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一种聚能抽水装置及抽水方法
本发明提供一种聚能抽水装置，包括多组 η 形管道、注水仓、注水管道、负压管道、抽水管道和密 封水箱，注水仓通过水泵管道与位于上游水源中的注水水泵相连通;多组 η 形管道顶部分别通过设有注 水管道阀门的注水管道与水源仓相连通;多组 η 形管道顶部通过设有负压管道阀门的负压管道与密封水 箱相连通;密封水箱侧部通过设有抽水管道阀门的抽水管道与下
武汉大学
2021-04-14
均匀土壤中矩形地网接地导体布置方法
本成果为授权发明专利（201010238818.9）。该发明公开了一种均匀土壤中矩形地网接地导体不同间距布置方法，该方法主要是根据地网设计所需的地网网孔数确定接地网均压导体优化后的导体位置。该方法可以快速准确的计算接触电压分布、跨步电压分布优化后矩形地网中任意根数接地导体的位置。该方法不仅计算方便，且适用范围广。该专利对于接地系统的优化设计具有国际先进水平，自主可控，填补了矩形地网中接地导体非等间距布置方法的空白，在保证地网安全性能的同时节约金属材料，有着有广阔的应用领域。
西南交通大学
2016-06-27
一种铝合金形变热处理方法
本发明公开了一种提高铝合金强韧性的电磁成形和时效热处理 复合新方法，属于铝合金形变热处理技术领域。该方法包括以下过程： 固溶淬火处理、双级时效处理和电磁成形步骤。相对于现有的预变形- 固溶淬火-终变形-人工时效工艺，本发明克服了其处理工艺复杂，容易 导致二次变形，使用性能下降等问题，简化了可热处理强化铝合金的 制造工艺路线，避免了传统制造工艺中二次变形和性能降低的现象。 实验证明，经本方法成形的铝合金构件，无明显二次
华中科技大学
2021-04-14
一种纳米铜磷化物的制备方法
本发明公开了一种纳米铜磷化物的制备方法，包括 S1 将纯度大 于 98％的红磷与经表面处理的铜网密封在充满惰性气体的容器中；S2 对所述步骤 S1 的容器进行烧结，所述烧结温度为 250℃～450℃，烧 结时间为 1h～10h，即可获的纳米尺寸的铜磷化物。红磷质量比铜网 质量为 0.1～0.5 时，可获得 Cu3P。红磷质量比铜网质量为 0.51～1.5， 可获得 CuP2。本发明方法过程简单、原料价格低廉易得，对设备要求
华中科技大学
2021-04-14
一种层状增韧钨的制备方法
本发明公开了一种层状增韧钨及其制备方法，属于结构材料领 域。层状增韧钨包括相互交替层叠的钨层和增韧层，增韧层包括金属 钽片。制备该层状增韧钨的方法包括：S1 将钨粉在惰性气体保护下进 行机械研磨；S2 将钨粉末和金属钽片交替层叠获得待烧结体；S3 在惰 性气体保护下对待烧结体进行放电等离子烧结，烧结过程分为三个阶 段：第一阶段在 600℃～800℃、压力 5KN～10KN 条件下保温；第二 阶段在 1100℃～130
华中科技大学
2021-04-14
一种分层控制的电磁渐进成形方法
本发明公开了一种电磁渐进成形方法，该方法采用分层方式， 自下而上逐层成形，每次成形只成形局部位置，不断扩大贴模范围， 直至完成整个工件的成形；然后再进行整形，以提高板料的成形质量， 最终得到厚度分布均匀，得到表面质量好的壳体零件。整形可以采取 矫形线圈或矫形线圈加集磁器的方式进行。本发明通过分层成形后使 板料流动增加，抑制了局部的减薄现象；同时，本发明可以解决电磁 渐进成形中由于失稳起皱导致的板料波浪起伏的现象，有利
华中科技大学
2021-04-14
一种溴铅铯粉体制备方法
本发明公开了一种溴铅铯粉体制备方法,具体包括如下步骤：(1) 获取反应物溴化铅的起始溶液：(2)获取反应物溴化铯的起始溶液：(3) 将溴化铅的起始溶液与溴化铯的起始溶液同时滴加到反应底液中，滴 加的同时搅拌；通过化学共沉淀反应获取溴铅铯沉淀物；(4)对溴铅铯 沉淀物进行洗涤和抽滤，以清除杂质和杂相；(5)将步骤(4)中得到的产 物烘干，获得溴铅铯粉体；该制备方法通过控制原料的浓度及反应原 料的化学计量比，有效提高主反
华中科技大学
2021-04-14
一种电卡材料及其制备方法
本发明公开了一种电卡材料及其制备方法。电卡材料由覆盖在 柔性衬底上的BST陶瓷纳米线阵列构成，所述BST陶瓷纳米线阵列中， Ba 和 Sr 的摩尔比为(1～3):1。本发明首次将 BST 陶瓷纳米线阵列用作 电卡材料，通过将 BST 陶瓷纳米线阵列转移到柔性衬底上，充分利用 铁电陶瓷良好的电卡效应和纳米线阵列特殊微结构具有的柔韧性，制 得具有良好柔韧性和理想电卡效应的电卡材料，实现了无机柔性电卡 材料的制备
华中科技大学
2021-04-14
一种方向自适应图像去模糊方法
本发明公开了一种方向自适应图像去模糊方法，包括以下步骤：(1)定义方向自适应总变分(Total-Variation)TV 正则化图像去模糊最小化代价函数；(2)引入辅助变量 d1＝Hu，d2＝▽xu，d3＝▽yu 将步骤(1)·770·中的无约束最小化问题转换为有约束问题；(3)引入惩罚项将步骤(2)中的有约束问题转化为新的最小化代价函数；(4)使用交替最小迭代策略将步骤(3)中的最小化问题转换为关于变量的 u,d1
华中科技大学
2021-04-14
一种芯片连晶缺陷识别方法
本发明公开了一种芯片连晶缺陷识别方法，该发明主要用于在 芯片制造过程中识别含连晶缺陷的不合格芯片；包括三个步骤：步骤 一，对采集到的芯片图片进行模板匹配，定位出芯片的位置，根据芯 片的位置，对图片进行截取；步骤二，对截取获得的图片进行预处理， 增大芯片基体与背景的差别；步骤三、对经过预处理的图片进行分割， 获取 blob 块，对 blob 块进行特征分析：首先以面积为基准判断出是否 含连晶缺陷；对面积正常的 blob 块，获取其 blob 块最小外接矩形的中 心点以及四边中点的位置，以中心点以及四边
华中科技大学
2021-04-14