碳化硅微粉的提纯工艺要求实时在线监测提纯罐中微粉溶液的温度、液位、搅拌机时间等参量；如果分别选购市场上已有的数字化测温仪、液位计和搅拌机运动监测（如转速）仪表分别监测相关参量，还需另外选购工业控制计算机（车间环境温度夏季高达50℃以上，普通PC机无法胜任），以便把测温仪、液位计和（搅拌机）运动监测的信号实时采集和存储。此方案不仅成本高，而且占用车间生产、物流空间较多，将对车间正常生产带来严重影响；为此（受连云港乐园磨料磨具有限公司委托）我们以增强型嵌入式微控制器AT89S52为核心，自行设计研制了集提纯罐溶液温度、液位、搅拌机监测与提纯工艺管理于一体的智能化多参量监测仪。该仪器支持时下流行的在系统编程（In-SystemProgramming）下载技术，便于今后的程序升级；采用液晶显示器和键盘作为人机接口；采用Flash存储器AT29C010A作数据备份之用；采用一主多从的方式通过RS-485总线协议实现分布式结点与上位机的通信，具有良好的抗干扰能力。

已有样品/n在微电子所的技术支持和协助下，株洲中车时代电气股份有限公司国内首条6英寸碳化硅（SiC）芯片生产线顺利完成技术调试，厂务、动力、工艺、测试条件均已完备，可实现4 寸及6 寸SiC SBD、PiN、MOSFET 等器件的研发与制造。与其他半导体材料相比，SiC 具有宽禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿场强，以及高热导率等优异物理特点，是新一代半导体电力电子器件领域的重要发展趋势。

本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N⁺衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P⁺ 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两

项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300

一、 项目简介“硅单晶碱性抛光液及清洗液”项目,始自七十年代中期,不断对产品研发与升级。FA/O硅单晶碱性抛光液，具有较高的抛光速率，能有效去除衬底表面损伤层，表面微粗糙度较低，可解决衬底片结底不平引起的噪声增加、漏电流增大，实现了表面高完美性，提高了衬底片器件区的可靠性与衬底片良品率。FA/O硅单晶清洗液，采取特有的物理优先吸附，有效去除抛光片表面颗粒物、有机物沾污，清洗后衬底片表面重金属离子降至ppm级，达到了易清洗、高洁净。二、 项目技术成熟程度该项目的研发、应用，满足了硅单晶衬底片加工高去除速率、低表面粗糙度、高表面完美性、易清洗、高表面洁净、高可靠性等指标的工业要求。自1994年至今，产品已累积销售一千多吨，性能稳定、质量可靠。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）抛光液抛光速率1.2-1.5um/min,粗糙度达A级。清洗剂可达到微电子的需求。研发的抛光液获国家1983年发明四等奖、1990年发明三等奖、清洗技术获1999年国家三等奖。抛光液、抛光清洗液列为国家级科技成果重点推广计划，列为国家重点新产品。申请专利授权中3项，授权6项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）据统计，仅中国（含台湾地区）硅单晶抛光液的年需求额40多亿元。FA/O硅单晶碱性抛光液，广泛用于硅分立器件、功率器件与集成电路衬底片加工。已多年供应国内华润华晶、洛阳鼎晶、深圳深爱等多家知名企业，被指定唯一用于国家航天神五至神十专用集成电路高可靠衬底抛光片加工，具有广泛的市场应用前景。FA/O硅单晶清洗液，广泛用于要求易清洗、高洁净的硅衬底片清洗。已被中科晶电信息材料有限公司等多家知名企业应用，市场应用前景广泛。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）年产量5000吨的生产规模投资为约3000万元，需千级以上超净化厂房。可依产能需求调整资金投入。产品生产控制节点少，操作人员需求少，适于自动化生产。六、 生产设备低压真空系统、百级超净车间、去离子水系统等。七、 效益分析生产工艺与操作简单、成本低、环保性好，效益较高。八、 合作方式主要采取合作生产、代理代销，可提供技术支持与培训，或面谈。九、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）项目联系人：刘玉岭 联系电话：022-60204128Email：liuyl@jingling.com十、 高清成果图片2-3张

小试阶段/nZrB2-SiC陶瓷材料具有耐高温、抗氧化烧蚀、抗冲刷、室温及高温力学性能良好等优异性能，是超高温应用领域最具潜力的候选材料，有望用于高超声速长时飞行、大气层再入、跨大气层飞行、火箭推进系统及熔炼电极、熔炼坩埚等极端热化学环境中。现有的硼化锆-碳化锆超细复合粉体的制备技术存在以下不足：成本高、反应温度高、过程不易控制、工艺过程复杂、产率低、合成粉体的纯度较低、粉体颗粒粒径分布不均匀和粉体颗粒容易团聚等，极大地限制了硼化锆-碳化锆超细复合粉体的产业化生产。本发明旨在克服现有技术的不足，目的

研发阶段/n内容简介：纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管涉及一种新型功率半导体器件制造技术。结合微电子技术工艺，构造用纳米线碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管。它具有高速、耐苛刻环境、低导通电阻等一系列特点，广泛用于数字电子技术等领域。本产品获得一项专利，专利号：200510018701.9。

本发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法，所采取的技术方案 是：将清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空炉中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生 物质炭粉；将生物质炭粉和 SiO2 凝胶按 C/Si 摩尔比为 1∶1.5～3.0 机械混合均匀，得到预 混料；在纯氮气保护下将所述预混料升温到 1450-1600℃，保温 1～4h。保温时间结束后， 以 5～20℃/min 的降温速率降温到 800℃，然后关掉加热电源，自然冷却。本发明合成的一 维碳化硅纳米晶须为链珠状，晶须长径比大；合成工艺简单，成本低，生产设备简单。 

本发明涉及一种形貌控制合成链珠状一维碳化硅纳米晶须的方法，所采取的技术方案是：将清洗干燥后的木粉或竹粉 100～200g，于真空炉中在 500～700℃下碳化 1～2h 得到生物质炭粉；将生物质炭粉和 SiO2 凝胶按 C/Si 摩尔比为 1∶1.5～3.0 机械混合均匀，得到预混料；在纯氮气保护下将所述预混料升温到 1450-1600℃，保温 1～4h。保温时间结束后，以 5～20℃/min 的降温速率降温到 800℃，然后关掉加热电源，自然冷却。本发明合成的一维碳化硅纳米晶须为链珠状，晶须长径比大；合成工艺简单，成本低，生产设备简单。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等