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铝合金或镁合金薄壁复杂铸件用水溶性砂芯的制备方法
本发明公开了一种铝合金或镁合金薄壁复杂铸件用水溶性砂芯 的制备方法，包括：(a)在常温下将七水硫酸镁和等离子水配制成质量 百分比为 20％～30％的硫酸镁水溶液，然后将特定量的十八水硫酸铝 和添加剂加入至该硫酸镁水溶液中，并加热至 60℃～80℃制成复合粘 结剂；(b)将铸造原砂预混均匀后加入复合粘结剂，由此得到混合料芯 砂；(c)将得到的混合料芯砂放入制芯模具内压实，然后将其与模具一 同放入微波环境中执行加热，取出
华中科技大学
2021-04-14
一种碳纤维增强聚醚醚酮复合材料热压成型方法
本发明提出一种碳纤维增强聚醚醚酮复合板材热压成型方法。 本方法将加热单元从液压机中剥离出来，使用加热管对模具加热，实 现高温热压功能；通过在真空环境中热压成型，大幅减少树脂中的气 泡含量，提高试件表面的光洁度及制件性能；在模具中设置冷却单元， 通过调节高压冷气的流量和温度来调节冷却速度，以此来控制基体树 脂的结晶度，实现高强度与高韧性之间灵活选择。采用本方法热压成 型的碳纤维增强聚醚醚酮复合板材，生产设备简单，解决了
华中科技大学
2021-04-14
一种共面电容式聚合物分子取向测量装置及方法
本发明公开了一种共面电容式聚合物分子取向测量装置及方法， 其中该测量装置包括传感器探头阵列(10)、电容测量单元(13)、以及取 向计算模块(14)，其中，传感器探头阵列(10)包括多组共面电极；任意 一组共面电极均包括至少两个导电电极；电容测量单元(13)用于测量同 一共面电极内的任意两个导电电极之间的电容，并得到多组电容数据； 取向计算模块(14)则用于根据多组电容数据计算待测量聚合物的分子 取向。本发明利用聚合
华中科技大学
2021-04-14
一种手持式多激光条纹快速三维测量方法
本发明公开了一种手持式多激光条纹快速三维测量方法，包括 以下步骤：1)粘贴标志点：2)使用手持三维测量仪测量物体表面的三维 数据：3)采集图像：4)图像处理：5)标志点的三维坐标计算：6)物体表 面点的三维坐标计算；7)手持三维测量仪的定位和世界坐标系下的数 据拼合，即获得从当前相机坐标系变换到世界坐标系的旋转平移矩阵， 以实现当前物体表面测量点从相机坐标系到世界坐标系的转换关系和 世界坐标系下的数据拼合。本发明通过
华中科技大学
2021-04-14
一种在还原气氛烧结的高频高介陶瓷制备方法及其产品
本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该
华中科技大学
2021-04-14
一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法
本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法，采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成 SnSe2，并通过 沉积载气带入下游温区，在衬底上沉
华中科技大学
2021-04-14
炭基负载α-FeO(OH)土壤与地下水修复材料及其制备方法
本发明公开了炭基负载α‑FeO(OH)土壤与地下水污染修复材料和制备方法，将秸秆、凹凸棒土、高岭土、沸石粉在Na6
中国农业大学
2021-04-14
一种基于稳态视觉诱发电位的文字输入方法及装置
本发明提供了一种基于稳态视觉诱发电位的文字输入方法及装置。本发明实施例通过将各个笔划以不同的频率闪烁，用户注视笔划产生脑电信号，通过特征识别输入笔划，确定候选字表。候选字达到一定阈值或用户确认后，进入候选字选择。通过分割候选字表为不同区域并以不同频率闪烁，用户注视候选文字所在区域产生脑电信号，通过特征识别选择该区域，不断细化分割为子区域并重复该识别过
中国农业大学
2021-04-14
一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法
本发明公开了一种带材收卷跑偏的补救纠偏系统及其控制方法， 所述系统包括收卷装置、监测装置、纠偏装置、预收卷装置和控制模 块，所述监测装置的图像采集器实时采集收卷辊两侧边缘刚刚收卷区 域的图像并将其传输给控制模块，控制模块根据接收到的图像判断收 卷带材是否跑偏，若跑偏，则控制模块控制收卷电动机停转，同时控 制预收卷装置和纠偏装置运作完成纠偏过程，最后由控制模块控制预 收卷装置和纠偏装置回到正常收卷时的位置。本发明能够对
华中科技大学
2021-04-14
一种在还原气氛烧结的高频高介陶瓷制备方法及其产品
本发明公开了一种抗还原高频高介陶瓷介质及其制备方法。采 用固相反应法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 为主晶相材料，加 入改性添加剂，改性添加剂选自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加剂在介质材料的配方组成中所占的摩尔质量百 分比为 35.5～119.5mol％；经湿法球磨、干燥，从而获得一种能够以 镍或镍合金作为内电极，适合在还原气氛中烧结的陶瓷介质材料、该
华中科技大学
2021-04-14