流或者低频交流信号,用来测试芯片、晶圆片、封装器件等,广泛应用于半导体工业、MEMS 、超导、电子学、铁电子学、物理学、材料学和生物医学等领域。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 应用范围: 磁特性测试、微波特性测试、直流、RF特性测试,微电子机械系统,超导电性测试,纳米电路的光电属性,量子点和线,高低温真空环境下的芯片测试,材料测试,霍尔测试,电磁输运特性等。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速! 可选附件: þ 各类DC探针、高频探针、主动式探针、电缆线 þ CCD或C-MOS视频成像装置 þ Chuck运动装置 þ 电磁铁系统/超导磁铁系统 þ 1Mpa正压系统升级 þ 超高温升级选件 þ 超高真空升级选件 þ 各类探针夹具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 转接头 þ 静音真空泵 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”,就能看到我们的企业店铺,联系更加方便快速!
北京锦正茂科技有限公司 2022-01-22
一种用于铸造铝合金表面制备复合涂层的涂料及使用方法
本发明提供了一种用于铸造铝合金表面制备复合涂层的涂料及使用方法,该涂料由涂料A和涂料B组成,其中涂料A包括Al(H2PO4)3和纯水,涂料B包括Mg(H2PO4)2、纯水和Al2O3粉末;该涂料的使用步骤如下:1)配制涂料A和涂料B:2)将铸造铝合金样品放置于碱性溶液中碱洗,之后用纯水清洗,最后自然干燥后备用;3)在干燥后的铸造铝合金表面涂覆涂料A,
东南大学 2021-04-14
在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法
一种在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法,其特征是它由混合粉压实片预制和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的混合粉压实片预制是指将镍基自熔性合金粉末、氧化镧粉末先用球磨机混合均匀,然后烘干,最后在压力机上压制成片。所述的激光熔覆处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面,然后进行激光熔覆加工。本发明通过添加氧化镧(La2O3),提高了镍基涂层粉末对激光热的吸收性能,提高了涂层与基体的界面融合性能。产品性能、指标本发明熔覆工艺性能优良,涂层组织致密,界面结合好,
江苏大学 2021-04-14
在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法
项目简介 一种在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法,其特征是它由混合粉 压实片预制和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的混合粉压实片预制是指将镍基自熔性 合金粉末、氧化镧粉末先用球磨机混合均匀,然后烘干,最后在压力机上压制成片。所 述的激光熔覆处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面,然后进行激光熔覆加 工。本发明通过添加氧化镧(La2O3),提高了镍基涂层粉末对激光热的吸收性能,提高 了涂层与基体的界面融合性能。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺
江苏大学 2021-04-14
在钛金属表面制备 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂层的方法
项目简介 一种在钛金属表面制备 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂层的方法,它由预制由 Nb 粉、 Sn 粉、Zr 粉、Ti 粉组成的混合粉压实片和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的预制混合 粉压实片是指将一定质量百分比的 Nb 粉(62.2%)、Sn 粉(26.5%)、Zr 粉(10%)、Ti 粉 (1.3%)先用球磨机混合均匀,然后烘干,最后在压力机上压制成片。所述的激光熔覆 处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面,然后进行激光熔覆加工。本发明熔 覆工艺性能优良,涂层组织致密,界
江苏大学 2021-04-14
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低,可反向导通,dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为: ? 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ? 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ? 高端浮动电压轨到100V ? 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ? 快速的延迟时间 (28ns typ) ? 非常优越的延时匹配(1.5ns typ)
电子科技大学 2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路,通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰;同时利用高端栅极钳位技术,在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位,防止对上开关管的损坏。
电子科技大学 2021-04-10
基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测器及制备方法
本发明公开了一种基于 Bi 基四元卤化物单晶的半导体辐射探测 器及其制备方法,涉及半导体材料制备的射线成像探测器技术领域。 所述的半导体辐射探测器结构包括以Bi基四元卤化物单晶作为射线吸 光层,电子选择性接触选择层,空穴选择性接触层,分别贴合在所述 吸光层的两面,两个电极分别与两个选择性电荷接触层接触,作为器 件的正极和负极。本发明的半导体辐射探测器具备高灵敏度,环境友 好,稳定等优点。
华中科技大学 2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道:采用 双离子束沉积技术,一束离子轰击靶材,使材料原子发生溢出,原子 沿轨迹沉积到深孔中,一束离子轰击深孔表面,使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部,从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出,减小了电极的接触 面积,同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学 2021-04-14
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 22 23 24 25 26 27 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1