集成电路工电路程实践平台是面向高校集成电路和微电子等相关专业，提供集成电路平台教学、实验、实战和科技为一体的实践平台。

建设专业的实践教学科研平台，提供产业级集成电路设计环境。 培养高质量的集成电路专业人才，提高学生实践开发能力和工程实践技能。 校企联合共建课程体系，加强双师型师资队伍建设，创新人才培养模式，加强专业建设软实力。 为申报各类省部级以上重大科研项目提供支撑条件，为各类相关科研试验提供设备和场地支持。 提供工程教育认证整套解决方案及工程认证专家指导。 发挥服务地方经济建设的功能，为地方培养优质的集成电路专业人才。

1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陈莹梅教授团队于2015年至2020年期间，共承接华为技术有限公司、海思光电子有限公司等多家企业的横向合作项目9项，其中10G线性均衡器芯片已在海思商用，高速以太电口模拟器已在华为量产，24路总传输速率1.344Tb/s的数控可调衰减器芯片正在华为量产准备中。

项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。 

一、 项目简介  高温超导滤波器技术作为一个新兴的高科技产业，其插损小、选择性好、带边抑制比高的技术优势得到了业界的普遍认可，高温超导多通带滤波器对于民用通信系统和军备系统都有着非常重要的意义。项目将产学研密切结合，发挥各自优势，解决其中的设计和制造关键技术，推进高温超导双通带滤波器的产业化的实施工作。二、 项目技术成熟程度  项目已经攻克高阶高温超导滤波器设计制作中的关键问题，为解决无线系统带内干扰，提高信号接收灵敏度，提升无线通信质量带来了新的途径，它对于民用通信系统和军备系统都有着非常重要的科学意义和广阔的应用前景，目前技术已经成熟运用在多个移动通信和军事通信系统中。三、 技术指标  项目是国家 863计划课题“第三代移动通信用高温超导滤波器系统设计及规模化生产研究开发”成果，鉴定结题达到国际先进水平。滤波器样机相关成果已连续发表在2010和2011年的《中国科学》和MOTL等杂志上,申请了多项发明专利。2011年第9 期《科学通报》还以特别简报的形式报道该成果“我国成功研制双通带高温超导滤波器—我国研究人员提出了一种双通带滤波器的设计方法，并完成了一个L波段双通带高温超导滤波器的设计和制作，该成果可充分发挥超导材料的低微波表面电阻的优势，在微波通信、高灵敏度接受系统中具有重要的应用价值”。项目已经提出并获得多项发明专利和实用新型专利，样机特性参数已经达到国际同类产品先进水平。四、 市场前景  高温超导滤波器系统显著的性能优势，在通信、卫星、雷达与电子对抗等领域得到广泛应用。目前国内民用通信系统比如中国电信和中国联通、警用集群通信系统，以及军备系统已有广阔应用实例，国内市场总容量每年可达20亿人民币。五、 规模与投资需求 项目初期基础投资大概1亿人民币，需要建设一个中等规模的大概2000平米的，半导体万级洁净厂房，如果按照年产500台滤波器计算，需要至少80人。六、 生产设备半导体万级生产线、各类测试仪器等七、 效益分析  项目实施将打破国外对高温超导滤波器系统产品的垄断,形成具有自主知识产权的高温超导滤波器系统设计平台和批量生产技术，可以扩展超导电子产品的应用范围，提升国内国防军备设施的技术性能，研制与生产成功，对超导基片材料、真空杜瓦系统、等相关的研究生产将起到很大的促进作用。批量生产后，利税可增加3000万元/年。八、 合作方式投资方式面议洽谈。九、 项目具体联系人及联系方式项目负责人：马杰，电话：13920381537，联系人：马杰，电话：13920381537邮箱：jma@hebut.edu.cn 。十、 附件：成果图片 

该芯片采用低成本可集成的标准0.25umCMOS工艺实现三波段单变频结构的数字电视调谐器专用芯片，在传统射频调谐芯片的基础上，集成了可变增益放大器，提高了芯片集成度，降低了调谐器产品成本。并调整了部分版图结构，可以实现48～860MHz数字电视信号的全波段接收。芯片采用LQFP44封装。

发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术，性能和功耗全面超越现有技术，有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇；相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励，多次被NatureIndex等专题报道。

本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线，即压印光刻(Imprint Lithography－IL)技术，并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为：以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具)，以母板(模具)步

本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余

集成电路设计      南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。      我们具有10余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践的软硬件条件，建