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目前的牙齿缺失均采用人工材料赝复体修复，存在着生理功能恢复有限、使用寿命短、损伤正常组织等缺陷，缺乏真正生理意义的修复。种植体修复缺失牙是目前治疗牙缺失的热点和重点，但种植体与牙周组织只能实现骨性结合，无法获得新生的牙周膜等缺点。如何有效地在目前的修复方法基础上，获得新生的牙骨质、牙周膜和牙槽骨，是治疗牙缺失的关键。本项目的目的在于克服现有技术中所存在的上述不足，提供一种生物牙根支架材料的构建方法。牙本质作为一种生物材料，由于其本身具有一定的机械强度，可以作为一种新型的实现牙根再生的支架材料；而且牙本质本身来源于牙源性细胞，存在一些牙齿发育过程中重要的蛋白和因子，又可以作为一种细胞牙向分化的诱导微环境。因而，本项目采用从小号到大号、逐渐使用牙科用扩大机将牙齿根管内部扩大，并采用梯度脱矿的方法对牙齿进行脱矿处理。经上述方法，在没破坏牙本质基质中的重要生物活性物质的同时，尽量保持了牙根的形状、保持该材料具有一定的力学强度并且充分脱矿，有利于于牙髓和牙周组织的软组织和硬组织的共同构建，最终构建出具有生物活性的牙根支架材料。

武汉工程大学邮电与信息工程学院是经教育部批准设置的普通本科高校。学院创建于2002年，由武汉工程大学与武汉化院科技有限公司联合举办，是一所以普通本科教育为主，以信息与通信技术（ICT）为特色，培养通信、计算机、自动化、化工制药、材料、机械、电子、土木、以及艺术、外语、经济、管理等学科领域高级应用型人才为主的全日制普通高等学校。学院目前拥有两个校区。一是武汉工程大学武昌校区，位于武汉市洪山区虎泉街366号；二是邮科院校区，位于武汉市洪山区邮科院路88号。武昌校区占地面积500余亩，邮科院校区占地200余亩，拥有教学行政用房面积16.8万平方米，馆藏图书70万余册，教学科研仪器设备总值6530余万元。两校区均位于武汉中国光谷的核心地带，直线距离1.2公里，集秀美的风景、幽雅的环境、浓厚的文化氛围、便利的交通、完备的现代教学与生活设施于一体。学院现有教师659人，其中具有硕士学位及以上的比例为88.6%，具有中高级职称的比例80.3%，聘请40多位专家学者和知名人士为学院客座教授。学院现有全日制本（专）科学生近万人，设有机械与电气工程系、化工与材料工程系、经济与管理系、建筑工程系、艺术设计系、公共学部等6个系部，开办工学、理学、管理学、经济学、文学、法学、艺术学等7个学科门类的39个本科专业、10个专科专业。邮科院校区集中了通信工程、电子信息工程、软件工程、网络工程、通信技术等邮电通信领域特色优势专业。学院获省级及以上本科教学质量工程项目数量在全省同类高校名列前茅。拥有湖北省普通高等学校战略性新兴（支柱）产业人才培养计划专业、省荆楚卓越工程师协同育人计划专业、省专业综合改革试点专业、省级“双万”专业、省独立学院重点培育专业等15个，省级重点（培育）学科1个，省级精品资源课程4门；省级教学团队及优秀基层教学组织4个；国家地方所属高校“本科教学工程”大学生课外实践教育基地1个，省级实习实训基地2个；教育部产学合作协同育人项目3个，省级及以上教研、科研项目30余项。 学院师生在“互联网+”大学生创新创业大赛、“创青春”全国大学生创业大赛、全国大学生数学建模竞赛、全国大学生电子设计竞赛、全国大学生机械创新设计大赛、结构设计大赛、艺术设计大赛、外语翻译大赛等国家和省市各类课外竞赛中屡获佳绩。2018年共获得各类学科竞赛国家级一等奖2项，二等奖1项；省级一等奖13项，二等奖16项，三等奖28项。学院在全国大学生数学建模竞赛中表现尤为突出，共计获得国家级奖项3项，省级奖项21项。近年来，学院荣获国家级奖励100余项，省市级奖励200余项，荣获省级优秀学士学位论文100余篇。学院毕业生就业率稳定在94%以上，考研上线率达15%。学院多年依托武汉工程大学优势专业和优质教学资源办学，在办学条件、实验室、师资等方面共建共享。学院一直与世界知名的信息通信领域产品和综合解决方案提供商——武汉邮电科学研究院（现为中国信息通信科技集团有限公司）长期合作，共同致力于信息通信领域高素质应用型人才培养，已累计向社会输送了近9000余名相关专业本专科毕业生。学院与湖北兴发集团联合开办“兴发基地班”，每年定向培养100余名各类工程技术人才。学院拥有国内最先进的移动通信实验室、高速率大容量光传输实验室，与世界知名企业罗克韦尔、达内教育集团在校内共建自动化实验室、大数据实验室，建有校园智慧教室、政治理论课网络工作室、心理咨询中心等。学院与东风汽车、烽火科技、中国电信、浙江物产化工集团等100多家国有大中型国企、外资企业、民营企业等建立了密切的校企合作关系，与美国、英国、新加坡等多所国外高校开展校际合作与交流。 学院多年坚持立德树人根本任务，为社会培养和输送了数万名优秀毕业生，涌现出了一批省级及以上先进集体和优秀个人。学院师生先后获得“湖北省高等学校先进基层党组织”、“活力团支部”、“师德先进个人”、“全国民办高校优秀辅导员”、“中国大学生自强之星”、“自强学子”、“拾金不昧学子”等光荣称号。学院奖助学金体系设置完整，品学兼优的学生可以获得国家奖学金、国家励志奖学金以及学院综合奖学金、单项奖学金和社会奖学金等。学院积极开展大学生科技文化节、文化艺术节、体育节、校园金话筒大赛、校园十大歌手大赛等丰富多彩的校园文化活动，学生在学好专业知识的同时，可通过参加社团活动、学科竞赛、社会实践、志愿服务等丰富校园文化生活，提升个人综合素质，实现自我人生价值。

本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优

本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够

本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。