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生物法制备环磷腺苷及其应用
环磷酸腺苷(cAMP)为蛋白激酶致活剂，作为细胞内的第二信使有着广泛的生理作用，对糖、脂肪代谢、核酸、蛋白质的合成调节等起着重要的作用。临床上用于治疗心绞痛、心肌梗死、心肌炎及心源性休克。它也可作为药物中间体制备二丁酰环磷腺苷和环磷腺苷葡甲胺，发挥更有效的生理及药理作用。cAMP还可用于畜禽食品添加剂，在离体条件下模拟生长激素的作用，促进畜禽生长，增加优质禽产品产量。通过筛选获得了cAMP的高产菌株，利用离子束诱变技术对菌株进行改造，结合代谢调控手段，进一步提高cAMP的产量，由此可产生数亿直接经济效益。相比化学合成法，可大幅度降低原料成本原料成本和能量消耗。本产品的发展有利于带动我国相关产业如医药、食品添加剂产业的繁荣发展，产生间接经济效益达数十亿。
生产规模及设备投资:发酵罐、离交柱、结晶釜，总投资1000万
经济效益估算:年销售额4000万
南京工业大学
2021-01-12
密闭水系统全有机无磷缓蚀剂
密闭的新水、软水、纯水系统在运行过程中会发生严重的腐蚀，水质变差、发黄甚至产生“红水”，且对系统中的设备产生严重的危害。本产品为全有机缓蚀剂，不含磷，不含重金属如钨、钼、锌等元素，在投加量为2000mg/L时，可对水系统中的碳钢、不锈钢、铜、铝等金属设备提供全方位的保护。
南京工业大学
2021-01-12
高性能压电单晶及新型电声／电光产业链
本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。
西安交通大学
2021-04-11
宽禁带半导体 ZnO 和 AlN 单晶生长技术
中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等
中国科学院大学
2021-01-12
磁场中大直径直拉硅单晶的生长技术
在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用
南京航空航天大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。本发明 采用柔性超薄石墨片作为衬底材料，在石墨片上溅射一层铜，进行热处理。铜 扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲，再沉积碲化镉并 进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中，在石墨片和碲化镉之间形 成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次 沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发 明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温 度低的矛盾。
四川大学
2021-04-11
能安全吸附水体中镉的生物炭的制备方法
本发明公开了一种能安全吸附水体中镉的生物质炭的制备方法，包括以下步骤：1)、将收割后的象草除杂后风干，然后依次进行粉碎、烘干；2)、粉碎烘干后的象草放入炭化炉内，然后以4～6℃/min的速率升温至480～520℃进行隔氧炭化反应，保温反应1.8～2.2h；3)、将步骤2)所得的炭化后象草冷却至室温，粉碎过筛，得生物质炭。本发明克服了现有吸附技术治理重金属污水过程中吸附效率不高、易导致二次污染和成本较高这三大问题；同时对植物废弃物中碳素进行了稳定封存，减少了二氧化碳排放，具有显著的生态效益。
浙江大学
2021-04-13
一株巨大芽孢杆菌菌株、花生降镉剂及其应用
本发明提供了一株巨大芽孢杆菌菌株、花生降镉剂及其应用，属于农作物安全生产技术领域。本发明提供的包括巨大芽孢杆菌发酵液或巨大芽孢杆菌固体制剂的花生降镉剂能够降低花生籽粒中镉的含量。同时还能够提高叶片中的P含量、花生籽粒产量及花生根系生物量。进一步的，本发明提供的降镉剂还包括质量浓度为1～2g/L的LaCL3溶液，能够进一步提高对花生籽粒中镉的去除率。与未施加降镉剂相比，采用本发明提供的降镉剂栽培花生
青岛农业大学
2021-01-12
硅基GaN功率开关器件
宽禁带半导体硅基GaN器件以其高效率，高开关速度高工作温度抗辐时等特点,成为当前国际功率半导体器件与技术学科的研究前沿及热点，也是业界普遍认可的性能卓越的下代功率半导体器件。而S基GaN因其S基特性.能够突破新材料在发展初期的成本牦颈且易与S集成电路产业链匹配，因此兼具高性能与低成本的优点在消费电子(如手机快冲与天线充电).数据中心与人工智能，无人驾驶与新能源汽车、5G通信等团家战略新兴领城具有巨大的应用前景。电子科技大学功率集成技术实验室自2008年起即开展硅基GaN功率器件与集成技术研究,围绕硅基GaN两大核心器件:增强型功率晶体管、功率整流器进行基础研究与应用技术开发。解决了增强型功率晶体管阈值电压大范围调控功率二圾管导通电压调控与耐压可靠性加查等关键技术瓶颈,研究成果为硅基GaN的产业化奠定了重要基础。
电子科技大学
2021-04-10