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半导体集成电路生产工艺监测设备
CSM4A系列多功能C-V测试系统,经国家“七五”、“八五”两届重点科技攻关,已在我校研制成功,并被多个半导体集成电路生产厂家和研究所使用。该项目由陈光遂教授主持完成。原电子工业部鉴定认为:该C-V测试系统具备八项测试功能,数据可靠,实用性强,人机界面良好。总体水平已达到九十年代国际先进水平,并有独创性,可以替代进口设备。主要测试功能有:MOS高频CV,M
西安交通大学 2021-01-12
一种多功能红外遥控接口电路装置
一种多功能红外遥控接口电路装置,包括有接口电路及用于容置该接口电路的盒体,所述接口电路包括有红外接收电路以及红外发射电路,其特征在于:该接口电路还包括有单片机,所述单片机与所述红外接收电路以及红外发射电路均电性信号连接;用于盒体与电器设备连接的连接杆,盒体的背面外壁上一体成型球型凸块,连接杆与盒体背面相对的端部设球面卡槽,球面卡槽与球型凸块的尺寸大小相适应;按键输入电路连接开关按键组S;红外发射电路还信号连接有用于显示发射状态的第一LED发光二极管D3,显示电路至少还信号连接有用于显示单片机判断指令
安徽建筑大学 2021-01-12
一种提升电路稳定性的方法
本发明属于电子元器件设计和制造的技术领域,具体涉及一种提升电路稳定性的方法,包括以下步骤:先将模块固定在预先设定的位置,在模块之间的空白区域处铺设一层柔性有机物,并将柔性有机物半成型,将待连接的导电线路进行设置和预处理,将预处理后的导电线路与模块连接,并使该导电线路附着在半成型的柔性有机物表面,在导电线路上铺设与其底部相同的柔性有机物,实现对导电线路的立体包裹;待柔性有机物均完全成型后,即完成整个模块之间的连接。本发明的方法通过有机物进行承载导电线路防止其晃动失效,又能够承载来自外力的冲击,提高电路的稳定性,还具有简单易操作,成本低廉,适合大规模推广使用等特点。
华中科技大学 2021-04-14
基于余能原理的基面力元法及其计算软件
北京工业大学 2021-04-14
一种基于投影莫尔原理的 BGA 共面度测量系统
本发明公开了一种基于投影莫尔原理的共面度测量系统,包括冷光源(1),准直透镜(3),CCD 摄像机(2,4),LCD 面板(5),投影透镜(6),光学平台(7),高精度移动台(8)和计算机(9)。所述 LCD 面板(5)上显示通过所述计算机(9)产生的条纹图案,所述冷光源(1)发出的光经所述准直透镜(3)后照射到所述 LCD 面板(5)上,将显示在所述 LCD 面板(5)上的条纹图案投影到被装载在高精度移动台(8)上的参考平面或者待测物表面上,所述 CCD 摄像机为两个,对称设置于 LCD 面板(5
华中科技大学 2021-04-14
一种利用杠杆原理的电涡流减振装置
本发明提供一种利用杠杆原理的电涡流减振装置,该减振装置包括箱体(1)、连接螺孔(2)、固定铜板(3)、永磁体(4)、永磁体导轨(5)、支撑杆(6)、移动铜板(7)、质量块(8)、质量块导轨(9)、弹簧(10)、连杆(11)、铰接螺孔(12)、驱动销轴(13);当结构发生振动时,首先由TMD阻尼器进行能量转移,减小结构振动;然后由质量块通过杠杆体系带动永磁体产生与质量块相反方向的运动,增加铜板与永磁体的相对运动速度,通过电涡流阻尼器进行非接触式能量耗散。该装置利用杠杆原理,有效增加铜板与永磁体的相对运动速度,提高阻尼器耗能能力;同时通过调节杠杆支点及力臂长度,可以调节TMD阻尼器参数,装置适用频率范围更加广泛。
东南大学 2021-04-11
NMT耐盐机制分析仪
       NMT耐盐机制分析仪是一款基于非损伤微测技术(Noninvasive Microelectrode Technique, NMT)的精密科学仪器,主要用于研究植物、微生物等生物体在盐胁迫条件下的离子转运机制,尤其聚焦于Na⁺、K⁺、H⁺等关键离子的实时动态变化 。该仪器能够在不损伤样品的前提下,原位、实时、非接触式地检测离子/分子通量、浓度及膜电位等生理指标,为解析植物耐盐机理提供精准数据支持。       山东金歌科学仪器有限公司自主研制生产的 SRMT1202 NMT耐盐机制分析仪(非损伤微测系统、NMT活体生理检测仪、植物根系吸收监测仪)检测种类涵盖植物所需的16种营养元素中的所有的大量元素、中量元素,和绝大部分微量元素。 金歌NMT功能特色:     (1)检测种类多;     (2)实时输出时间-flux通量数据,无需人工换算,可直接用于分析作图,保护了用户数据安全;     (3)提供个性化定制,免费升级测试软件。 可检测种类:     (1)大量营养元素:N (NH4+/NO3-)、P (HPO42-)、K+     (2)中微量元素:Ca2+、Mg2+、SO42-、Na+、Cl-、H+、SiO32-、Zn2+、Fe2+、Cu2+      (3)胁迫:Cd2+、Al3+、Pb2+、Ag+、Cr3+、AsO43-     (4)其它:Li+、NO2- 测试项目:     (1)离子通量SRIET     (2)离子浓度aIon     (3)pH     (4)膜电位Potential 主要参数:     (1)离子通量分辨率:10-5 pmol/(cm2·s)     (2)膜电位测量分辨率:300 nV     (3)空间分辨率:≤ 1 μm 测试样品:       根际/种子/花粉管、细胞/液泡、生物膜、藻类、活体组织、神经、骨骼、珊瑚等其它活体样品  金歌NMT       金歌仪器科研团队自2011年开始深耕非损伤微测技术(Noninvasive Microelectrode Technique,NMT)领域,为在国内推广的通量flux测试系统(非损伤微测系统)研制并供应核心组件。通过不断丰富NMT可测离子种类,成功摆脱了对国外的依赖。       当全球科技竞争的硝烟弥漫,核心技术的自主可控已成为企业存续的命脉。2022年金歌公司成立以来,始终如一坚持创新发展理念,聚焦关键技术攻关,打破原装进口核心部件-国内组装的模式,推动构建自主可控的产业链体系。2025年8月7日,北京知识产权法院判决金歌公司在与某北京公司NMT专利侵权案中胜诉,金歌已逐步确立了其在NMT领域重要生力军的地位。       凭借扎实的科技实力,金歌仪器成功打造了可靠的“NMT耗材-零部件-整机”一站式NMT供应平台。通过不断积累并整合自1990年离子/分子通量flux测试技术(即‌非损伤微测技术NMT)诞生三十多年以来已发表成果,我们建立了丰富的NMT大数据库,实现了NMT仪器国产化、自动化、智能化、信息化和标准化,进一步巩固和扩大了我国在NMT领域的优势。        金歌NMT测试界面实时输出flux通量数据,无需人工换算,可直接用于分析作图,保护了用户数据安全。用户购买仪器后,金歌NMT仪器测试种类和检测项目等仍会不断增加,金歌仪器将及时告知用户,郑重承诺免费为用户做测试软件升级。       金歌仪器将永远以客户需求为导向,精益求精,不断推出创新性产品和个性化解决方案,为加快实现高水平科技自立自强贡献智慧和力量。  如何进行 NMT仪器检测模块功能升级       1.在线升级       由金歌公司工程师进行远程操作。       2.手动升级       用户打开“非损伤微测技术NMT云平台(通量云)”,下载新版本后更新升级。  附:非损伤微测技术NMT云平台(通量云)       非损伤微测技术NMT云平台(通量云)依托山东金歌科学仪器有限公司,旨在免费为用户提供离子/分子通量(flux)测试专业化服务。       NMT云平台(通量云)免费提供NMT技术资源,包括耗材订购、实验设计、实验准备、测试操作要点、数据作图、文章撰写、互动交流、软件免费升级和文献库等。 
山东金歌科学仪器有限公司 2026-04-23
一种软开关逆变电路及其控制方法
目前,大多数桥式逆变器采用硬开关脉冲宽度调制(PWM)技术,在PWM逆变器中,输出变压器、滤波电感和散热器的体积和重量占主要部分,为了减小电力电子装置的体积与重量,提高逆变器的功率密度,必须提高逆变器功率开关器件的开关频率。但是高频化后,功率开关器件的开关损耗急剧增大,导致功率开关器件的结温急剧上升,阻止了功率变换电路的高频化;而且高频化后功率开关器件很大的电压、电流变化率将产生较大的电磁干扰,影响电路的正常运行。 本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足,提供一种附加成本低、易于工程实现,提高逆变器的工作效率和功率密度,降低电磁干扰,简化控制方法的软开关逆变电路。
西安科技大学 2021-04-11
低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法
简介:本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法,属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元;控制方法的步骤为:(1)控制S1与S4处于导通状态,S2与S3处于关断状态;(2)控制S1、S2、S3和S4处于关断状态,Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变;(3)控制S2与S3处于导通状态,S1与S4处于关断状态,Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上,Q瞬间被关断;(4)控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态,Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力,可有效防止开关器件的误导通。
安徽工业大学 2021-04-13
近阈值到宽电压集成电路设计技术
1.本成果突破了1项关键技术(近阈值集成电路设计技术体系)、2项关键指标领先(工作电压最低、处理能效最高)、实现了3类应用(近阈值单元库、低功耗芯片、定制流程),解决了我国物联网芯片,低功耗近阈值设计关键技术不再受制于人。 2.近阈值技术已经应用于国内多家集成电路企业,新增产值6.3亿元,新增利润1.7亿元。标准单元库电源电压从1.1V降低到0.6V,读写能耗降低了80%。大幅度提成了国产工艺在物联网芯片方面的竞争力。 3.该成果在保证良率的前提下,降低电源电压至阈值电压附近。在国内首次系统性研究低电压(近阈值)集成电路设计方法,突破了低电压片上静态存储器、同步电路的弹性设计方法、模拟/射频低功耗主从结构等三项关键技术,研制的40nm 0.6V低电压标准单元和存储器获得中芯国际的任何,研制的0.6V 6mW低电压导航芯片获得国内领先移动互联芯片设计企业-珠海全志的认可。 4.本成果应用效果显著:1)江苏东大集成电路系统工程技术有限公司整体应用本项目技术,以低功耗核心技术提升物联网终端产品竞争力,研制并规模量产65nm低功耗系统芯片,开发工业级物联网终端产品竞争力,研制并且规模量产65nm低功耗系统芯片,开发工业级物联网移动终端7系列共474580台,近两年新增销售额45976万元,新增利润13793元,在国内物流快递领域应用于顺丰等行业领军企业,取代国外竞争对手优势地位。2)深圳市国微电子采用本项目技术,研发国内最大容量低功耗军用存储芯片,近两年新增销售额5000万元。
东南大学 2021-04-13
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