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深部高瓦斯未采动煤层井下水力压裂高效增透成套技术 与工程应用
项目成果/简介:如何快速、有效的提高煤层透气性，并长时间的保持增透技术产生的大量裂隙，进而有效的、长时间的提高和保持煤层的高透气性，是目前煤层气开采领域的主要研究方向之一。实践已经证明，两淮矿区利用地面钻井的方法预抽未采动煤层瓦斯的尝试均未达到预期效果。因此，在现有技术条件下，在两淮矿区直接从地面开采未采动煤层瓦斯难以实施。
安徽理工大学
2021-04-11
深部高瓦斯未采动煤层井下水力压裂高效增透成套技术 与工程应用
如何快速、有效的提高煤层透气性，并长时间的保持增透技术产
生的大量裂隙，进而有效的、长时间的提高和保持煤层的高透气性，
是目前煤层气开采领域的主要研究方向之一。实践已经证明，两淮矿区利用地面钻井的方法预抽未采动煤层瓦斯的尝试均未达到预期效
果。因此，在现有技术条件下，在两淮矿区直接从地面开采未采动煤
层瓦斯难以实施。
安徽理工大学
2021-04-30
一种基于MODIS三通道加权平均的水汽反演方法
本发明公开了一种基于MODIS三通道加权平均的水汽反演方法，包括以下步骤：S1：对研究区的MOD021KM数据进行预处理；S2：分别计算17、18和19通道的水汽含量；S3：对步骤S2得到的三个不同通道的水汽含量进行加权平均。相比传统的二通道比值法模型和三通道比值法模型，本发明有效提高了计算精度。
东南大学
2021-04-11
一种单边带通型多普勒滤波器复杂度降低方法
本发明公开了一种单边带通型多普勒滤波器复杂度降低的方法，首先对单边带通型多普勒谱进行频移，获取频率从零频开始的多普勒谱；接着对频移后的多普勒谱方根采样，得到多普勒滤波器的传输函数；最后根据多普勒滤波器的传输函数对输入信号滤波后，对滤波器的输出信号进行时域频移补偿，抵消频移影响。本发明通过对单边带通型多普勒谱进行频移，使得进行多普勒谱方根采样时的采样区间减小，从而减小传输函数的阶数，并通过对输出信号进行时域频移补偿，保证滤波器最终输出为指定单边带通型多普勒滤波器输出。
电子科技大学
2021-04-10
中晚熟高产广适品种福农91-4621通过国家审定
该品种在有些蔗区称云引3号，2002年通过国家审定，中晚熟高产稳产大茎品种，在国家第二轮区试中产量居第一，抗倒性强，在肥力较好的田地，公顷蔗茎产量常可达150吨以上；10月-1月甘蔗蔗糖分平均13.52％，2-3月分蔗糖分可达15.0%以上；该品种大茎。基部粗大，节间长，实心，高抗黑穗病，中抗花叶病，适应性广。
福建农林大学
2021-04-29
一种混合型磁通耦合超导故障限流器及限流方法
本发明涉及一种混合型磁通耦合超导故障限流器及限流方法，本发明中：耦合变压器的一次侧绕组 线圈同快速开关相联且并入 MOA 氧化锌电阻片，二次侧绕组线圈同超导限流材料相串联，继而将一、 二次侧绕组线圈呈反向并联后接入电力系统主回路。在电力系统正常运行时，快速开关处于闭合状态； 当系统发生短路故障后，控制快速开关触发断开，耦合变压器的磁通锁定特性将解除，且超导材料因其 通流大于临界电流设定而切换到高阻态，此时限流器呈现电感-电阻混合式成分进行故障限
武汉大学
2021-04-14
混合导通模式的逆变电源装置及其直接电荷量控制方法
本发明公开了一种混合导通模式的逆变电源装置及其直接电荷 量控制方法，适用于高功率密度、高性能的单相及三相逆变电源。逆 变电源由逆变桥、滤波电感、滤波电容以及直接电荷量控制器构成。 该装置采用小电感量的滤波电感来降低其体积，并在减小磁芯损耗的 同时降低开关损耗，缩小散热器体积，从而提高功率密度。但小滤波 电感使得其电流在每个工频周期中的各个开关周期中即可工作在连续导通模式，也可工作于不连续导通模式。因此，本发明在每个开关周 期中，采用直接电荷量控制器通过采样输出电压和负载电流，计算下 一周期中流过滤波
华中科技大学
2021-04-14
ZL-034C8通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）
简单介绍：
学习记忆实验方法的基础是条件反射，各种各样的方法均由此衍化出而来，跳台法就是其中的一种较常用的方法，该方法的优点是简便易行，多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）一次可同时试验多只动物，即可观察**对记忆过程的影响，也可观察对学习的影响，有较高的敏感性，尤适合于初筛**。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）具有液晶显示、设定方便、记数准确、形象直观、结构紧凑、维护方便、使用安全等特点适合科研和教学使用，是各种增智健脑、提高记忆、抗衰老**和保健品筛选、开发研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）用微电脑控制对动物下台行为有判断能力，可设定测试时间记录下台潜伏期和次数。
详情介绍：
技术指标1、*长自动记录时间：120分00秒2、*短自动记录时间：1秒3、*多记录实验数据：60组4、每室*大记录次数：999999次5、记录数据有：***、潜伏期、错误次数6、8通道独立开始和停止功能。7、计时**度：0.01秒8、时钟设定项目：年、月、日、时、分、秒9、通道设置：1~8通道任意设置10、刺激电流：8通道独立可条调，刺激范围0.1~5mA,步长0.111、输入电压：交流，200V-230V 50Hz12、消耗功率：30W13、工作环境温度：0-40℃14、带USB数据导出功能15、可连小鼠跳台箱（八室，每室110×110×160mm），或大鼠跳台箱（八室，每室200×200×290mm）
安徽耀坤生物科技有限公司
2022-05-26
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉
华中科技大学
2021-04-14
高稳定金属膜电阻器用磁控溅射中高阻靶材及制备技术
成果与项目的背景及主要用途：
Cr-Si 中高阻膜电阻器具有精度高、噪声低、温度系数小、耐热性和稳定性好等优点，在精密电子设备和混合集成电路中大量采用。对于溅射制备电阻膜来说，靶材是至关重要的，它制约着金属膜电阻器的电阻率、精度、可靠性、电阻温度系数（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。电阻温度系数(TCR)是金属膜电阻器的一个重要性能技术指标之一，较大的 TCR 在温度变化时会造成电阻值漂移，从而影响电阻器的精度和稳定性。目前国内外生产的金属膜电阻器用高阻靶材，其性能不能满足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。
技术原理与工艺流程简介： 靶材炼制工艺如下图所示所制备的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在溅射成电阻器薄膜后, 电阻温度系数小(≤25 ×10-6 / ℃), 电阻值高(要求不刻槽数量级为千欧, 刻槽后数量级为兆欧)且稳定(随时间变化小), 因此, 在本靶材研究中, 将选择 Cr 、Si 作为高阻靶材的主体材料。由于 C r 、Si 熔点高, 原子移动性低, 因此由其所组成的薄膜稳定性高。通过在金属 C r 中引入半导体材料 Si 来提高电阻器合金膜的阻值。C r 是很好的吸收气体的金属元素, 在电阻器薄膜溅射过程中, 可通过通入微量的氧来提高薄膜的电阻率, 同时调节电阻温度系数。技术指标如下：温度冲击实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 过载实验后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 寿命实验后ΔR/R ≤±1 .0 %,电阻温度系数 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。
应用领域：
集成电路、电子元器件
合作方式及条件：具体面议
天津大学
2021-04-11