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一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
复旦大学
2021-01-12
硅PU球场
是一款绿色环保的水性材料，它是完全不含石棉，铅或水银等化合物，高度抗紫外线性能，颜色持久不褪色，经久耐用，超强耐磨，此款材料的颜色多样，有篮，红，绿等多种色泽可供选择，它的面层结构优越，有效的缓冲力能降低对运动员的伤害及疲劳，保养容易，维修成本低，在任何气候都能牢固使用，使用寿命长
广东金邦体育设施有限公司
2021-02-01
裸眼3D医学影像设备结构互动系统
裸眼3D医学影像设备结构互动系统采用裸眼3D技术，无需任何外部眼镜，借助内置眼动追踪技术，加上其手持式触控笔设备（其功能类似于笔），与自然手势和动作配合使用，即可实现医学影像设备结构三维立体效果，提供沉浸式互动学习体验。
医影智能
2026-04-16
高效有机硅杀菌剂—氟硅唑
氟硅唑，商品名福星，是淄醇脱甲基化抑制剂，用来防治谷类、苹果、葡萄等作物的黑星病，特别是对梨黑星病有特效，40%的乳油10000～12000倍能有效地防治梨黑星病，进口40%乳油的市场价格为50万元/吨。按现在的工艺条件，折百的原药原料成本小于30万元/吨。
南开大学
2021-04-10
一种变线宽激光振镜扫描快速刻蚀方法
本发明公开了一种变线宽激光振镜扫描快速刻蚀方法，本发明 利用激光束离焦后功率密度梯度变小光斑变大的原理以及高速振镜扫 描误差精确矫正方法，通过设置不同的在焦和离焦激光加工距离及对 应功率参数和激光振镜扫描参数来控制激光光斑大小，对图形填充区 采用离焦后的大光斑光栅扫描填充，然后对图形轮廓进行矢量扫描勾 勒。本发明针对不同的工作距离预先进行振镜扫描误差矫正，生成高 精度振镜扫描定位表，确保在不同激光加工距离获得同等高精
华中科技大学
2021-04-14
拉深挤压切边复合模具
南京工程学院
2021-04-13
深空探测通信传输技术
哈尔滨工业大学
2021-04-14
圆筒拉深工艺分析软件
圆筒拉深是拉深工艺中应用最多的一种。最佳拉深工艺要求以最少的拉深次数在不起皱 和不破裂的前提下成形合格零件。目前国内各种冲压手册沿用前苏联罗氏手册中给出的低碳 钢板材在圆角凹模拉深时无压边圈和有压边圈情况下的多次拉深极限数据，不仅材料少，而 且没有考虑工件和模具几何参数、压边力以及润滑条件等因素，参考价值有限。而圆锥凹模 拉深极限数据尚无可参考资料。 本软件是 2008 年度江苏省机械工业科技进步一等奖项目《板料成形压缩失稳预测与控 制》的主要成果。该软件依据项目提出的拉深危险断面最大承载通式和新的塑性弯曲能量方20 程以及变形区应力应变分析，编制了如下程序： （1）无压边圆角凹模拉深皱曲极限预测程序 （2）无压边锥模拉深皱曲极限预测程序 （3）有压边圆角凹模拉深最小防皱压边力预测程序 （4）有压边圆角凹模拉深破裂极限预测程序 （5）有压边圆角凹模再次拉深破裂极限预测程序 （6）有压边锥模再次拉深破裂极限预测程序 该软件适用于所有拉深板材，不受工件和模具几何参数以及工艺条件限制，只要输入工 件材料及几何参数、模具参数、工艺条件，即可准确地预测各种拉深条件下的起皱与破裂极 限和最小防皱压边力。是模具工程师的得力分析软件。 软件采用 FORTAN77 语言编制，在普通微机上即可运行。
南京工程学院
2021-04-13
硅通孔结构
本实用新型公开了一种硅通孔结构，其形成于硅片上，并包括掺杂粒子构成的导电区和绝缘区，绝缘区与所述导电区掺杂的粒子的极性相反，所述导电区表面覆盖有金属电极，所述硅片的表面除所述金属电极之外的区域覆盖有绝缘层。本实用新型硅通孔结构的优点在于：通过粒子掺杂方式形成硅通孔结构的导电区和绝缘区，导电区和绝缘区的基体都还是硅片本身，避免了目前硅通孔技术中金属和硅片热膨胀系数不同造成的热应力问题，能够提高器件的可靠性和寿命。
华中科技大学
2021-04-11
硅光子平台开发
已有样品/n成功开发了系列硅光子流片工艺模块和初版PDK，其中标准单元库主要包括单模波导、Y-分支、光交叉器、耦合光栅等无源器件，而最近有源工艺的成功开发，将向标准单元库中添加加热电极、调制器和Ge 光电探测器等有源器件。此次有源器件流片的成功，加上先导中心2016年上半年开发成功的硅光子无源工艺及器件（图3），使微电子所硅光子平台已具有为业界提供基于180nm工艺的硅光子流片服务的能力，成为国内首个基于8英寸CMOS工艺线向用户
中国科学院大学
2021-01-12