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低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS 薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特 点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到 0.3$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其 中光吸收层 CIGS 薄膜为 p 型半导体,其表面贫 Cu 呈 n 型与缓冲层 CdS 和 i-ZnO 共同成为 n 层,构成浅埋式 p-n 结。太阳光照射在电池 上产生电子与空穴,被 p-n 结的自建电场分离,从而输出电能。工艺 流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法分步电沉积CuIn-Ga 金属预置层→快速加热硒硫化处理(RTP)→化学水浴法沉积 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 溅射沉积→ZnO:Al 透明导电膜的溅射沉积→ Ni/Al 电极沉积,等。 
南开大学 2021-04-11
CDTE薄膜的表面腐蚀及用此法制备CDTE太阳电池
CdTe薄膜的表面腐蚀及用此法制备CdTe太阳电池,属于半导体器件加工领域。采用硝酸、冰乙酸、NaAc和去离子水的混合液作为腐蚀液,其中,NaAc作为缓冲剂,以保持溶液的pH值不变,使反应更稳定,通过CdTe和硝酸发生反应生成富碲层;清洗吹干后,沉积含Cu或不含Cu背接触层,最后沉积背电极以制备CdTe太阳电池。沉积背接触材料,可增加pn结附近的载流子浓度,降低肖特基势垒高度,避免直接沉积Cu形成比较复杂的CuxTe结构。采用这种方法腐蚀并制备CdTe太阳电池,可显著提高太阳电池的性能,并保证器件性能的稳定性和重复性。
四川大学 2021-04-11
低温柔性大面积 CIGS(铜铟镓硒)太阳电池
以轻质高分子聚合物聚酰亚胺(简称 PI)为柔性衬底的 CIGS 电 池不但保持着玻璃衬底太阳电池的一些优良性能,同时还具备不怕摔 碰、可卷曲折叠、在制作中可按要求剪裁等特点,具有更广阔的应用 前景。PI 薄膜不吸水、绝缘性能好、重量轻(70g/m2)、厚度薄(仅 为 0.05mm)、表面光滑及可弯曲等特点,是高功率重量比太阳电池的 首选衬底材料,其功率重量比可高达 2000W/Kg(未封装),并且由于 PI 衬底 CIGS 电池可实现大面积卷-卷(Roll-to-Roll)连续化生产, 为进一步降低光伏电池成本开辟了有效途径。通过研究低温生长 CIGS 薄膜中 Na 掺杂对材料生长及器件复合机制的影响,改善了器 件光电性能。柔性聚酰亚胺(PI)CIGS 太阳电池大面积单体电池 2cm ×2cm 与 4cm 4cm×4cm 柔性大面积 PI 衬底 CIGS 太阳电池效率分 别达 8%与 7%(由中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检 测中心鉴定)。 
南开大学 2021-04-13
低成本非真空铜铟硒(CIGS)薄膜太阳电池制造技术
CIGS薄膜太阳电池具有效率高,无衰退、抗幅射、寿命长等特点,采用非真空技术可以进一步降低这种电池的成本,预计可达到0.6$/W。 本项目产品结构为:衬底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al;其中光吸收层CIGS薄膜为p型半导体,其表面贫Cu呈n型与缓冲层CdS和i-ZnO共同成为n层,构成浅埋式p-n结。太阳光照射在电池上产生电子与空穴,被p-n结的自建电场分离,从而输出电能。工艺流程:普通钠钙玻璃清洗→Mo的溅射沉积→非真空法沉积CIGS薄膜预置层→快速
南开大学 2021-04-14
一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法
本发明公开了一种硅太阳电池表面等离子体增益的方法,采用将金属纳米颗粒分散在醇溶剂中形成金属纳米颗粒胶体溶液,在硅太阳电池片迎光面上,丝网印刷或喷淋或旋涂金属纳米颗粒胶体溶液,烘烤使醇溶剂从电池片表面挥发完全,在保护气体氛围下进行快速热处理退火温度,再进行二次常规热处理退火,实现硅太阳电池表面等离子体增益。本发明方法具有成本低、易操作、效率提升效果好的特点,具有较大的应用前景。
浙江大学 2021-04-11
聚合物太阳电池给体材料方面取得新研究进展
设计合成了一种基于苯并[1,2-b:4,5-c’]二噻吩-4,8-二酮的聚合物给体材料PBTT-F,成果制备了能量转化效率为16.1%的单节聚合物太阳能电池。 非富勒烯本体异质结聚合物太阳能电池的活性层主要由聚合物给体和稠环电子受体所组成。自从稠环电子受体ITIC发现以来
南方科技大学 2021-04-14
砷化镓基超快激光器与高效率轻质砷化镓薄膜三结太阳电池
激光雷达等传感器以及高效率砷化镓太阳能电池是国务院国家制造强国建设战略咨询委员会列出的核心基础元器件,本项目在国务院国资委以及国家级人才计划科研项目支持下,联合国内知名企业进行关键技术攻关,研制出基于砷化镓的超快半导体激光芯片与激光器可适用于激光加工、5G通信、生物医疗等领域,同时研制出的高效率砷化镓薄膜三结电池曾获得世界最高效率,相关产品已处于中试和量产阶段,本项目相关技术和产品曾获得过2018年度上海市科技进步二等奖,2020年中国发明协会发明创新二等奖,2020年中国光学学会光学科技奖一等奖等奖励。本次将展示本项目研制的相关砷化镓基半导体激光器以及高效率柔性轻质砷化镓薄膜三结太阳能电池。
复旦大学 2021-09-18
利用材料基因工程技术加速钙钛矿太阳电池成分筛选
利用四通道连续喷墨打印机,结合钙钛矿成膜特性和原理,开发了一种适用于混合钙钛矿薄膜制备的高通量连续喷墨打印技术。四种前驱体对应四通道喷头,每种喷头可以打印一种成分,在同一玻璃基底上依次打印,通过控制每个喷头的打印点进而形成不同组分钙钛矿薄膜。整个打印过程可以通过系统软件控制,实现全自动混合打印。打印的薄膜成品质量高,能够进行物相、光学吸收和荧光强度
南方科技大学 2021-04-14
一种碲化镉粉末的高温液相合成方法
本发明公开了一种碲化镉粉末的高温液相合成方法,将镉块和碲块,按摩尔比1:1分别装入到“Y”形管的A,B两端,并将“Y”形石英管水平放入三段加热的开合式“Y”形炉膛中;然后对石英管抽真空至1×10-3Pa~1×10-4Pa,并对“Y”形石英管的A,B,C三段分别加热到?350-400℃,480-600℃和600-1100℃,保温至试验完成。当碲和镉熔化成液体后,通过支架8将三段加热的开合式炉垂直放置,然后关闭真空阀门1和2,打开通气阀3、4和放气阀5,并通入0.01-1MpaAr气,使碲和镉液体分别从6和7喷口喷出雾化,碲和镉的雾化液滴接触即可合成的高纯碲化镉粉末,并散落于“Y”形石英管的C端底部。雾化完成后,停止加热,冷却至室温,打开C端封头9,即可收集高纯碲化镉粉末。
四川大学 2021-04-11
一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法
本发明公开了一种液相还原与氢处理制备碲化镉粉末的方法,其工艺步骤为:按照Cd2+与Te(Ⅳ)的摩尔比为0.9~1.1的配比在酸中溶解镉和碲的氧化物、氢氧化物或盐,配制成Cd2+、Te(Ⅳ)的浓度为0.2~1mol/L的溶液;然后将该溶液置于恒温水浴锅中,恒温温度为20~90℃;接着滴加入浓度为0.2~1mol/L的还原剂溶液,并不断搅拌,直至滴加入的还原剂的摩尔质量达到Cd2+和Te(Ⅳ)离子物质的量和的3~5倍为止;反应结束后,将溶液过滤,滤出物置于真空干燥箱烘干,再置于通有流动氢气气氛管式炉中或直接置于通有流动氢气的管式炉中,再在150℃~450℃下反应0.5~4h,冷却至室温即得碲化镉粉末。
四川大学 2021-04-11
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