同步热分析将热重分析 TG 与差热分析 DTA 或差示扫描量热 DSC 结合为一体，在同一次测量中利用同一样品可同步得到热重与差热信息。

炭黑含量测试仪适用于聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯塑料中炭黑含量的测定。炭黑的测试是通过试样在氮气保护下，高温分解后的重量分析得到的。

瞬态平面热源技术(TPS)是用于测量导热系数的一种新型的方法，由瑞典Chalmer理工大学的Silas Gustafsson教授在热线法的基础上发展起来的。它测定材料热物性的原理是基于无限大介质中阶跃加热的圆盘形热源产生的瞬态温度响应。利用热阻性材料做成一个平面的探头，同时作为热源和温度传感器。合金的热阻系数一温度和电阻的关系呈线性关系，即通过了解电阻的变化可以知道热量的损失，从而反映了样品的导热性能。该方法的探头即是采用导电合金经刻蚀处理后形成的连续双螺旋结构薄片，外层为双层的绝缘保护层，厚度很薄，它令探头具有一定的机械强度并保持与样品之间的电绝缘性。在测试过程中，探头被放置于样品中间进行测试。电流通过探头时，产生一定的温度上升，产生的热量同时向探头两侧的样品进行扩散，热扩散的速度依赖于材料的热传导特性。通过记录温度与探头的响应时间，由数学模型可以直接得到导热系数。

产品详细介绍土壤PF曲线测定(沙箱法)在检验土壤中植物及树木能吸收的水的质量时，湿度特征（PF曲线）的测定是很重要的。依据需要的测量范围，可选用真空法（即所谓沙箱法），或过压法（膜设备）。采用沙箱法来测定湿度特征，需要静态样本。这些样本由不锈钢土样环取得，而土样环的填充则由其环座来完成。在实验室中，将土样浸透，然后称重，以得出增加的水湿张力。水湿张力是通过建立一系列的真空，或过压，来获得的。每一次平衡调节后，对样本称重，这样就能产生每一水湿张力的水分。pF测定装置，沙箱法(pF 0-4.2)全套装置可进行范围0到r4.2之间的pF测量。装置包括：一只沙箱，用于0 - 2.0之间的pF测量，最多可测40个土样环。一个膜设备，用于3.0-4.2之间的pF测量，最多可测15个土样环。一套土样环工具（螺口连接），用来采集静态土样，取样深度2米。带土样环的套管。铝制土样盒，用在干燥炉中干燥土样。装置还可配备直径53毫米(08.27.SA)、60毫米(08.27.SB)的土样环和环座。PF测定(沙箱法)，pF 0 - 2.0范围在pF 0 - 2.0之间(0 - 0.1 巴)的标准装置包括控制面板，吸力校准架，带支架的供水瓶，滤布（140-150微米），容器，约为73微米的合成沙和颗粒，以及各种附件。沙箱中最多可放置40个土样环。测量用的土样，就是由土样环取得的，其容量一般为100cc。除了标准装置以外，还必须有一套土样环工具、土样环套管，以及铝制的土样箱。要进行pF测定，实验室还应有天平和干燥炉。放置仪器的桌子应保持水平，并且不会震动。着手测量水湿张力之前，必须装好各个部件，并将滤布装到排水管上。随后，用水和合成沙（沙不应含有气穴或水窝），正确填充沙箱。如果操作过程都符合要求，可将土样环中饱和的土样放入沙箱，测量出完全浸透的土样的水湿张力。接下来，使用更大的吸力。每次平衡调节后都对样本称重，得出每一水湿张力对应的水分。如果每次测试后沙箱都被水淹没，那么它可以有几年的使用寿命。铜环可防止藻类生长。pF测定（2.0 - 2.7，0.1 – 1巴）标准装置包括一只带控制面板的沙箱/瓷土箱，一个带综合控制面板的电子吸力控制装置（压力范围0 - 600 hPa），装有合成沙的容器，装有瓷粘土的容器，以及各种附件。沙箱/瓷土箱适用于40个以下的土样环。PF测定是在土样环内的样本上进行的，这些环的容量一般为100cc。除了标准装置以外，还必须有土样环工具，土样环套管，以及铝制的土样箱。装置的最少配置还包括天平和干燥炉。验室中放置仪器的桌子应保持水平，并且不会震动。着手测量水湿张力之前，必须装好各个部件，并将滤布装到排水管上。随后，将水、合成沙及瓷粘土（沙/粘土不应含有气穴或水窝），正确填充到沙箱/瓷土箱中。排出的多余的水，用自动吸力控制装置去掉。样本上的不同吸力是由真空泵实现的。为了测量pF范围0 - 2.7，可以一步步地设置沙箱/瓷土箱并使用。填满的沙箱/瓷土箱，如果每次使用后都用水浸泡，那么可使用好几年。铜环用来防止水藻生长。pF测试，膜设备(pF 3.0 - 4.2)如果是在3.0-4.2（1.0-15.5巴）的范围内使用膜设备进行样本pF值测量，那么土样环中不用分割样本。这种设备中，实验室测量之前，半静态样本先浸透之后再放入合成塑料环。整套装置包括压力膜抽取器，最多用于15份样本，一个带减压阀和压力计的20巴压缩机，一个空气过滤器，.赛璐玢薄膜，滤布，合成土样保存环，以及各种附件。实验室中pF测量至少需要一个天平，一只干燥炉和带盖子的铝制土样箱。样本浸透后，部分放入一只合成土样保存环，进一步进行处理。将压膜抽取器闭合后，其中的压缩机产生过压。达到平衡后，取出样本，称重，干燥后再称重。为了测量更多的样本，还可将另一个压膜抽取器连接到第一个抽取器上。

本实用新型公开一种便于研究植物根系生长的水培装置，包括水培杯以及培养碗；水培杯为双层圆柱形结构，且在水培杯的侧壁夹层中设置可拆装的遮光板，以真实模拟植物根系生长条件，水培杯内还设置有根系限位管；所述培养碗的周边设置有凸沿，凸沿的直径大于水培杯的直径，以方便将培养碗沿搭在水培杯的杯口上，所述培养碗的侧壁上设置有栅条，培养碗的底部设置有网格布及吸水纸，可将植株种子种植在网格布上，根系通过网格布网孔向下延伸，可以在种子时期就种植，方便对植株根系的固定，当需要测量植物根系长度时，直接取出培养碗即可，而不会对植株造成任何损坏，且通过根系限位管给根系限位，更有助于实验测量。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用

本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优

本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够