高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
有机硅农药增效剂
农药原药通常是由 溶性化合物,需要通过乳化使用。一方面使得农药喷洒得均匀,另一方面是为了提高农药在植物表面的附着、扩散、渗透性能。农药乳化剂一般是聚醚类,或是阴离子类,都属于碳氢化合物。碳氢化合物的表面张力一般在30-40 mN/m.。液体表面张力越低,在植物表面铺展和渗透能力越强。为了降低浓乳的表面张力可在农乳中添加增效剂,进一步降低表面张力,以实
南京工业大学 2021-01-12
长循环硅基复合薄膜负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展,薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言,其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法,实现电极结构设计与导电型材料复合,改善硅基材料低导电率问题,优化硅基材料体积膨胀缓冲空间,从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学 2021-01-12
改性有机硅柔软剂
本产品为一种改性有机硅柔软剂,主要用于织物的后整理,给予织物柔软、滑爽等手感。氨基硅油作为一种织物柔软剂,不仅对棉、毛、麻等天然纤维有较好的柔软手感,对合成纤维也有较好的柔软效果。但经氨基硅油整理后的织物也存在亲水性差、经光线照射后容易黄变的缺点,从而不能用于对浅色织物的后整理。本产品对氨基硅油直接进行醇基化改性,产品既保留了部分未改性的氨基硅油,又引入了羟基亲水基团。经过本产品处理过的织物,既有经过氨基硅油处理后的手感特点又可改善织物的染色性、耐热性和耐水性。同时氨基硅油中容易氧化黄变的氨基被部分亲水基团醇基取代,增加了织物的亲水透气性,降低了处理后织物的黄变。
华东理工大学 2021-04-13
一种深硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法,包括如下步骤:(1)在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜;(2)对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀,包括多个刻蚀阶段,每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内,通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成,随着刻蚀深度的增加,各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题,在提高刻蚀效率的同时,提高了对光刻胶的选择比,刻蚀槽侧壁垂直度高,粗糙度小,刻蚀深度大。
华中科技大学 2021-04-14
低硼硅药用玻璃管
主要生产药用玻管、中性硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅玻璃安瓿/小瓶、低硼硅管制口服液体瓶等产品。现拥有14条国际先进的拉管生产线,70余台国际先进的制瓶机,年产各类安瓿/管制瓶32亿支,药用玻管(精品7.0)30000吨。
山东力诺特种玻璃股份有限公司 2021-08-27
硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法,包括以下步骤:将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米;去除硅片表面的所有绝缘层;在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜,以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂,绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反;在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜;在导电区表面覆盖金属电极;在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单,可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏,并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学 2021-04-11
大颗粒状速溶食品(菊花晶和金银花晶)的开发及产业化
菊花晶和金银花晶具有清热去火的功效,目前市售的菊花晶和金银花晶主要 以粉末状的形态存在,外观形状较差,且溶解时所需的时间较长。本项目开发的 菊花晶和金银花晶颗粒较大,溶解性较好。 溶解时间:热水中 3 s 以内全部溶解,不使用食品添加剂。 效益分析: 菊花和金银花中的有效成分具有清热去火等诸多功效,将其从菊花和金银花 中提取出来制备成菊花晶和金银花晶可以提高食用的方便。此外,将菊花晶和金 银花晶与奶粉同时食用,可以有效降低婴儿食用奶粉时引起的上火等问题。因此, 开发具有良好外观形态和溶解性的菊花晶和金银花晶具有较强的市场竞争力。
江南大学 2021-04-11
超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介:本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10~20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8~14nm和2~6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学 2021-04-14
低成本纳米微晶陶瓷制备技术
本项目开发了一种全新概念的纳米陶瓷制备新工艺新技术。它采用天然矿物和工业废渣来取代高温烧结法中昂贵的纳米陶瓷粉末,使制备成本大幅降低。用高温溶胶-凝胶工艺从根本上解决了材料组成的不均匀性和残留气孔等问题,同时具有生产周期短、效率高、能耗低、制品的均匀性和可靠性好等优点。开发的原位受控晶化技术不仅使材料的晶粒尺寸控制在纳米级,而且还可对晶相数量和结晶形状进行有效控制,可获得具有球状或针状晶体的纳米微晶陶瓷。
湖南大学 2021-04-10
全自动激光晶圆划片机系统
电路是以晶圆为载体,采用一定的工艺,把电路中的元器件和布线制作在晶圆片上,封装为 一个整体,使晶圆上每个晶粒成为具有所需电路功能的微型结构。晶圆切割的过程是将集成有 电路的整片晶圆通过划切分割成单个的晶粒,切割过程又是一种无法恢复的过程,因此,材料 和制造成本的积累以及工艺的不可重复性决定了切割工艺成为整个集成电路制造过程中最关键 和难度最大的工艺环节。 精密机械:可加工的晶圆最小直径可达50mm,在晶圆里面印刷有晶格,每个晶格的宽度 为200μm,晶格间距约为20μm,所以设备的切割精度要求控制在2μm以内,每小时切割15片。 运动平台采用高精度的直线电机平台,定位精度为2μm,重复定位精度为1μm;旋转平台的定 位精度为30″,重复定位精度为4″。 计算机自动控制:划片机系统将根据客户要求以及配合视觉检测系统传输的晶圆数据,自 动生成切割路径,在规定的工作时间内完成晶圆的切割。
华东理工大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 5 6 7
  • ...
  • 35 36 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1