高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
布基白塑幕
产品详细介绍     采用高反射系数的塑料制成,属线反射银幕,幕面洁白均匀,光线反射柔和,视觉不易疲劳,价格低廉,适用于普通电化教学、电影放映等
江苏省通州市长江银幕厂 2021-08-23
一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备
本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备, 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处,利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体,使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子,加速 NH 键的断裂,提供充足的活性氮源, 使非氮元素与活性氮源发生化学反应,沉积第 III 族氮化物膜层材料, 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底
华中科技大学 2021-04-14
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法,并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长(Science. Bulletin 2017, 62, 1074)。与石墨烯不同,六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性,其外延生长普遍存在孪晶晶界问题:旋转180°时晶格方向发生改变,外延生长时不可避免地出现反向晶畴,而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学 2021-04-14
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/:发明授权 简介:本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法,其将纯度为 99.99%以上的金属镓原料溶解于酸中,配制澄清 的镓盐溶液,加入沉淀剂产生沉淀物,将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体;用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料,经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯,将生坯放在 高温炉
华中科技大学 2021-04-14
三维非硅微纳集成制造技术
随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。 微系统集成发展趋势 多元兼容集成制造技术  获奖情况 上海市技术发明一等奖2016年团队获奖 国家技术发明二等奖2008年 上海市技术发明一等奖2007年 超薄超快高热流密度微通道散热器 上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。 高温薄膜温度传感器研究  发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。 薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构 高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术 薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求 无线温度传感器测温系统 高性能转接板 基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。 TSV-3D 高密度封装概念图  金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片
上海交通大学 2021-05-11
三维非硅微纳集成制造技术
项目成果/简介:随着支配半导体技术数十年的摩尔定律日益接近其发展极限,多种功能器件集成被认为是超越摩尔定律延续集成电路发展进程的重要途径之一,这就需要能够满足多种功能器件高密度集成的制造技术。多元兼容集成制造技术就是为此而开发的,该技术通过在更大范围内优选结构/功能材料组合,开发异质集成制造工艺,大大拓展了功能微器件创新设计和制造的腾挪空间。经过多年探索,目前已形成了涵盖金属、聚合物、陶瓷、复合材料的MEMS异质异构制造技术体系,并在多种类型功能器件研发中发挥了关键作用,初步展现了其基础性支撑作用,相关技术获得2016年度上海市技术发明一等奖。微系统集成发展趋势多元兼容集成制造技术 获奖情况上海市技术发明一等奖2016年团队获奖国家技术发明二等奖2008年上海市技术发明一等奖2007年超薄超快高热流密度微通道散热器上海交通大学团队在长期研究经验和技术积累基础上,创造性地提出了不同高热导率材料组合构造的复合结构微通道散热器设计方案,并基于多元兼容集成制造技术完成了多种尺寸样品研制,其中,热源面积与常用功率芯片尺度相当的超薄散热器冷却能力达到800W/cm2以上,在保留传统微通道散热器良好系统兼容性和适用性的基础上达到了相当高的散热能力水平,为解决高功率芯片系统超高热流密度散热问题提供了一个深具可行性的解决方案。高温薄膜温度传感器研究 发动机燃烧室等极端恶劣环境下(高温、强振动、强腐蚀等)的工作参数现场监测对传感器技术是严峻挑战,国内外研究广泛。交大团队基于特种材料微纳集成制造技术的长期积累,在高温绝缘薄膜材料、多层薄膜应力调控、曲面图形化和高温敏感介质等技术上取得了一定突破,成功开发了多种可与现场结构共型的高温薄膜传感器,具有体积小、环境扰动小、响应快、灵敏度高、可分布式安置等优点,该团队已经掌握了温度、应力/应变、热流等多种高温状态参数测量技术,适用温度在800-1300℃之间。薄膜绝缘电阻随温度的变化及测试结构高温薄膜温度传感器制造及曲面图形化技术薄膜温度传感器在发动机不同部位测温需求无线温度传感器测温系统高性能转接板基于转接板的多芯片封装是2.5D高密度集成最具可行性的方案之一。但是传统的硅转接板性价比不高,阻碍了广泛应用。上海交大团队基于非硅微加工技术的长期积累,突破了硅转接板绝缘层完整性和再分布层热隔离的难题,成功研制了漏电流极低的低成本高性能硅转接板。此外,还开发了复合材料非硅转接板,TCV陶瓷转接板,TGV玻璃转接板等各种三维封装基板,实验室能够针对不同类型器件三维高密度封装的具体要求,定制开发不同功能的专用转接板,为多功能、高密度、高功率、低成本封装提供个性化解决方案。TSV-3D 高密度封装概念图 金属-聚合物-纳米复合材料非硅基转接板实物图片知识产权类型:发明专利 、 软件著作权 、 集成电路布图设计技术先进程度:达到国内领先水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:国家级
上海交通大学 2021-04-10
高效硅异质结SHJSHJ太阳电池技术
北京工业大学 2021-04-14
超薄晶硅纳米线太阳能电池
常州大学 2021-04-14
聚硅硫酸铝铁高效絮凝剂
研究内容 :该产品是一种高效、价廉、无毒、低铝、适应性广且制造 方便的新型无机净水剂 —聚硅硫酸铝铁高效净水剂。 利用该产品处理靛蓝印染废水、造纸中段废水、废纸造纸脱墨废水, 处理效果佳, COD 去除率、 BOD 去除率均在 90%以上,色度脱除率也在 96%以上,基本达到国家排放标准,这样的处理效果可实现废水不经生化 处理,简化废水处理工艺,降低废水处理费用。净水效果远优于目前市场 上可获得的无机型净水剂,净水剂
南昌大学 2021-04-14
硅热法高性能镁制备工艺过程优化
项目研究内容: 镁及镁合金是迄今在工程中应用的最轻金属结构材 料,其比强度高、且具有优良的消震吸湿和电磁干扰屏蔽性能。镁的深加 工和镁合金的推广应用都离不开质优价廉的镁。 硅热法是一套复杂而高效 的工艺,本项目通过全面研究还原过程, 严格控制煅烧质量、 配料及制团, 在大量的皮江法炼镁硅热还原工艺参数与生产效率和出镁率关系的试验 基础上,利用人工神经网络和遗传算法等人工智能技术优化工艺过程,达
南昌大学 2021-04-14
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 16 17 18
  • ...
  • 68 69 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1