本实用新型公开了一种用于IGBT的驱动信号数字处理电路级联系统。通过将集成驱动电路(1)和数字信号处理及控制电路(2)的单个电路级联构成多路驱动与信号处理系统。本实用新型系统仅需一路输入的PWM调制信号即可完成一对IGBT的控制，同时可以使上层控制器用较少的光纤通道获得级联多个驱动板的相关信息反馈，从而简化了控制系统。该系统仅需调整程序下载至信号数字处理电路即可修改相关参数，方便了应用和系统设计工作。在IGBT过流短路以及电路板过电压或欠电压情况下可以将故障信号反馈至信号数字处理芯片，根据故障情况予以相应处理，同时能将故障情况通过光纤通道输出以便进一步处理。该实用新型结构简单、成本低，具有较好的通用性、灵活性以及可靠性。

本发明公开了一种自适应探测模式的光子计数线阵读出电路及方法，包括同步模块及由若干像素单元组成的像素阵列，所述每个像素单元包括APD探测器、接口电路、计数器、存储器以及死区时间可调电路；所述死区时间可调电路，用于根据接收的标准脉冲电压计数信号状态经延迟时间后产生使得接口电路复位的复位信号，且根据接收的当前曝光时间内像素的计数值即当前帧的计数值，根据判别的当前帧计数值的大小产生控制信号以调节下一帧的延迟时间大小。本发明可以判断光强强弱来自动调节死区时间大小，提高检测效率，通过与传感器的配合，可合理应用于大阵列读出电路系统中，进而实现成像应用。

本发明公开了一种处理完全未知状态的电路系统迭代学习控制方法。该方法构造一种自适应增益状态观测器来估计电路系统的电流。将电路系统的矩阵参数不确定性转换为标量形式进行分析。构造一种基于迭代衰减因子的迭代学习控制器来控制电流完全未知的电路系统。与传统的需要精确数学模型的控制方法相比，本发明所提的控制算法更为新颖且应用条件简单。该方法用于重复任务操作时，有效地提高了控制精度，具有良好的工程应用价值。

实验室电路板制作的全能型选手ProtoMat S64 高速主轴可以完成精细的线路雕刻，最小线宽线距可达100um(4mil)，主轴故障率低。作为设备的有效补充，真空吸附台和焊膏分配器使得S64如虎添翼。 • 全自动操作系统 包含自动换刀 • 低维护成本的高转速主轴加工 • 一体化智能系统软件 • 摄像头靶标识别与铣刻线路宽度控制 • 大理石基台确保高精度 产品信息 主轴转速60 000 RPM 6万转的主轴转速，保证了精确的几何尺寸，也大大缩短了电路板加工时间。主轴的低故障率，究其原因，主要是因为气动自清洁功能和深度限位传感器的应用。花岗岩台面不限于温湿度的变化，形变小，基础精度高，大大保证了系统的高精度和被加工材料的一致性。 自动化功能：自动换刀、铣刻宽度自动调整功能、焊膏分配器 15把刀具随意更换——如有需要，在加工过程中，可以随意换取15个刀位上的任意刀具。刀具是锥型刀具，可以控制不同的切割深度，以获得不同的线路宽度。设备具备自动调整刀具切割深度的功能，一旦确认加工深度，即可得到恒定的线路宽度。这一功能，大大缩短了调刀时间，也使得无人值守得以实现。设备中的传感器，确保了精确的铣刻深度控制，并可以防止换刀撞刀现象。 2.5维加工 2.5维壳体加工 焊锡膏分配器 如需点焊锡膏，设备集成的分配器可以完全自动地将焊膏点到焊盘上，而不需要额外的编程处理。 传感器控制 设备中的传感器确保了精确的铣刻深度控制，并可以有效防止换刀撞刀现象。

项目背景：大型工业软件是我国迈向制造强国的战略支 撑，实现智能制造的核心技术载体。欧美发达国家将“掌握 最先进的大型工业软件的核心技术”视为“持续掌控全球工 业产业布局主导权”的必要条件。《国民经济和社会发展第 十四个五年规划和 2035 年远景目标纲要》指出，要“加强 工业软件研发应用”。典型的大型工业软件 CAD 是提高我国 制造业核心竞争力，保证国家制造业战略安全所必须的关键 技术，但目前市场基本被国外产品垄断，核心技术受制于人。 发展我国自主可控的 CAD 软件，打破卡脖子局面势在必行。 面向行业的 CAD 软件是当前的发展趋势。在化工设备的 CAD 设计环节，其主流的技术已经逐渐从二维模型设计到三维模 型设计演进。但在化工设备的制造环节，仍然以二维工程图 作为唯一参考。由于诸多原因，通过软件自动将三维模型自 动生成二维工程图成为解决问题的较优解。二维工程图自动 生成是 CAD 行业世界性难题，国内外尚无一款软件完整实现 该功能。为了攻克 CAD 工业软件卡脖子战略性技术，提升国 产工业 CAD 软件的竞争力，大幅度提高化工设计的设计效率， 寻求合作以研制出具有自主知识产权的、符合化工静设备设 计要求的二维工程图自动生成关键技术。 所需技术需求简要描述：针对公司前期设计的三维模型 文件，自动创建二维工程图，满足以下关键技术需求：1.能 够覆盖 90%以上的静设备类型；2.设计架构可扩展，可以通过配置或者类似插件形式扩展的新的设备类型；3.支持的自 动出图内容包括图幅、视图、文表、节点图、管口方位图等； 4.支持的文表包括标题栏、明细栏、管口表、管口明细表、 技术特性标和零件参数表等，文表内容准确率 100%；5.支持 的视图元素包括投影视图、自动标注、管口引线、零件序号 引线等；视图表达正确、清晰、无歧义、符合行业习惯；6. 支持的图幅种类有装配图、零件图、部件图、管口方位图； 7.支持整套设备图纸自动布局，包括图幅的选择、图纸拼接、 图面内元素的自动布局等；8.尺寸正确率 100%，核心尺寸缺 失率 0%，整体尺寸缺失率<5%；9.图面美观，符合行业规范， 图纸完成度>90%；10.支持常见的图面布局形式，视图比例 恰当，各图面元素间结构关系合理，整体布局紧凑、美观。 可提供若干布局方案供选择。  对技术提供方的要求:1.具有化工设计行业知识和经 验，承担过石油化工相关项目。2.熟悉 CAD 软件的相关开发。 3.具有工学博士学位或高级职称，技术方案成熟可靠稳定有 创新思维。 

模数转换器（ADC）芯片，是绝大多数电子系统中必不可少接口部件，进行了高速ADC结构、高性能运算放大器、高速采样保持、高精度基准电压源等方面的研究与设计，已经完成了10位40MSPS的高速高精度ADC芯片的色伙计与流片。

作为第三代半导体代表性器件.硅基GaN开关器件由于具有更小的FOM.能够把开关频率推到MHz应用范围，突破了传统电源功率密度和效率瓶颈(功率密度提高5-10倍).且具有成本优势，满足未来通信、计算电源、汽车电子等各方面需求,开展相关领域的研究对我国在下一代电力电子器件产业的全球竞争中实现弯道超车,具有重要意义。然而,器件物理特殊性需要定制化栅驱动电路和采用先进的环路控制策略，最大程度提高GaN开关应用的可靠性,发挥其高频优势。

技术创新性和领先性 （1）构建了基于元胞自动机方法的蚀刻模型，并结合浸没蚀刻和喷淋蚀刻 实验，揭示了蚀刻时间、蚀刻液成分及浓度、温度、线宽等因素对印刷电路板换 热器换热板蚀刻速率、侧蚀、表面粗糙度等蚀刻质量和表面形貌的影响机理，建 立了在特定蚀刻液下蚀刻速率随各因素变化的半经验公式，掌握了可控的印刷电 路板换热器换热板蚀刻工艺。 （2）构建了基于分子动力学方法的扩散焊接模型，并结合宏观扩散焊接和 拉伸实验，揭示了压力、温度和表面粗糙度等参数对印刷电路板换热器模块的扩 散层厚度、焊接强度的影响机理，掌握了印刷电路板换热器换热芯体的扩散焊工 艺。 （3）研究了印刷电路板换热器内超临界二氧化碳、高温氦气等介质的传热 和阻力特性，掌握了印刷电路板式换热器的热力设计和结构设计方法，具备自主 研发新型高效印刷电路板换热器的能力。 图 1 多种结构的印刷电路板换热器换热板 图 2 扩散焊获得的印刷电路板换热器芯体和焊缝金相组织 （2）技术成熟度 相关成果荣获 2016 年舰船热能动力技术学术会议优秀论文二等奖、2015 年 第三届节能控排传热进展国际会议最佳论文奖和 2015 年中国工程热物理学会传

本实用新型涉及一种双钳位取电电路，由二极管D1、共模电感L1、稳压二极管Z、电阻R、三极管Q及电容C构成，其二极管D1依次与共模电感L1、第三三极管Q3串联，第三三极管Q3的输出端连接第一电容C1、第二电容C2，其第一电容C1与第二电容C2之间为并联，其二极管D1与共模电感L1之间连接一保险丝F1，本实用新型的有益效果为：通过该取电电路，使得输出电压范围在18～36V之间，为后续的DC-DC芯片提供稳定范围的电压，减少因电源的波动造成系统的不稳定以及系统芯片的烧毁。

薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。