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输入调节组件及包含该组件的螺线管磁场测定实验仪
本实用新型实施例提供了一种输入调节组件及包含该组件的螺线管磁场测定实验仪，输入调节组件包括：调节旋钮、光电编码器、微控制器和显示屏；其中，调节旋钮与所述光电编码器的转轴连接，调节旋钮可带动光电编码器的转轴同步转动；微控制器与光电编码器的输出端连接，用于根据光电编码器产生的脉冲信号，获取调节旋钮的旋转方向、旋转角度及旋转速度信息，并通过微控制器解析和分析后，对相应的输入对象进行调节。通过包含光电编码器的输入调节组件，可实现输入调节的全数字化，使得输入调节既快速又精准。螺线管磁场测定实验仪采用了该输入调节组件，使仪器使用中的故障率大幅度降低，实验操作过程更加方便、简洁，从而达到更好的使用效果。
（注：本项目发布于2018年）
华中农业大学
2021-01-12
雾状仪，淀粉及其衍生物二氧化硫的测定
产品详细介绍雾状仪，淀粉及其衍生物二氧化硫的测定产品地址：http://www.shhk.com.cn/ 雾状仪，淀粉及其衍生物二氧化硫的测定。1.适用范围本方法适用于淀粉及其衍生物样品。2.术语二氧化硫(7446-09-5)含量：淀粉及其衍生物样品中二氧化硫(7446-09-5)的含量。以1000g样品中二氧化硫(7446-09-5)的毫克数来表示。3.原理概要将样品酸化和加热，使样品释放出二氧化硫(7446-09-5)，并随氮流通过过氧化氢稀溶液而吸收氧化成硫酸，用氢氧化钠溶液滴定形成硫酸。并将氢氧化钠标准溶液的耗用体积数转化为二氧化硫(7446-09-5)毫克数。上海化科实验器材：http://www.shhk.com.cn/ 订单邮箱：sales@shhk.com.cn（推荐）咨询电话：021-67652117，57602161QQ 在线：1152028600。大量供应：雾状仪，淀粉及其衍生物二氧化硫的测定。
上海化科实验器材有限公司
2021-08-23
一种提拉法晶体生长炉
一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有
华中科技大学
2021-04-14
与猪生长速度相关分子标记克隆及应用
本发明属于家畜基因工程技术领域，具体涉及一种作为猪标记辅助选择应用的与生长速度性状相关的分子标记及应用。所述的分子标记由COPB1基因克隆得到，它的DNA序列如序列表SEQ ID NO：1所述。在序列表SEQ ID NO：1的第744bp处有一个C744——T744的碱基突变，导致RsaI——RFLP多态性。本发明还公开了扩增COPB1基因部分DNA序列所用的引物以及用于多态性检测方法，为猪的标记辅助选择提供了一个新的分子标记。
华中农业大学
2021-01-12
DJ-ROOT3D植物根系生长监测系统
DJ-ROOT3D根系生长监测系统采用目前国际认可的微根窗技术，结合3D全景成像，一次性获取整个根管的剖面图像，掌握土壤中根系的生长动态，解决了目前市场上原位根系检测设备每个根管要多次扫描、分析时需要拼接带来的问题。
点将（上海）科技股份有限公司
2021-02-01
假肢质心测定装置
本项目涉及一种假肢质心测定装置，包括可旋转夹具及夹具座、承重圆盘、底座，其特点是：还包括三个称重传感器，数据采集模块和计算机处理系统，可旋转夹具及夹具座置于一承重圆盘上，承重圆盘则搁置在三个称重传感器上，三个称重传感器固定在底座上，并将测量支反力的数据传输到数据采集模块和计算机处理系统，由计算机处理数据计算出假肢的质量与质心坐标。
上海理工大学
2021-04-13
16013露点测定器
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
中和热测定器
产品详细介绍
天津市东丽区建华教学仪器设备厂
2021-08-23
一种便于研究植物根系生长的水培装置
本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。
青岛农业大学
2021-04-13
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12