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电弧红外碳硫分析仪
产品详细介绍电弧红外碳硫分析仪能快速、准确地测定钢材中碳、硫两元素的质量分数。是集光、机电、计算机、分析技术于一体的高新技术产品，具有测量范围宽、抗干扰能力强、功能齐全、操作简便、分析结果准确可靠等优点，是诸多行业测定碳、硫两元素理想的分析设备。碳硫分析仪特点：1、采用低噪声、高灵敏度、高稳定性的红外探测器、性能稳定、可靠、结果精确 2、整机模块化设计，提高了仪器的可靠性；3、电子天平不定量称样，提高了分析速度4、品牌电脑配置，中文操作、彩色画面、界面清晰，操作简单方便、易于掌握5、软件功能齐全，提供文件帮助、系统监测、通道选择、数理统计、结果校正、断点修正，系统诊断等多项功能；6、动态显示分析过程中的各项数据和碳、硫释放曲线7、测量线性范围宽，并可扩展8、进口电磁阀，提高气路系统的可靠性9、电弧点火、非接触式燃烧 10、节电、节材、高速准确。碳硫分析仪主要技术性能： 1、测量范围：碳：ω（C）0.001%—6.0000%(可扩至99.999%) 硫：ω（S）0.0005%—0.3500%(可扩至99.999%) 2、分析误差：碳符合GB/T223.69—1997标准 硫符合GB/T223.68—1997标准 3、分析时间：25—60秒可调 一般在35秒左右4、电子天平：称量范围0-100克 读数精度：0.001克 5、工作环境：室内温度：10-30℃ 相对湿度：小于75% 6、电源：电压AC220V±5% 频率50Hz±2%，要求接地良好金牛仪器服务承诺：1、所售化验仪器三包一年，终身服务，产品售后服务热线电话24小时开通，定期回访客户； 2、免费为客户安装、调试、代办托运化验仪器 ；3、免费培训化验人员，现场培训或来公司培训均可；4、提供材料分析工艺，代办化验仪器配套理化检测设备和配件；协助筹建化验室 5、常年提供化验仪器所需各种配件(特制硅钼粉、纯锡粒、各种标准物质、玻璃器皿、分析天平、添加剂等仪器所需的各种配件)。http://www.jnfxyq.com
南京金牛高速分析仪器有限公司
2021-08-23
安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
本工作中，基于安徽大学微纳加工平台以及香港科技大学纳米系统实验制造中心联合制造出了两款氮化镓功率器件，分别实现了电压驱动/电流驱动的栅极结构，为后续的驱动设计和研发提供了器件技术支持；工作中也同时提出了两种结构在高温下的稳定性模型，为进一步提升氮化镓器件的性能以及可靠性打下了基础。
安徽大学
2022-06-13
安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
近日，我校物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组在氮化镓功率器件领域取得最新研究进展，在氮化镓GaNHEMT方向取得突破。
安徽大学
2022-06-01
基于石墨烯、氮化硼等二维材料的防腐应用
石墨烯由于其独特的二维纳米结构，且具有高强度、高热稳定性、高化学稳定性以及优良的导热性等特性，在防腐涂料领域具有广阔的应用前景。石墨烯、氮化硼等二维材料由于其特殊的结构使其具有不透过性，作为金属基底与腐蚀环境的阻隔层而保护基底不被自然环境所腐蚀。通过化学气相沉积法及块体剥离法可分别制备直接生长于金属表面的大面积石墨烯、氮化硼薄膜，或粉状的石墨烯、氮化硼纳米片。通过化学气相沉淀法，二维材料可以在任意形状的金属基底的所有暴露面上生长，实现对金属表面的全面保护。
中国科学院大学
2021-01-12
一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法
本发明公开了一种高取向二氧化钒薄膜的液相制备方法，属于化学功能材料领域。该制备方法以三异丙醇氧钒为溶质制备前驱液，将所得前驱液涂于蓝宝石衬底制备前驱物薄膜，最后将前驱物薄膜置于真空环境中烧制而成。本发明在液相法的基础上，通过控制真空烧结条件制备二氧化钒薄膜，所获得的薄膜均具有良好的生长取向，相变温度为60°C左右，相变前后电阻率的变化在三个量级以上；且制备工艺简单，适合大范围推广。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种五氧化二钒纳米带及其常温合成方法与应用
（专利号：ZL 201410485637.4） 简介：本发明公开了一种五氧化二钒纳米带及其常温合成方法与应用，属于纳米材料和电化学储能技术领域。本发明的一种五氧化二钒纳米带的常温合成方法，向钒源水溶液中加入矿化剂，然后将加有矿化剂的钒源水溶液置于常温条件下搅拌，反应完全后，洗涤收集得到五氧化二钒纳米带；五氧化二钒纳米带为均匀超长纳米带，其长度为10-20微米，五氧化二钒纳米带的宽度为20-50纳米。本发明能够在常温常压下简单、低成本、高产
安徽工业大学
2021-01-12
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法与装备
本发明公开了一种激光辅助低温生长氮化物材料的方法及装备， 该方法将非氮元素的前驱体蒸汽和活性氮源前驱体气体分别输送到反 应腔室内温度为 250 至 800℃的衬底材料处，利用波长与活性氮源分 子键共振波长相等的激光束作用于活性氮源气体，使激光能量直接耦 合至活性氮源气体分子，加速 NH 键的断裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素与活性氮源发生化学反应，沉积第 III 族氮化物膜层材料， 持续作用直到沉积物覆盖整个衬底
华中科技大学
2021-04-14
基于硅衬底氮化物材料集成制备微机电可调谐振光栅
南京邮电大学
2021-04-14
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14