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51004新材料及其应用
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
探索几何形体截面操作材料
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
探索几何形体展开操作材料
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
物体热涨冷缩实验材料
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
物体导电性实验材料
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
物体热涨冷缩实验材料
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
49003纺织品材料标本
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
49002人造材料标本
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10