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不锈钢表面超饱和气体渗碳技术
大幅度提高奥氏体不锈钢表面硬度(1000HV以上),抗磨损性能,抗疲劳性能,抗应力腐蚀开裂性能,抗点蚀性能。
南京工业大学 2021-01-12
TCS208F 气体热导分析仪
产品详细介绍  TCS208F采用先进的MEMS加工技术生产,利用被测组份和参考气体的热导系数不同而响应的浓度型传感器。产品具有检测范围大、可靠性高、安装方便、维护简单等优点。可广泛应用于天然气,CH4、H2,CO2,CO,SF6,Xe,He,NH3等气体成份检测,也可用于测量非常小的气体容积变化。 测量精度高                             灵敏度高                               集成温度补偿,漂移小                   体积小,响应速度快                     可以测量微小的气体容量                 高性价比                               TO8封装,抗冲击能力强                                     详细介绍: 1.       最大限值                                最小 典型 最大 单位 热功率P(Rm1+Rm2): — — 30 mW 测量温度Tm — — 180 °C 环境温度 -20 — +85 °C 气体压力(1) — — 200 bar 注:由于膜的热时间常数短,短时间的加过高的热功率会毁坏传感器。 2.       参数说明:     最小 典型 最大 单位 电阻,Rm1,Rm2(Tm=25°C) 92 100 115 Ω 电阻,Rt1,Rt2 220 240 275 Ω 商,Rtx / ( Rm1+Rm2 ),x∈{1,2} 1.13 1.2 1.27 1 阻抗差,Rm1 - Rm2 -2.0 — +2.0 Ω α=温度系数,( Rm, Rt ) | 20 - 100°C 4.8(2) 5.5 5.9 10-3·K-1 G =几何系数(3) — 3.6 — mm τm =膜的热时间常数 — <5 — ms τdiffusion =气体交换的时间常数 — <100 — ms 漂移( Rxy ) | x∈{m,t} ; y∈{1,2} — 0.001 0.01 %/week 散射结构的体积 — 0.2 — mm3 保持干净的周围环境空间大小 — 100 — mm3 基础材料 硅,采用蚀刻技术获得微观结构 尺寸结构: 包括底座          不包括底座 3mm × 3mm × 1mm 13mm Ø × 15.4mm 暴露在空气中的材料 Si, SiOxNy, 金, 环氧材料 注释: (1) 根据供应商的说明书对于适当的设备提供的压力参数 (2) α的最小值只适用于与低规格电压辅助源结合的情况. 产品会不断的改良使它更接近于DIN 43760的规格. (3) 因数G是由内部的传感器的机构决定的. 传感器的机械测试: 振动: 符合IEC 68-2-6 附录B (1982) 10圈,±1.5mm; 20g; 10..2000Hz; 1阶/分钟 冲击: 符合IEC 68-2-27 修正#1 (82年10月),径向和轴向各10次, 100g; 7.5ms / 300g; 2.5ms / 900g; 1.2ms.
上海维逸测控技术有限公司 2021-08-23
光谱型共聚焦位移传感器 及形貌扫描技术的开发与应用
成果介绍传统解决方案光源、光谱仪、共焦光路等各自独立,体积大、装配繁琐;All-in-one 高集成一体化光谱共聚焦传感器方案;光源光路、共聚焦光路和光谱分析光路一体化集成;控制电路、信号处理分析电路一体化集成;测量结果显示输出一体化集成;高可靠、高精度、低装配要求、低空间占用;紧凑型光路及关键配件(如物镜等)自主设计方案;三维扫描系统及配套面型重构算法、特征提取算法;后期将开发更先进的线光源激发共聚焦测量系统。技术创新点及参数非接触测量,完美避免工件表面划伤;广泛适用于各种材料表面测量(不透明/透明/半透明、液体等);待测工件颜色不敏感;极高的位置变化测量精度以及高的表面扫描分辨率;点成像方式,不存在通常3D扫描仪的遮挡效应;可实现大表面倾角处的位置测量;可实现多层工件(透明/半透明)各界面处的形貌扫描;无激光光源安全问题。
东南大学 2021-04-11
照度传感器,照度变送器,光照度传感器
产品详细介绍照度传感器产品介绍 产品介绍  GZD系统光照度变送器采用对弱光也有较高灵敏度的硅兰光伏探测器作为传感器;具有测量范围宽、线形度好、防水性能好、使用方便、便于安装、传输距离远等特点,适用于各种场所,尤其适用于农业大棚、城市照明等场所。根据不同的测量场所,配合不同的量程,线性度好、  防水性能好 、可靠性高、  结构美观、安装使用方便、抗干扰能力强。 使用标准 1个单位的照度大约为1个烛光在1米距离的光亮度。 夏日晴天强光下照度为10万 Lux(3~30万Lux); 阴天光照度为1万 Lux; 日出、日落光照强度为    300~400Lux; 室内日光灯照度为         30~50Lux; 夜里                    0.3~0.03 Lux(明亮月光下); 0.003~0.0007 Lux(阴暗的夜晚) 以上参数公供参考   技术参数:   供电电压:          12VDC~30VDC 感光体:         带滤光片的硅蓝光伏探测器; 波长测量范围:         380nm~730nm;   准 确 度:                   ±7% 重复测试:                  ±5%; 温度特性:                 ±0.5%/℃;   测量范围:                0~200000Lux   输出形式:           二线制4~20mA电流输出 三线制0~5V电压输出 液晶显示输出 232/485网络输出   使用环境:           0℃~40℃、0%RH~70%RH(带液晶); 0℃~70℃、0%RH~70%RH(不带液晶) 大气压力: 80~110kPa 联系我们: 电话: (010)57167501/7502 网址:   www.diysensor.com 手机:  13488682012 Q Q:     335363231 地址:北京市朝阳区奥运9#院  
北京无线联科技有限公司 2021-08-23
一种薄膜型LED器件及其制造方法
本发明公开一种薄膜型LED器件及其制造方法,本发明器件包括:薄片型线路基板,免金线倒装结构LED芯 片以及一层透光保护膜。本器件LED芯片为倒装结构,芯片电极通过共晶焊接方式固定于薄片型基板,实现免金线键合的电气互联,一层透光保护膜覆盖于芯片和 基板表面。本发明公开的LED器件电极位于器件底部,易于实现表面贴装技术。本发明公开器件厚度在0.25-0.6mm之间,具有厚度薄,体积小,发光角 度大,光效高,可靠性高,制造工艺简单,生产效率高,成本低等诸多优点,适合大功率及普通功率LED封装,可广泛应用于照明、显示等领域。截至目前,已累计创造产值超过33.66亿元,新增利润2.60亿元。2017年,以本专利技术为核心的科技成果“半导体发光器件跨尺度光功能结构设计与制造关键技术”获得广东省人民政府颁发的广东省科技进步一等奖,并且本专利获得中国专利优秀奖。
华南理工大学 2021-04-10
磁随机存储器芯片(STT-MRAM)器件
已有样品/nSTT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量的新材料、新结构,加工制备难度极大。当前,美韩日三国在该项技术上全面领先,很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的联合团队通过3 年的艰苦攻关,在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破,在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成
中国科学院大学 2021-01-12
薄膜电致电光器件的大平面制备方法
薄膜电致发光器件作为显示器件主要用于工业现场仪表显示、车站、机场、银行、证券交易市场、街头广告信息显示,作为大平面高清晰显示可用于各种会场、广场高清晰电视彩像显示,及可检索军用地图、笔记本电脑及宾馆等山水、立体彩色装饰。其特点为全固体化、亮度高、寿命长、可大平面化和可装饰表面。响应速度快,使用温度范围宽。由于制备方法简单较之国内外同类产品成本低,可批量工业
西安交通大学 2021-01-12
大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件,实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究,该技术属于我国“卡脖子”技术,目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面,开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺,包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜,突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学 2021-04-14
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
项目成果/简介:1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。应用范围:南开大学在碳纳米材料的制备及应用研究方面取得了一批开创性成果,该项目技术的推广,将促进我国新材料、微电子、储能、资源保护等领域的技术进步和发展,为我国在这一新型纳米材料领域占据有利地位,提高国际竞争力,做出重要贡献。
南开大学 2021-04-11
单壁碳纳米管和石墨烯的制备及其在能源、光电器件和复合材料等方面的应用
1991 年发现的碳纳米管(CNT)以及 2004 年发现的石墨烯(graphene),分别是一维和二维纳米材料的典型代表,被认为是 21世纪的战略性材料。 本项目发明了一类新的催化剂和大量制备 SWNTs 的方法,实现了高质量单壁碳纳米管的宏量制备(图 1),纯度达 70%以上,并达到了产业化规模(达 200 公斤/年以上)。采用机械共混及"原位"聚合 等方法,使SWNTs 有效地分散于高分子基质中,获得了以环氧树脂、ABS 及聚氨酯等为基质材料,电导率达 0.2 S/cm、导电临界含量仅为0.06%、电磁屏蔽效果高达 49dB 的复合材料。 本项目首先发展了一种可大量制备的可溶性功能化石墨烯(SPFGraphene)的方法,实现了石墨烯的百克级制备(图 2)。通过透射电子显微镜(图 3)及原子力显微镜(图 4)确定了石墨烯的二维平面结构。 获得了可溶性石墨烯材料及柔性透明导电薄膜(图 5);制备了基于石墨烯的高稳定性有机光伏电池及复合材料。 图 5、基于石墨烯的透明电极材料 所研制的单壁碳纳米管及石墨烯已用于数十家科研机构的研究和相关产品/样机的研制,包括应用于国家 863 重大汽车电池项目(中科院物理所)和军工卫星电池项目(中国电子科技集团公司第十八研究所)等。已研制出晶体管、锂离子电池、超级电容器(图 6)以及高性能复合材料等多种产品,具有广阔的应用前景。
南开大学 2021-02-01
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