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一种高氨基嫁接异质金属掺杂炭干凝胶及其制备方法和应用
本发明公开了一种高氨基嫁接异质金属掺杂炭干凝胶，以掺杂异质金属的炭干凝胶为载体，通过引入表面活性剂负载高浓度有机胺，所述有机胺与掺杂异质金属的炭干凝胶的质量比为0.2～3:1；所述的掺杂异质金属的炭干凝胶中异质金属的摩尔分数为1～7％。本发明以异质金属掺杂炭干凝胶为载体，通过异质金属的掺杂实现在载体表面高浓度的高氨基嫁接，可用于密闭空间低浓度二氧化碳的高效吸附。本发明还公开了所述的高氨基嫁接异质金属掺杂炭干凝胶的制备方法及其作为二氧化碳吸附剂的应用，尤其是用于密闭空间低浓度CO
浙江大学
2021-04-13
一种从铁水脱硫渣中回收鳞片石墨的方法
（专利号：ZL 201510312021.1） 简介：本发明公开了一种从铁水脱硫渣中回收鳞片石墨的方法，属于资源综合利用领域。该方法具体步骤是：首先将脱硫渣破碎，并磁选回收铁，尾渣破碎至小于1mm并加水配成浓度为30～40％的浆液，加入浮选剂进入浮选机浮选，浮渣加水配成浓度50～70％的浆液并球磨10～30min，然后磁选回收铁，而尾渣加水制成浓度为30～50％的浆液，送往浮选机进行浮选，浮选剂由“煤油+2号浮选油”或“液体石蜡+辛醇”组成，回收的鳞片石墨通过多次“球磨－磁选－浮选”工艺处理提高品位，最终获得的鳞片石墨中固定碳含量可以达到90％以上，而且其中的铁也可以得到更充分的回收。
安徽工业大学
2021-04-11
一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法
本发明公开了一种石墨相氮化碳薄膜修饰电极的制备方法。在 保护气氛下，首先 450℃～550℃加热氮化碳原料 1min～6h，使得氮化 碳原料气化后附着于耐热载体表面，并形成氮化碳前驱体；然后 500℃～550℃加热附着有氮化碳前驱体的耐热载体 1min～6h，使得氮 化碳前驱体气化并在导电基底表面形成厚度为 10nm～150nm 的石墨 相氮化碳薄膜，获得所述修饰电极。本发明通过利用气相沉积的方法 在导电基底表面修饰
华中科技大学
2021-04-14
一种LED用共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法
一种共掺杂的硅酸盐绿色荧光粉的制备方法，属于发光材料技术领域，其化学式为Ba2-x/2-2y-zSiO4:Eu2+z,Li+x+y,Er3+y，其中0≤x≤0.25，0＜y≤0.02，0＜z≤0.1。具体步骤为：按化学式中各元素的化学计量比称取钡盐、二氧化硅、铕盐、锂盐、铒盐及适量的表面活性剂；将称取的钡盐、锂盐、二氧化硅、铕盐、铒盐、表面活性剂和适量的配体充分混合，在室温下球磨一定时间，球磨时加入适量的润滑剂；直接烘干，得到前驱体；将前驱体置于有还原性气氛的气氛炉中于1000～1300℃煅烧2～7h，即得所需荧光粉。本发明制备的荧光粉结晶性好，结构疏松，颗粒细小，分布均匀，具有良好的涂覆性能，适于用作近紫外辐射的InGaN管芯激发的LED用绿色荧光粉。
四川大学
2021-04-11
一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方法
本发明公开了一种掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备方 法，适合锶、铈、钯等元素掺杂钴酸镧纳米棒阵列气敏传感器的制备。 本方法采用阳极氧化法制备纳米棒阵列模板，采用溶胶凝胶法在模板 上形成掺杂钴酸镧纳米棒，并采用晶种的方式将纳米棒与电极基板接 触。该方法可以完好的保留纳米棒的形貌，并能在室温下对一氧化碳 有较好的响应。采用该方法制备的室温一氧化碳传感器结构简单，性 能优异。
华中科技大学
2021-04-14
一种掺杂硅量子点发光二极管器件及其制备方法
本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳
华中科技大学
2021-04-14
关于氮化物半导体掺杂研究的进展
采用红外光谱和拉曼光谱技术，克服了GaN中强烈的剩余射线带相关反射区导致的测量难题，实验中观察到半绝缘GaN中与C有关的两个局域振动模，并结合第一性原理计算，给出了C杂质在GaN中替代N位的直接证据，解决了这一长期存在的争议问题。该成果对于理解和认识C杂质在AlN、BN、ZnO等其他六方对称化合物半导体材料中的掺杂行为亦具有重要的参考价值。
北京大学
2021-04-11
一种制备聚二氮杂环辛四烯的方法
本发明属高分子化学研究领域，具体涉及一种制备聚二氮杂环辛四烯的方法。利用均苯四甲酸二酐与取代苯进行傅克反应，制备取代苯甲酰基对(间)苯二甲酸，并分离取代苯甲酰基对苯二甲酸和取代苯甲酰基间苯二甲酸；取代苯甲酰基对(间)苯二甲酸在氯化试剂作用下反应制备取代苯甲酰基对(间)苯二甲酰氯，进而与叠氮化钠反应生成苯甲酰基对(间)苯甲酰叠氮。该叠氮化合物在高温下通过Curtis重排生成异氰酸酯化合物，并在酸性条件下水解获得取代苯甲酰基对(间)苯二胺，利用氨基与酮的缩合反应，直接缩聚制备聚二氮杂环辛四烯。本发明制备聚二氮杂环辛四烯，使用原料价格低廉，反应条件温和，使其能够应用于光电材料、电驱动聚合物、医药等领域。
青岛农业大学
2021-04-13
3β-羟基雄甾-17(20)-烯-21-酮的合成方法
以 3β-羟基-5α-雄甾烷-17-酮为原料先制得 3β,17-二羟基-20-炔-21-苯基(或为对甲苯基，或为对氧基苯基， 或为对氟苯基， 或为间氟苯基)-5α-雄甾烷， 然后通过 Meyer–Schuster重排得到 21-苯基(或为对甲苯基， 或为对氧基苯基， 或为对氟苯基， 或为间氟苯基)-5α-雄甾-17(20)-烯-21-酮的合成路线。 该方法具有合成步骤少，成本低，反应条件易控制，收率高，适于大量制备的优点。
扬州大学
2021-04-14
物理学院高鹏、刘开辉等利用电镜测量转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁
近日，北京大学物理学院量子材料科学中心、电子显微镜实验室高鹏课题组，与凝聚态物理与材料物理研究所刘开辉课题组、中国科学院大学和中国科学院物理研究所张余洋课题组等合作，利用透射电子显微镜的电子能量损失谱测量并结合第一性原理计算，揭示了h-BN/石墨烯异质结构中的转角关联耦合效应。研究发现，角度依赖的层间摩尔势改变了石墨烯的能带结构，导致石墨烯M点层内带间跃迁能量红移，并且晶格相对扭转诱发的h-BN的布里渊区相对于石墨烯M点的旋转也贡献了新的带间跃迁途径。结果表明，在堆垛的二维材料器件中需要仔细考虑扭转耦合效应带来的影响避免意外干扰；同时，转角连续可调的带间跃迁也可以为新型光电器件设计提供新的自由度。该研究成果以《转角h-BN/石墨烯中的可调带间跃迁》（“Tunable Interband Transitions in Twisted h-BN/Graphene Heterostructures”）为题，于7月5日发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters 2023, 131, 016201）。
北京大学
2023-08-22