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高可靠忆阻器件及其视听觉传感应用
技术成熟度：技术突破
传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成，不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本，忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。
研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题，是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理，进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会，促进了其在未来神经形态传感领域的应用。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
电子元器件激光机饮料瓶盖激光打码喷码机
产品详细介绍电子元器件激光打标，电感电阻电线电缆，饮料瓶盖激光打标流水线在线激光机口罩激光机都可以在线打标欢迎咨询！
上海康彦电子科技有限公司
2021-08-23
共轭聚合物的多级组装及其电子学器件的研究
共轭聚合物因其柔性、可溶液加工、低成本等优点，在柔性显示、电子皮肤和生物传感等功能器件中有潜在的应用价值。高均匀性的大面积加工是共轭聚合物作为有机半导体材料向实际应用转化的重要一步，但具有很强的挑战性。由于共轭聚合物的分子间强相互作用和复杂的链缠结，溶液加工过程中往往产生结晶与无定形区域、排列缺陷、厚度变化等非均匀性现象，限制了共轭聚合物的大面积加工。即使在稀溶液中，共轭聚合物分子之间仍具有一定程度的聚集。因此，如何通过调控聚合物从溶液到固相薄膜的聚集行为和组装过程，从而实现共轭聚合物的大面积加工，并进一步实现“从下而上”器件加工方式，成为了很有挑战性的科学问题。本研究实现了聚合物单分子薄膜大面积加工，并获得了优异的电子传输性能，有望应用于加工制备大面积、高性能的有机场效应晶体管。 共轭聚合物由于分子之间的π−π相互作用和链段缠结，在溶液中形成了特征的1D蠕虫状组装结构，组装体在溶液加工过程中进一步的生长，形成了网络状组装结构，最终通过沉积方法可以在基底上形成2D聚合物单分子层网络（图1）。研究人员首先通过混合溶剂策略调控氟代苯并二呋喃二酮（F4BDOPV）片段与联二噻吩（2T）片段形成的共轭聚合物（F4BDOPV-2T）在溶液中组装行为，并通过垂直提拉法表征了沉积薄膜的形貌。原子力显微镜（AFM）高度图表明在氯仿溶液中沉积得到的薄膜具有特征的网络状形貌，且厚度在很大的实验加工窗口内均保持聚合物单分子层量级（约4 nm）。薄膜吸收光谱、AFM高度以及掠入射X射线散射证明了聚合物单分子层的厚度，且表明单分子层的形成具有宽的加工窗口。聚合物单分子层的形成与基底的性质关系较小，在具有不同接触角的基底均可以沉积得到聚合物单分子层网络。宽的加工窗口和弱的基底相关性非常有利于加工大面积和高均匀性的聚合物薄膜。
北京大学
2021-04-11
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
电子镇痛仪
由于创伤、切口和其它原因产生的疼痛是大多数人都经历过，且都不愿意再经历的极不舒服的感觉。
电子镇痛仪是利用经皮电刺激（Transcutaneous Electrical Nerve Stimulator，简称：TENS）原理研制的具有较好镇痛效果，且无毒副作用的电子仪器。2002年美国市场以电子绷带名称出现的TENS被R&D杂志评为当年度最有益健康的100项发明之一。美国市场售价在$120——$1050。国内也有类似产品，但由于对原理理解不足，所以使用时针刺感较强，镇痛效果不明显，同时仪器体积较大。
电子镇痛仪操作简单，将刺激电极安置于疼痛区域周围，使疼痛区域在两电极之间。调节刺激强度，根据感觉程度可以逐步增强，使之在可耐受范围内的上限即可。通常使用30——40分钟后，停止使用。每天使用1——4次就可以起到明显效果。
大连理工大学
2025-02-21
磁流变元器件
磁流变液是一种机敏材料，在外加磁场的作用下，液体的粘度发生很大的变化，具有很大的抗剪切力，易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件，它们可以用于车辆悬挂系统，土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力，且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET 器件工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
光学微腔器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进 而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108， 从而达到国内领先，国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光 器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激 光技术
中国科学技术大学
2021-04-14
光学微腔器件
1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面，分别提出了先进而完善的实施方案，并申请了相关发明专利。现有晶体微腔 Q 值国内最高水平 106，国外达到 109，本项目可优于 108，从而达到国内领先，国际先进水平。
2.在光学微腔器件应用方面，研发例如超窄线宽激光器（精密测量、物理量精密传感）、超窄线宽滤波器（激光技术）等小型化器件的技术原理和实现方案。与常规产品相比，体积可缩小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2个量级，成本可下降 80%。成果可实现的光学微腔器件主要指标：研制出光学晶体微腔，Q 值优于 108，根据用户要求研制小型化应用模块。
中国科学技术大学
2023-05-17
分立器件测试机
南京工程学院
2021-04-13