该制品具有较高的环保性；在完成普通泡沫玻璃的制备工序后，即预热、发泡、退火，让制品进行晶化和核化处理使得泡沫玻璃中形成分布均匀的针状的晶体，可以极大的提高样品的强度。 耐火温度大于 1000℃，软化温度大于 700℃，抗压强度大于 15MPa，抗拉强度大于 15MPa。

将基于荧光纳米晶液相悬浮芯片技术应用于重大疾病的临床检测方法。研发成功了基于荧光纳米晶体的多指标检测技术，掌握了荧光纳米晶体、荧光微球的核心制备技术、抗体的偶联技术以及临床诊断的检测技术等。

成果简介本项目的技术是采用氯化钙溶液与稀硫酸反应， 晶须模板剂存在时缓慢生长成为二水硫酸钙晶须， 溶液中同时生成盐酸溶液。 反应后的滤液与石灰石反应又重新生成氯化钙溶液， 可以继续与稀硫酸反应再次生成二水硫酸钙晶须。 本项目实际是以石灰石和稀硫酸为主要原料制备二水硫酸钙晶须， 具有工艺简单， 成本低廉的特点， 并且生产过程中没有废水排放， 废气生成和废渣产生成熟程度和所需建设条件已完成工业化生产中试。技术指标晶须长 5-50 微米， 直径 1-

了解更多产品详情，请与我们联系 180 6798 3675 公司官网：https://www.lierda.com

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扬州晶明专业提供应变测试、振动测试整体解决方案，专业生产动态信号测试分析系统、无线遥测设备、动静态应变测试分析系统、模态测试分析系统、动静态应变仪、振动测试仪、信号激励系统、传感器等。我们的产品主要应用于高等院校、科研院所、航空航天、国防军工、交通桥梁、工矿企业的振动、噪声、应变、爆炸、冲击等工程测试。我们能为用户提供从信号源、 功率放大器、激振设备、传感器、信号调理器、数据采集器到信号分析处理等全套设备，能为用户提供测试和检测完整的解决方案。 我们的无线应变、无线加速度、无线振弦、无线电压模块、静态应变仪、动态应变仪、电荷放大器、数据采集分析系统等产品已得到广泛应用和客户的一致好评，在满足试验室测试需要外，重点为工程测试项目提供更轻便，灵活和耐用的专业测试仪器。扬州晶明在广大客户的支持下，将不断研发新一代测试设备，为广大客户提供更新的测试技术，更好地回报广大客户对公司的支持。

氧化铝纤维晶盾®毯，是一种以莫来石晶相形式存在耐火纤维，采用化学“胶体法”制成母液，经喷吹法或甩丝法成纤制得胚棉，后段烧等工艺处理生产的纤维。氧化铝纤维毯，可应用于1250℃—1500℃各行业的高温领域。产品特性：渣球含量低，颜色洁白，原料纯度高耐高温，高温稳定性好低热导率，高温加热线收缩小化学性能稳定，耐侵蚀性能强纤维直径均匀，抗拉强度高主要技术性能指标： 氧化铝纤维晶盾®毯代码LYL

本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有

首次使用炔烃作为卡宾前体完成了一例不对称Si-H键插入反应，高效构筑了一类新型手性有机硅化合物。该反应使用手性羧酸双铑催化剂，首先促进羰基-烯-炔底物发生分子内环化现场生成双芳基金属卡宾，该金属卡宾中间体进而对硅烷的Si-H键发生高对映选择性的插入反应，给出相应的手性有机硅化合物。该反应的条件温和，底物适用范围广，大部分产物的ee值都能达到90%以上。所得的手性烯丙基硅产物能够进一步转化，例如发生烯丙基乙酰化反应，对映选择性能够得到很好的保持，因此在有机合成中具有一定的应用潜力。动力学实验表明，反应对双铑催化剂、硅烷展现出一级动力学效应，对底物则表现出零级动力学特征，说明铑卡宾对Si-H键的插入步骤是反应的决速步，这与动力学同位素实验的结果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烃作为卡宾前体同样可以发生高对映选择性的Si-H键插入反应，结合炔烃化学在从简单原料构筑复杂产物上的优势，为结构多样性有机硅化合物的合成提供了新的方向。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。