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基于超材料的太赫兹单谱信号探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于超材料的太赫兹单谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N 型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了一种图形及其特征尺寸参数，该图形对于太赫兹电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变 N 型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环
华中科技大学
2021-04-14
一种高通量聚偏氟乙烯超滤膜的制备方法
本发明所述聚偏氟乙烯超滤膜的制备方法：(1)将聚偏氟乙烯、聚偏氟乙烯-g-聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯和溶剂加入反应容器，在搅拌下于50℃反应24小时，反应结束后，静置脱泡至无可见气泡，得到制膜液；其中，聚偏氟乙烯在所得制膜液中的质量浓度为15％～20％，聚偏氟乙烯-g-聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯的质量是聚偏氟乙烯质量的5％～15％；(2)将步骤(1)所得制膜液浇在光学反射镜上，采用刮膜刀进行刮膜，刮膜后在室温、空气中放置40～80s，使制膜液中的溶剂挥发，然后进行30～60小时的凝固浴，最后在空气中自然晾干，得到高通量超滤膜。本发明方法能进一步提高膜通量。
四川大学
2016-10-12
改性沥青荧光显微形态结构图像源样本的制备方法
包括以下步骤：（1）加热改性沥青使之软化融熔，加热温度为 100～130℃；（2）将融熔的改性沥青在室温中自然稍冷却 5～10min；（3）将稍冷却后的改性沥青搅拌均匀并倒于圆柱形器皿中，沥青高于器皿口边缘处；（4）将装有沥青试样的圆柱形器皿水平放置于-25--30℃的环境中，放置时间 3-5h；（5）取出试样，观测试样表面是否平整；（6）将表面平整的试样器皿在室温中水平放置 2h，自然脱水后进行图片拍摄；将表面不平整的试样器皿用小刀将表面刮平，使之具有良好的平整度，放回-25--30℃的环境中继续
扬州大学
2021-04-14
一种制备太阳能电池栅电极的装置及方法
本发明提供了一种制备太阳能电池栅电极的装置及方法，装置包括银浆供给装置，喷嘴高度调节模块，喷嘴，可程控的高压发生器，吸附平台，运动平台和控制单元；方法包括将太阳能基板设置于吸附平台上，制备第一栅电极和制备第二栅电极，第二栅电极的宽度大于第一栅电极的宽度；本发明利用电纺丝直写工艺打印太阳能电极；利用电场将喷嘴中的银浆拉成直径比喷嘴直径小的丝。通过控制不同的电压，喷嘴高度，和基板进给速度可控制打印出的栅线宽度和高度。电压影响一定高度下泰勒锥的稳定性。高度主要通过影响栅线在空中的固化程度来影响打印栅线的高
华中科技大学
2021-04-14
一种频率可调控的可拉伸液态金属天线及其制备方法
本发明公开了一种频率可调控的液态金属天线，包括可拉伸基板，可拉伸基板上加工有曲线形状的液态金属微流道，液态金属微流道内填充液态金属或液态金属合金；当可拉伸基板受到横向拉伸时，曲线形状的微流道内的液态金属或液态金属合金在纵向和横向均存在变形，通过预先设定纵向与横向变形间的比例关系以控制液态金属天线在受到拉伸后的长度变化，从而实现液态金属天线在横向拉伸后的工作频率调整。本发明还提供了准备上述液态金属天线的制备方法。本发明通过预先设定天线的纵向与横向变形间的比例关系以控制液态金属天线在受到拉伸后的长度变化
华中科技大学
2021-04-14
一种锥形的非晶SiO2纳米线及其制备方法
本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种锥形的非晶的SiO2纳米线及其制备方法。本发明提供的锥形SiO2纳米线如图1所示，形貌上纳米线根部直径300nm~600nm，高度2~4um，对于一根纳米线，随高度增加，直径逐渐减小，成圆锥形，圆锥角4~15°且可以通过调控原料的量使得纳米线直径，高度以及锥角发生变化。成分上Si和O，不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）半封闭势井形气流装置的组合（3）锥形SiO2纳米线的生长。在通流动载流气体条件下将高温区管式炉升温至1250°，炉内压强保持在0.04~0.06Mpa，然后在上述温度和压强保温2~5h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出锥形SiO2纳米线；所述载流气体为H2和Ar组成的混合气体，H2的体积百分数为3~7%，Ar的体积百分数为93~97%。
四川大学
2016-10-21
一种石墨烯支撑的微米金核壳结构及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯支撑的微米金核壳结构及其制备方法；制备方法包括下述步骤：(1)获得聚苯乙烯微球乳液，并在聚苯乙烯微球乳液中加入改性溶液后进行搅拌，获得表面改性的聚苯乙烯微球乳液；(2)获得微球金种子的凝胶溶液；(3)获得表面有金壳层的聚苯乙烯微球的凝胶溶液；(4)将所述表面有金壳层的聚苯乙烯微球的凝胶溶液进行烘干后获得粉末状的样品；通过将样品在四氢呋喃溶液中浸泡使其在金壳层内壁生长出石墨烯多层并除去聚苯乙烯微球，再进行烘干后获得石墨烯支撑的微米金核壳结构。本发明中改进的单分散法制备的聚苯乙烯微
华中科技大学
2021-04-14
一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法
本发明公开了一种同时制备石墨烯和多孔非晶碳薄膜的方法，包括 S1 对金属镍片衬底进行超声清洗，并烘干后放置于管式炉中；S2向管式炉中通入惰性气体；S3 对管式炉进行升温处理使其达到750℃～1000℃并保持 10 分钟～50 分钟，向管式炉中通入氢气，并对金属镍片衬底进行热处理；S4 向管式炉中通入流量为 20sccm～100sccm 的碳氢化合物，使得经过热处理后的金属镍片衬底催化碳氢化合物裂解以及镍片溶碳后同时生长石墨烯和非晶碳薄膜；S5 对管式炉进行降温处理，并将生长有石墨烯和非晶碳薄膜的镍片
华中科技大学
2021-04-14
一种用给水厂和污水厂污泥制备轻质陶粒的方法
本发明涉及城市污水厂及给水厂污泥的废弃物资源化处理利用。本发明轻质陶粒的制备方法，包括原料配料、均化、成型、预处理、焙烧、冷却，其特征在于：a.原料重量比：给水厂污泥70～100％，污水厂污泥0～30％；b.预处理：温度300℃～500℃，预处理时间10～30min；c.焙烧：温度1130℃～1170℃，时间5～15min。以给水厂污泥为主要原料，加入污水厂污泥为添加剂烧制的陶粒，应用价值高，不但同时处置了大量的给水厂和污水厂污泥，实现两种污泥的综合利用，还能得到性能较好的轻质陶粒，并能配制出可以
南开大学
2021-04-14
一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法， 包括以下步骤：以碳化硅作为 N<sup>+</sup>衬底，在其上依次外延 生长掺磷的 N 基区、掺铝的 P 基区以及掺硼的重掺杂 P<sup>+</sup> 区；在所形成的器件两端分别加工形成阴极电极和阳极电极；采用机 械切割斜角的方法执行台面造型和涂胶保护，由此完成半导体断路开 关的制备过程；本发明还公开了采用该方法制得的两
华中科技大学
2021-04-14