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新型硅基环栅纳米线MOS 器件
已有样品/n在主流硅基FinFET集成工艺基础上,通过高级刻蚀技术形成体硅绝缘硅Fin和高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀SiO2相结合,最终形成全隔离硅基环栅纳米线MOS器件的新方法。并在取代栅中绝缘硅Fin释放之后,采用氧化和氢气退火两种工艺分别将隔离的“多边形硅Fin”转化成“倒水滴形”和“圆形”两种纳米线结构。
中国科学院大学 2021-01-12
阳离子基阻变器件电流-保持特性
已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量,集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控,这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法,也能够移植应用到离子电池,离子传感等研究领域。
中国科学院大学 2021-01-12
高速光通信用微结构光纤器件
项目简介本成果提出新型微结构光纤器件,提出基于非对称耦合理论的实现模式转换、波分 复用等功能器件。已申请发明专利 6 项,其中已授权发明专利 3 项(ZL200810021652.8、 ZL200810021651.3、ZL200910032535.6)。 性能指标 (1)模式转换效率可达 80%以上,带宽在 100 nm 以上。 (2)实现 1310、1550 nm 波长复用、解复用,消光比低于-25 dB。 适用范围、市场前景 适用范围:高速光通信关键器件,组成高速、大容量光 通信
江苏大学 2021-04-14
极深紫外光源与纳米器件制造
徐永兵课题组于2014年启动了国家重大仪器研究计划(飞秒级时间分辨并自旋分辨电子能谱探测系统,项目编号61427812)。此项目就是旨在建立国内第一套极深紫外的光源系统。目前已经成功地在实验室中,实现了波长为120~24 nm左右的脉冲光源,脉冲重复频率为1kHz,单个脉冲为30fs。单个光子能量最大到50 eV左右,亮度为1 ´ 1011光子/s。从光
南京大学 2021-04-14
低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法
本发明公开了一种低导通电阻 VDMOS 器件及制备方法,在传统的 VDMOS 器件结构中引入一块与 源区掺杂杂质相同的掺杂区。该掺杂区位于栅氧层正下方且与基区和栅氧层紧密接触。相应地,新掺杂 区上方的栅极采用中空结构。本发明 VDMOS 器件可有效降低沟道导通电阻和颈区电阻,从而降低 VDMOS 器件的导通电阻;同时,采用中空结构的栅极既可避免新掺杂区对击穿电压的影响,也可降低 栅极与漏极间结电容,提高 VDMOS 的开关速度。本发明方法工艺简
武汉大学 2021-04-14
高效有机磷光发光材料及OLED器件
高效有机磷光发光材料及OLED器件,2012年12月获四川省科技进步三等奖,技术指标达到国际先进水平;申请发明专利12项(5项授权)。项目中所制备的铱配合物磷光电致发光材料在四川虹视显示技术有限公司的3款OLED器件(1.1英寸、分辨率为96×64;1.8英寸、分辨率为128×64;2.2英寸、分辨率为160×128)样品中使用,该项目研究成果,填补了我国在新型平板显示器件---高效有机磷光电致发光材料及OLED器件方面的材料制备和器件化工艺的空白。 
电子科技大学 2021-04-14
有机半导体光电导器件研发及应用
① 酞菁纳米材料制备。使用四苯氧基金属酞菁,采用混合溶剂缓慢挥发的方法,得到一维的酞菁纳米线; ② 器件组装。使用梳状电极,将酞菁纳米线搭在梳状电极两端,形成电路。得到的酞菁器件对 808 nm光敏感,可以迅速产生响应,恢复时间短,课重复响应。
安徽理工大学 2021-04-13
山东悦安电子科技有限公司
山东悦安电子科技有限公司 2025-03-01
电子门铃
含电路板、散装元器件、制作说明书等
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
电子沙盘
课件内容: 地形图的判读:可以在沙盘上堆积出如陡坡山峰、山脊、山谷和陡崖等常见的地形部位。软件根据高度进行分层设色,并将颜色投影到沙盘表面,可以一目了然的看到地表的高低形态和海洋的起伏状况。 虚拟现实的应用,使产品的交互性和构想性得到了充分的发挥。虚拟现实可以实现多种教学模式,可以根据地理教科书各个章节内容,制作出不同的地形地貌及互动课件,如:1、地形图的判读;2等高线的绘制、3海陆变迁、4、陆地与海洋、5、板块运动、6、多变的气候和天气、自然灾害的成因和模拟、各种地形地貌的成因展示。 等高线和高度值的显示,直接和地理相关教学篇章完全切合。立体等高线和平面等高线有机结合,老师容易讲解,学生便于理解。 随心所欲的制作各种教学上使用的沙盘和地貌,各种互动情景只需一键切换就可以随时由下雨模式进入到泥石流模式等
苏州育龙科教设备有限公司 2021-08-23
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