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一种光子晶体薄膜、其制备方法及应用
本发明公开了一种光子晶体薄膜、其制备方法及应用。光子晶 体薄膜包括 Fe3O4 纳米粒子和聚丙烯酰胺水凝胶，所述 Fe3O4 纳米粒 子均匀分散于聚丙烯酰胺水凝胶中，浓度在 1mg/ml～50mg/ml 之间。 其制备方法如下：(1)将 Fe3O4 纳米粒子、丙烯酰胺、甲叉丙烯酰胺和 光引发剂均匀分散于有机溶液中，得到水凝胶光子晶体前体的悬浊液； (2)将凝胶光子晶体前体的悬浊液铺设成 150～300μm 的薄膜；加载
华中科技大学
2021-01-12
通过晶体结构设计合成新型功能材料
成功获得了两种具有优良性能的新型功能材料，分别为强响应红外非线性光学晶体Sr6Cd2Sb6O7S10，以及高稳定性的锂离子导体Li4Cu8Ge3S12。 波长在320 m的中远红外可调谐激光在军事和民用方面，如激光制导、红外激光通讯、红外遥感、红外激光雷达、以及环境监测等，都有非常重要的应用。红外非线性光学晶体材料可以通过光学参量震荡（OPO）、倍频（SHG）或者差频（DFG）等非线性频率转换技术，变频输出中远红外激光。目前实用的ZnGeP2、AgGaS2和AgGaSe2等黄铜矿结构晶体均为国外在20世纪70年代发现，但它们都存在各自的问题，例如AgGaS2的热导率小，激光损伤阈值较低，难以实现高功率激光输出；ZnGeP2晶体中存在严重的双光子吸收，难以实现宽频输出。这些问题都限制了材料的实际应用。因此，探索高性能的新型红外非线性光学晶体材料具有十分重要的意义。
北京大学
2021-04-11
一种纳米纤维素晶体的制备方法
一种纳米纤维素晶体的制备方法，步骤如下：用pH4.8的乙酸-乙酸钠缓冲液配制浓度为0.03-0.05g/mL的纤维素溶液，加入纤维素酶进行酶解，纤维素酶在溶液中的浓度为10-15U/mL，酶解过程中每间隔12h进行一次超声，每次超声时间为30-60min；反应结束后，取出样品，离心分离，将沉淀物离心水洗，冷冻干燥制得纳米纤维素晶体。本发明采用纤维素内切酶结合超声物理方法制备一维棒状纳米纤维素，该方
青岛农业大学
2021-01-12
一种激光快速分离光学晶体方法及装置
本发明公开了一种激光快速分离光学晶体方法，该方法先利用 超快激光或微型金刚石砂轮对光学晶体进行分离方向设置，在分离开 始端形成一条方向沿待分离路径的预制微裂纹；再利用聚焦激光对预 制微裂纹进行扫描加热，形成激光诱导微裂缝；沿着待分离路径快速 移动聚焦激光，直至激光移动速度与裂缝扩展速度相同，使聚焦激光 始终跟随着微裂缝最前端，并使微裂缝两侧材料发生热膨胀效应，在 微裂缝尖端产生前向挤压和侧向拉应力，将晶体材料拉开，最
华中科技大学
2021-04-14
一种微向下提拉晶体生长炉
本发明公开了一种微向下提拉晶体生长炉，包括自上而下设置的上部绝热层和底部绝热层(13)，底部绝热层(13)内还设置有观察孔(4)，观察孔(4)呈管状，其中心轴线与底部绝热层(13)顶表面的法线的夹角为 45°～60°；内层绝热层、中间绝热层和底部绝热层(13)均由质量比为 1:9 的氧化锆和氧化铝压制煅烧而成。本发明设置的观察窗口能够及时观察晶体生长界面的晶体生长状况；并且，该观察窗口对晶体生长炉的温度场影响小，能够
华中科技大学
2021-04-14
二氧化硅晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
二氧化硅晶体结构模型
宁波浪力仪器有限公司（余姚市朗海科教仪器厂）
2021-08-23
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化
金刚石半导体集热、电、声、机械等特性于一体，在禁带宽度、击穿场强、迁移率和热导率等方面远高于其他半导体，被称为“终极半导体”。英寸级单晶金刚石衬底及其关键设备的产业化，可以极大地推进我国半导体的革命性变革，实现我国微电子行业的跨越式发展，达到国际先进水平。本项目在国家“千人计划特聘专家”王宏兴的推动下，已经完成了两种微波等离子体CVD设备的设计和制造，利用这些设备已经完成了英寸级单晶金刚石衬底的工程样品，实现了克隆衬底工艺的全线贯通，具有小批量产业化能力。按照日本相关公司的预测，随着金刚石半导体的发展，在2030年，中国的市场规模达到100亿美元。由于金刚石生产中的主要成本是甲烷、氢气和消耗电力的费用，成本较低，经济效益显著。 金刚石半导体特性 关键设备-MPCVD 克隆技术 单晶金刚石衬底
西安交通大学
2021-04-11
分米量级尺寸的六方氮化硼二维单晶的制备
团队与合作者首次报道了米级单晶Cu(111)衬底的制备方法，并在此基础上实现了米级单晶石墨烯的外延生长（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。与石墨烯不同，六方氮化硼等其它绝大多数二维材料不具有中心反演对称性，其外延生长普遍存在孪晶晶界问题：旋转180°时晶格方向发生改变，外延生长时不可避免地出现反向晶畴，而在拼接时形成缺陷晶界。 开发合适对称性的外延单晶衬底是解决这一科学难题的关键。研究团队探索出利用对称性破缺的衬底外延非中心反演对称二维单晶薄膜的新方
南方科技大学
2021-04-14