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简单介绍： 小动物代谢检测分析系统可实时同步监测动物的食物消耗，饮水消耗，活动量，活动轨迹图，站立行为，并把所得的数据自动储存到计算机内，方便用户进行生物学统计分析，独立设计的代谢笼可将动物排泄的粪便和尿液自动分离和收集，收集的排泄物进行低温保持，小动物代谢检测分析系统可有效防止排泄物的水分挥发，低温保持温度可以用户自定设置，温度显示精度达0.1度。独立设计的代谢笼采用分体式结构，每个部件采用卡扣式设计，材质为透明的食品级PMP，耐腐蚀，外形美观，表面光滑不易沾粘，用户拆卸方便，清理方便，食槽和水瓶整体固定在重量传感器上，食槽与水瓶不晃动，确保实验时的数据准确性，比传统的代谢笼更加精准。尿液与粪便盒采用卡扣设计，用户取放方便。 详情介绍： 产品特点：1.主机采用铝合金材质，可支持至少9999个代谢笼同时分析2、随时随地查看设备状态和数据：设备可长时间工作，用户无需长期看守，可在办公室实验数据提取，动物任务分配等工作。3.独立大小鼠代谢笼采用独特的漏斗和锥形体设计保证了粪便和尿液的分离收集，尿液不会被污染，也不会进入粪便收集管，所以分离是直接和完全的，结果将得到无误和值得信任的样品；4.进食室位于笼外，防止动物夹嵌或者在其中休息；5.可实时同步监测动物的食物消耗，饮水消耗，活动量，站立行为并提供曲线图、XY活动轨迹图。6.收集漏斗和分离锥形体使用独特的设计和不吸附的PMP材料(完全不同于传统的玻璃、不锈钢或普通塑料，不挂壁，无吸附)确保直接，完全地分离粪便和尿液；7.尿液和粪便收集管均为PMP材质，可在实验进行中随时更换；8.活动量采用热源传感器和红外线结合，精度更高9.收集的排泄物进行低温保持，可有效防止排泄物的水分挥发，低温保持温度可以用户自定设置，温度显示精度达0.1°C。10.独立设计的代谢笼采用分体式结构，每个部件采用卡扣式设计用户拆卸方便，清理方便技术参数：   1、代谢笼外形尺寸：290*290*560mm2、活动区域尺寸：200X200X150mm3、代谢笼材质：食品级PMP4、代谢笼支架材质：304不锈钢5、水瓶容积：250ml6、食槽容积：100克7、尿粪收集槽容积：100ml8、活动量检测方式：XY红外热感传感器（8X8）9、站立检测方式：5mm红外对管8对,高度调节范围0~160mm10、重量传感器量程：1000克11、食物检测分辨率：0.01克12、饮水消耗量分辨率：0.01ml13、低温保持温度设置范围：-2~45°C14、低温保持仪显示分辨率：0.1°C15、主机上限支持通道数：9999通道及以上16、设备软件免维护：由于软件设置在云计算机，用户无需烦恼软件升级以及故障带来的烦恼。 17、设备硬件免连线：设备采用可自动组网连接，免除用户连接线路的烦恼，开机即用。18、软件运行平台：台式电脑，笔记本，平板，手机等设备操作，支持局域网和校园网，标配服务器。19、软件提供数据：食物消耗，饮水消耗，活动量，活动轨迹图，站立行为，并导出到excel20、图表有：食物消耗波形图，饮水消耗饮水消耗，活动量直方图，活动量轨迹图,并导出保存JPG

  GIM302惯性测量装置由三轴陀螺仪、三轴加速度计、温度检测模块及数据处理电路构成，可实时监测运动体的三维角速度、三维线加速度及空间姿态信息，并通过RS422/RS485数字接口依照既定通信规约输出经过多维度误差修正（涵盖温漂补偿、装配偏差校正、非线性特性校准等）的完整惯性参数。该设备采用差动式陀螺设计架构，显著降低了直线加速度与机械振动带来的干扰，同时具备宽温域补偿功能，确保在严苛工业环境下稳定工作。 应用范围: 该系列产品典型应用场景包括：便携式三维激光扫描系统、工业机器人高精度运动控制、微创手术导航设备、地下工程定向钻进系统、智能驾驶测试平台、水下机器人定位导航、无人机飞控与制导系统等。

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。

嵌入式软件在航空电子系统中扮演着重要的角色，软件的可靠性很大程度上决定了航电系统的可靠性。对航空电子系统软件进行可靠性试验与评估，可以对航电系统的可靠性水平进行定量的摸底，发现潜在的缺陷，为航电系统软件研制起到重要的决策支持和考核作用，提高系统的可靠性。 软件可靠性定量评估的核心思想是收集到与软件真实使用相关的失效间隔数据，并选择合适的软件可靠性模型，评估和预测软件可靠性水平。目前可采用传统的软件可靠性测试与评估方式和基于软件研制过程中失效输入匹配的评估技术来实现。