产品详细介绍泥碳（沼）取样器泥炭取样器，标准装置，取样深度10米不锈钢泥沼取样器实际上是一种圆凿钻，由手工推入土中使用，样本盛装部分是半圆柱形。泥沼取样器与标准的圆凿钻的不同之处在于，它的钻锥很大。样本盛装部分由一块可以绕取样器中心的轴旋转的板（翼翅）密封，这块板的一侧带有刃口。到达适当深度时，整个取样器顺时针旋转半圈（180度），旋转过程中上文提到的翼翅保持原位，使得盛装样本的半圆柱可以装满并重新闭合。取出盛装样本的半圆柱体时，它依靠其中一端的翼翅保持闭合状态。泥沼取样器仅适用于平坦、非常柔软的土壤。要与T形手柄最大程度地牢固连接，加长杆和底部零件都带有螺口接头。标准装置包括：一根带加长杆的T形手柄，一只Edelman钻，一个泥沼取样器，一根推/拉手柄，工具，维修工具和玻纤实用探测器。全套装置装在结实的铝制装运箱内。优点泥沼取样器与其它圆凿钻相比，有如下优点：可以在任意深度取得长50厘米的半静态土样。可从地下水位以下，或水面以下取得样本。由于翼翅能够很好地关闭半圆筒形样本盛装部分，所以可从非常柔软松散的土壤里取样。不足之处是：由于钻锥很大，所以钻透过程中会产生较大的阻力。在含纤维较多的土壤中，取样部分的锋利边缘可能切不断纤维，导致翼翅仍然部分打开，从而引起样本损失，或与上部土层混合造成污染（尤其在非常柔软的土壤中）。用途泥沼取样器可在事先定好的深度，从软土中取得半静态样本，用于以下研究：环保研究。土层的肉眼分析。柔软沉积物取样。古生物学研究。

产品详细介绍该型号电脑元素分析系统是国内新型的材料元素检测仪器，她基于强大的windows操作平台以及先进的生产工艺、技术将传统的生产方式合而为一，一套设备可满足碳钢、合金钢、不锈钢、高锰钢、耐磨材料、生铸铁、球铁、合金铸铁等材料中碳硫元素的定量分析。 仪器配置：    1 品牌电脑主机1台     2 品牌19吋宽屏液晶显示器1台      3 台式喷墨打印机1台 4 电弧燃烧炉1台  5 碳硫分析箱1台 6 碳硫控制箱1台7 电子天平1台主要技术指标：测定范围：碳0.02-10.00%（需改变称样量）      硫0.001-2.00%；测量时间：45秒左右；测量精度：测量精度：符合GB/T223.69–1997标准，GB/T223.68-1997标准； 电源电压：220V±10%50HZ 主要特点：电脑全程自动控制，动态显示整个工作流程；可储存多条工作曲线，对钢、铁及其它材料可选用不同的工作曲线；碳、硫零点电脑自动采集，满度自动跟踪，彻底消除人为误差；电子天平连机不定量称样，极大地提高了分析速度；电脑自动处理数据、自动换算；根据需求可保存日期，测试结果等相关数据，也可任意查询、打印保存的原始档案；气体容量法定碳（液体吸收或固体吸收），注射式滴定法定硫。采用先进的冷光源技术，硅光电池控制自动滴定，快慢分速明显，滴定终点更稳定，测试精度明显高于同类产品。配置了品牌电脑，台式打印机 打印测量结果；金牛仪器服务承诺：1、所售化验仪器三包一年，终身服务，产品售后服务热线电话24小时开通，定期回访客户； 2、免费为客户安装、调试、代办托运化验仪器 ；3、免费培训化验人员，现场培训或来公司培训均可；4、提供材料分析工艺，代办化验仪器配套理化检测设备和配件；协助筹建化验室 5、常年提供化验仪器所需各种配件(特制硅钼粉、纯锡粒、各种标准物质、玻璃器皿、分析天平、添加剂等仪器所需的各种配件)。http://www.jnfxyq.com

本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有

首次使用炔烃作为卡宾前体完成了一例不对称Si-H键插入反应，高效构筑了一类新型手性有机硅化合物。该反应使用手性羧酸双铑催化剂，首先促进羰基-烯-炔底物发生分子内环化现场生成双芳基金属卡宾，该金属卡宾中间体进而对硅烷的Si-H键发生高对映选择性的插入反应，给出相应的手性有机硅化合物。该反应的条件温和，底物适用范围广，大部分产物的ee值都能达到90%以上。所得的手性烯丙基硅产物能够进一步转化，例如发生烯丙基乙酰化反应，对映选择性能够得到很好的保持，因此在有机合成中具有一定的应用潜力。动力学实验表明，反应对双铑催化剂、硅烷展现出一级动力学效应，对底物则表现出零级动力学特征，说明铑卡宾对Si-H键的插入步骤是反应的决速步，这与动力学同位素实验的结果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烃作为卡宾前体同样可以发生高对映选择性的Si-H键插入反应，结合炔烃化学在从简单原料构筑复杂产物上的优势，为结构多样性有机硅化合物的合成提供了新的方向。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。

本发明的首要目的是提供一种含硅含硼水性聚氨酯，本发明的另外一个目的是提供一种上述含硅含硼水性聚氨酯的制备方法，包括以下步骤：a、称取大分子二元醇与TDI混合，在N2保护下升温至70～90°C，反应1～3h，然后先加入DMPA反应1～2h，再加入BDO反应1～3h，降温至60～70°C，接着滴加氨基封端的硅氧烷反应0.5～1.5h，降温至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、将硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的转速条件下,先加入TEA进行乳化、中和20～30min，再加入硼酸继续乳化

环氧树脂作为一种运用广泛的高分子材料，主要优点有：①耐湿性、耐碱性、耐酸性和耐溶剂性好；②固化收缩率低；③介电绝缘性、力学性能优良；④与多种基材的粘接性能优异。但是，环氧树脂耐热阻燃性能差，极大限制了它在高性能化方向的应用。本项目采用磷、硅、氮三者协同阻燃体系改性环氧树脂，不仅使环氧树脂的阻燃性能达到不燃物标准，同时各元素比重都较低，相对降低由于某一种元素含量过高造成对环氧固化体系基体性能的过多影响。

 基于硅材料和CMOS工艺制备光电子器件及其集成技术，可实现低成本、批量化生产，并具有和微电子单片集成的潜力，是目前国际光电子前沿研究领域。该技术不仅可以用于片上光互连，也可为骨干网、光接入网和数据中心提供高性能、低成本收发模块。 在国家973计划项目《超高速低功耗光子信息处理集成芯片与技术基础研究》的支持下，针对硅基材料不具备线性电光效应、而利用自由载流子等离子色散效应实现电光调节效率低、功耗高等科学难题，提出了一系列解决思路和具有创新性的器件结构，形成了硅基光电子集成器件设计方法和基于CMOS工艺的制备工艺流程，成功制备了一系列硅基光电子集成芯片。 该技术不仅为我国硅基光电子集成技术的发展和华为等知名电信设备企业新一代产品提供了有力的技术支撑，也引起了国际同行的密切关注。美国光学学会《Optics & Photonics News》曾出版专题报道“Integrated Photonics in China”，对本项目的部分工作进行了介绍。2014年底，Nature Photonics将本项目首次在硅基上研制成功的大容量可编程光缓存芯片作为Research Highlight加以报道。高速低功耗16*16光交换芯片版图大容量可编程光缓存芯片（左：芯片照片，中：封装后的结构，右：性能测试结果）为华为公司研制的400G可调光模块。