一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS

本项目采用真空熔铸方法，解决了 Cu-Cr 合金铸造产生的成分偏析及组织不 均匀问题，得到的显微组织细化、成分均匀化，尤其是合金中 Cr 粒子的细化问 题，大幅度提高耐电压强度，同时又能保持铜的高导电性，触头的小型化才有实 现的可能。本方法还能回收利用生产废料，因此生产工艺更为环保。而且生产成 本大大降低，性能还有所提高。本项目制备的触头材料,性能与国内外同类产品 相比,在导电性,均匀性,组织细化等多方面全面领先。

实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。另外本实验还可以利用磁控法测量电子荷质比，研究真空中电子能量遵从费米-狄拉克分布。   仪器概述 本实验装置的核心部件是一只理想（真空）二极管和套在理想二极管外的通电螺线管线圈。本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法、补偿测量法和磁控法等基本方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。   精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：每个实验电源都配置模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验一：金属电子逸出功的测定 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   实验二：电子在径向电场和轴向磁场中的运动（磁控法测量电子荷质比）   实验三：费米-狄拉克分布的研究     实验四：理想真空二极管的伏安特性   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二极管盒   BEM-5716    螺线管线圈   BC-105236    连接导线，2mm护套香蕉插头，红   BC-105238   【2】 连接导线，2mm护套香蕉插头，黑   BC-105239   【2】 连接导线，4mm香蕉插头，红   BC-105084    连接导线，4mm香蕉插头，黑   BC-105083    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 红   BC-105074    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 黑   BC-105073    电源线   BC-105075    用户手册   CD-M-BEX-8510B  

已有样品/n一种冰核蛋白-超声波协同提高柑橘汁冷冻浓缩晶体成核温度的方法。　　成果简介：一种冰核蛋白-超声波协同提高柑橘汁冷冻浓缩晶体成核温度的方法，属于食品工程技术领域。本发明具体涉及在-15-20℃下通过冷冻浓缩法来制备柑橘浓缩汁，将10-50μg/mL冰核蛋白溶解于柑橘汁中，同时施加频极电流为0.2-0.5A的超声波，超声波频率为25MHz，超声波处理时间为0.5-2min，通过适当的搅拌使柑橘汁受到均匀的超声波作用，能够提高柑橘汁冷冻浓缩晶体成核温度5-8℃，并且快速形成冰晶。本发明方法节能

该产品采用了创新型结构，具有较强的承载能力和大阻尼特性，可用于中、重型动力装置的隔振。其阻尼峰值及频率可以依据实际需要进行调节，从而大幅度降低振动与噪声水平，显著提高乘坐舒适性，并且结构简单，成本较低。采用了特别的保护措施，具有良好的密封性和较高的可靠性。样品已通过动态特性测试和装车实验，也可进行乘用车动力装置匹配。

本发明公开了一种液滴阵列PCR芯片，所述芯片是以单晶硅片或玻璃片为基材，采用标准光刻和湿法刻蚀技术制备得到，所述的芯片以单晶硅片或玻璃片为基材、在所述的基材上依次附着SiO2氧化层、由SiO2氧化层表面硅烷化生成的硅烷层，所述的硅烷层布置有光刻胶工艺刻蚀形成的可形成液滴状阵列的亲水坑阵列，所述亲水坑阵列外围设置有封闭成环的护栏，所述的护栏与所述硅烷层液密封连接。并公开了所述芯片应用于实时定量聚合酶链式反应检测或实时定量等温扩增反应检测。本发明提供的检测系统将反应体积大为降低，而且检测灵敏度和商品化定量PCR仪相当。检测体系简单易操作，成本低，可应用于商业化。

成果描述：采用化学法利用工业级三氧化二钒和五氧化二钒制备全钒氧化还原液流电池电解液，不引入其它金属离子杂质。本制备方法具有工艺流程短、设备简单、耗时短、原料利用率高、成本低、避免二次污染等优点。 用本方法制备的电解液中 V3+、V4+离子浓度比为 1:1，电解液可同时作为电池的正负极电解液，避免了采用硫酸氧钒溶液做电解液时正、负极电解液电荷不匹配问题，简化了电池初始化工序，降低了生产成本，提高了生产效率。市场前景分析：钒电池主要应用于太阳能和风能发电站的稳定供电、电网调峰、集中用电的重要企业和部门以及通讯设备的备用电源，医院、军事上的应急电源等领域。与同类成果相比的优势分析：反应温度75～95℃，反应时间10～20min，制备的电解液中V3+、V4+离子浓度比为1:1。 国际先进

本实用新型公开了一种定量均匀补液的培育装置，包括补液盒以及放置于补液盒中的培养盒，所述培养盒底部开设有若干渗液孔，培养盒一侧设置有注水装置以及出水口。通过注水装置向补液盒中注入水，然后将培养盒根据所需浸湿的深度放入补液盒中，在培养过程中，可以根据需求不断添加或排除水分，该实用新型结构合理，实用简单，可以很好地解决培养试验中定量均匀补水或营养液的问题，避免因补水量不同以及因补水不均匀造成的实验误差。

自动化移液枪头移装系统，装盒机构和用于输送移液枪头的传送机构，装盒机构包括取枪头机构、用于枪头盒平台、电动推杆、用于搭载枪头盒平台并可带动枪头盒平台沿两个互为垂直的方向运动的水平工作台；取枪头机构包括枪头获取装置，及控制机构；枪头盒平台的边缘，远离电动推杆的一端，设置有用于执行扣合盒盖的扣盖机构；扣盖机构包括安装于工作平台上的扣盖条，沿枪头盒被推动的方向，扣盖条向枪头盒平台的内侧、上方倾斜。可完成取移液枪头、放移液枪头，以及移液枪头装盒结束后，自动扣合枪头盒的盒盖的移液枪头装盒全流程操作。整合装盒过程中，不需人工干预，可提高移液枪头的装盒效率。

一、 项目简介“硅单晶碱性抛光液及清洗液”项目,始自七十年代中期,不断对产品研发与升级。FA/O硅单晶碱性抛光液，具有较高的抛光速率，能有效去除衬底表面损伤层，表面微粗糙度较低，可解决衬底片结底不平引起的噪声增加、漏电流增大，实现了表面高完美性，提高了衬底片器件区的可靠性与衬底片良品率。FA/O硅单晶清洗液，采取特有的物理优先吸附，有效去除抛光片表面颗粒物、有机物沾污，清洗后衬底片表面重金属离子降至ppm级，达到了易清洗、高洁净。二、 项目技术成熟程度该项目的研发、应用，满足了硅单晶衬底片加工高去除速率、低表面粗糙度、高表面完美性、易清洗、高表面洁净、高可靠性等指标的工业要求。自1994年至今，产品已累积销售一千多吨，性能稳定、质量可靠。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）抛光液抛光速率1.2-1.5um/min,粗糙度达A级。清洗剂可达到微电子的需求。研发的抛光液获国家1983年发明四等奖、1990年发明三等奖、清洗技术获1999年国家三等奖。抛光液、抛光清洗液列为国家级科技成果重点推广计划，列为国家重点新产品。申请专利授权中3项，授权6项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）据统计，仅中国（含台湾地区）硅单晶抛光液的年需求额40多亿元。FA/O硅单晶碱性抛光液，广泛用于硅分立器件、功率器件与集成电路衬底片加工。已多年供应国内华润华晶、洛阳鼎晶、深圳深爱等多家知名企业，被指定唯一用于国家航天神五至神十专用集成电路高可靠衬底抛光片加工，具有广泛的市场应用前景。FA/O硅单晶清洗液，广泛用于要求易清洗、高洁净的硅衬底片清洗。已被中科晶电信息材料有限公司等多家知名企业应用，市场应用前景广泛。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）年产量5000吨的生产规模投资为约3000万元，需千级以上超净化厂房。可依产能需求调整资金投入。产品生产控制节点少，操作人员需求少，适于自动化生产。六、 生产设备低压真空系统、百级超净车间、去离子水系统等。七、 效益分析生产工艺与操作简单、成本低、环保性好，效益较高。八、 合作方式主要采取合作生产、代理代销，可提供技术支持与培训，或面谈。九、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）项目联系人：刘玉岭 联系电话：022-60204128Email：liuyl@jingling.com十、 高清成果图片2-3张