该系统是基于欧盟最新的欧6机动车排放法规（PMP项目推荐）研制的，主要用于机动车超细颗粒物（PM2.5）排放水平的检测。从欧6排放法规开始，所有类型机动车（汽油、柴油）都需要达到PM2.5数目限值（6*1011 #/km, NEDC）。PM2.5计数是颠覆传统的计质量的一种新技术，欧盟法规（PMP）推荐的测试方法是稀释系统和凝结颗粒物计数器（CPC）的组合。 该项目研制的超欧6排放法规的机动车PM2.5稀释采集及计数检测系统由两大核心部件组成：稀释采集系统和计数检测系统。其中稀释采集系统采用自调节PID控制逻辑，比PMP规定的稀释条件控制精度显著提高：稀释温度控制精度为47±1ºC，比欧6法规规定的47±5ºC精度高；稀释比控制精度10%也比法规规定的20%明显提高。另外，计数检测系统仍选用凝结颗粒物计数器（CPC），但选用适用于高温环境（约200ºC）的高温计数器（HT-CPC）。该项目的原型机已有剑桥大学Nick Collings教授研制成功，并通过NaCl纳米微粒的标定工作，证明系统可行。

本发明公开了一种激光触发真空开关及其触发系统装置。激光 触发真空开关包括密闭壳体、第一电极主件、第二电极主件。第一电 极主件包括燃弧电极、第一电极法兰、第一电极平台、聚焦镜。第二 电极主件包括燃弧电极、第二电极法兰、第二电极平台、靶电极。触 发系统装置主要包括计算机、转换器、开关电路板、激光器和激光触 发真空开关。激光触发真空开关的工作电压高达 30kV，工作电流高达 500kA，不存在以往电脉冲触发高压隔离困难、触发稳定性差、使用寿 命短等问题，能有效降低激光触发能量，改善开关器件的延时与抖动。触

本项目研究了超材料的电磁特性、基于超材料的反向切伦科夫辐射、基于纳米材料冷阴极的场发射特性以及它们在高效率、高功率和高频率的真空电子器件中的应用。相关SCI论文共计153篇，SCIE数据库中的他引次数为1058次，代表性论文被《自然-纳米技术》、《物理评论快报》、《先进材料》等国际顶级期刊上发表的SCI论文他引157次。这些学术成果解决了真空电子器件所面临的核心科学问题，在国际真空电子学领域产生了重大的影响。

本发明公开了一种触发型多棒极真空触发开关，包括密闭壳体； 密闭壳体由绝缘外壳及设置在绝缘外壳两端的阴极法兰和阳极法兰构 成；密闭壳体的两端分别设有阴极和阳极，阴极和阳极结构相同，均 包括电极底柱、电极平台和设置于电极平台上的多个棒状电极，阴极 的棒状电极与阳极的棒状电极相向延伸且相互交错排列，相邻棒状电 极的间隙宽度相等，且该间隙宽度与棒状电极顶端到相对的电极平台 的间隙宽度相等；阴极和阳极中分别设有阴极触发结构和阳极触发结 构。该开关可以保证无论主间隙的电压为何种极性，都能够稳定触发， 能满足电力

一种微机电系统的圆片级真空封装方法，属于微机电系统的封装方法，解决现有封装方法存在的问题，使得微型真空腔长时间保持真空，满足十年以上使用寿命的要求。本发明包括：刻蚀步骤：在盖板圆片上对应硅基片 MEMS 器件的位置刻蚀相应空间尺寸的凹坑，再环绕凹坑刻蚀环形凹槽；吸气剂淀积步骤：在所述凹坑和凹槽内淀积吸气剂薄膜；键合步骤：在真空环境下将盖板圆片和硅基片紧密键合。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短、密封质量低、可靠性差、成本高的问题，可以长时间保持微型腔体内的真空度，极大的推动圆片级 MEMS

本项目采用真空熔铸方法，解决了 Cu-Cr 合金铸造产生的成分偏析及组织不 均匀问题，得到的显微组织细化、成分均匀化，尤其是合金中 Cr 粒子的细化问 题，大幅度提高耐电压强度，同时又能保持铜的高导电性，触头的小型化才有实 现的可能。本方法还能回收利用生产废料，因此生产工艺更为环保。而且生产成 本大大降低，性能还有所提高。本项目制备的触头材料,性能与国内外同类产品 相比,在导电性,均匀性,组织细化等多方面全面领先。

实验原理   金属中存在大量的自由电子，但电子在金属内部所具有的能量低于在外部所具有的能量，因而电子逸出金属时需要给电子提供一定的能量，这份能量称为电子逸出功。研究电子逸出是一项很有意义的工作，很多电子器件都与电子发射有关，因此研究这种材料的物理性质，对提高材料的性能是十分重要的。另外本实验还可以利用磁控法测量电子荷质比，研究真空中电子能量遵从费米-狄拉克分布。   仪器概述 本实验装置的核心部件是一只理想（真空）二极管和套在理想二极管外的通电螺线管线圈。本实验通过测量金属钨的电子逸出功，将钨丝作为“理想”二极管阴极材料，阳极做成与阴极共轴的圆柱，把阴极发射面限制在温度均匀的一定长度内而又可以近似的把电极看成是无限长的无边缘效应的理想状态。金属电子逸出功(功函数)的测定实验，综合性地应用了里查逊直线测定法、外延测量法、补偿测量法和磁控法等基本方法。在数据处理方面有比较好的技巧性训练。因此，这是一个比较有意义的实验。   仪器特点 独立的理想真空二极管座：理想真空二极管插在独立的管座之上，并且配有透明的亚克力保护罩，既可以直观的观察真空二极管的工作状态，还可以有效地保护玻璃器件。独立的管座上刻有清晰的实验原理图，可以使得学生更好的理解整个实验原理。   精确的阳极电流测量模块：阳极电流测量模块采用微安级电流放大器，采用四位半数显表，测量范围可达0.1uA~20mA，可以准确、精细、稳定地测量到微弱的阳极电流。 稳定的阳极电压输出模块：阳极电压输出采用线性电源，输出幅度达到0~160.0V，可以稳定、高效地提供真空二极管的阳极电压。 便捷的数据采集接口：每个实验电源都配置模拟数据采集接口，可以连接电压传感器和PASCO数据采集软件，可以实时地采集大量的数据来分析测试结果，方便、快捷、高效地完成实验内容。   实验内容及典型数据 实验一：金属电子逸出功的测定 表1：在不同阳极电压和灯丝温度下的阳极电流及其对数值，作　lgIa～√Ua 图，得到不同温度下的截距　lgI 填入表2。     表2: 在不同温度T时所算得的　lg( I / T2) 和　1/T　的值 根据表2作 lg( I / T2) ～1/T 图，求直线斜率 m 直线斜率：m = -22802 逸出电势: φ = 4.53 (V) 逸出功（功函数）eφ = 4.53 eV 与逸出功（功函数）公认值　eφ=4.54eV　相比的相对误差：Er = 0.33%   实验二：电子在径向电场和轴向磁场中的运动（磁控法测量电子荷质比）   实验三：费米-狄拉克分布的研究     实验四：理想真空二极管的伏安特性   部件清单 金属电子逸出功实验仪   BEM-5715    可调直流 (恒压恒流) 电源I，12V/1A   BEM-5055    理想真空二极管盒   BEM-5716    螺线管线圈   BC-105236    连接导线，2mm护套香蕉插头，红   BC-105238   【2】 连接导线，2mm护套香蕉插头，黑   BC-105239   【2】 连接导线，4mm香蕉插头，红   BC-105084    连接导线，4mm香蕉插头，黑   BC-105083    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 红   BC-105074    连接导线,4mm护套香蕉插头1m, 黑   BC-105073    电源线   BC-105075    用户手册   CD-M-BEX-8510B  

我国每年城市生活垃圾清运量超过 2 亿吨，且每年增长约 8%-10%，到 2020 年预计可达 2.5 亿吨，中国城市生活垃圾无害化处理能力逐年提高，官方数据显 示 2016 年大中城市生活垃圾无害化率已超过 90%，但我国农村部分，无害化率 仅为 60%。垃圾处理面临占用土地、资源浪费、环境污染等问题。当前我国城市 垃圾处理仍然以填埋为主，但以焚烧技术为代表的能源化利用技术增长很快。该 技术伴随着设备投资高、产生强致癌剧毒物质、重金属污染、工艺优化不足等缺 陷，急需探寻其他方法。该项技术利用气化熔融技术原理，对垃圾进行减容减量 处理，处理后体积减小 90%以上，大大降低填埋场的压力。气化熔融技术真正做 到垃圾的无害化处理，可以做到二噁英、重金属污染物的超低排放，环保性能大 大优于目前的垃圾焚烧技术，消除公众抵触情绪，易于推广。

该装置克服现有太阳能集热装置不能实现与建筑物的真正集成和一体化，既无法做到有效的防风、防雷，容易造成安全隐患，更难以提高建筑围护结构的保温、隔热水平。使该装置不但使其在外观上实现与建筑一体化，而且在功能上也实现与建筑的一体化，在高效集热的同时，对建筑具有保温隔热作用。所适用的建筑围护  结构类型可以是外墙面或者屋顶，集热装置既可为单个的太阳能集热模块，也可为多个太阳能集热模块组成的集热器阵列。 本装置的优点是： 1.现了集热器与建筑集成，不但实现了外观上的一体化，而且实现了功能上的一体化。 2.高建筑围护结构的冬季保温水平和夏季的隔热水平。 3.护建筑表面，建筑围护结构不与外界环境直接接触，减少太阳能辐射对墙体的照射以及风雨的侵蚀，建筑外表面的温度和湿度变化大大减小，可大幅提高建筑构件的使用寿命。 4.高太阳能集热效率，腔室内空气温度在冬季高于环境温度，集热装置热损失将有所减少，效率有所提高。 本装置所适用的建筑围护结构类型既可以是外墙，包括直立或者倾斜墙面、阳台护栏墙，也可以是屋顶，包括平屋顶或者坡屋顶等；既可以应用于新建建筑中，也可直接应用于既有建筑的墙体或者屋顶节能改造，在添加太阳能热水系统的同时，完成节能改造。

一种微机电系统的圆片级真空封装工艺，属于微机电系统的封装方法，解决现有基于薄膜淀积真空封装工艺所存在的淀积薄膜较薄、腔体小，容易损坏，以及封装器件存在真空泄露、使用寿命降低的问题。本发明顺序包括：淀积吸气剂步骤；淀积薄牺牲层步骤；淀积缓冲腔牺牲层步骤；淀积厚牺牲层步骤；制作封装盖步骤；刻蚀释放孔步骤；去除牺牲层步骤和密封步骤。本发明解决了现有封装方法存在的真空保持时间短，密封质量低，封装尺寸大，工艺与标准 IC 工艺不兼容，成本高的问题，从而保证最里面的腔体气压；同时成本少于基于圆片键合工艺的真空封